提供光电保护的安全装置的使用

介绍一种用于冲床的光电安全装置的原理及使用，此装置采用新型光电二级管芯片作为光接收器，采用三路光作为保护屏，一定程度上为操作者提供了安全保护。     

一种新型高性能光电探测器结构的研究

近来获得极大发展的谐振腔光电探测器具有引人注目的波长选择特性，并且实现了器件量子效率与带宽的渡越时间分量之间的解耦。     

各种仪器应用使用的探测器：光电倍增管与光电二极管

光电倍增管与光电二极管是医学,分析化学,过程控制,以及工业环境中所使用的许多仪器的核心。     

雪崩光电器件过剩噪声分析

基于光子在雪崩光电器件内吸收位置的差异,提出过剩噪声因子在器件垂直方向的分布模型,并基于TCAD 和Matlab 仿真,验证了模型的有效性。模型考虑了光子在硅雪崩器件内不同吸收位置的过剩噪声因子,结合光子在器件深度方向的吸收比例,计算器件(器件结构由TCAD构造)的平均噪声因子水平:233 @ E=34×105 V/cm 和534 @ E=36×105 V/cm,比单独考虑光子在N中性体区吸收(过剩噪声因子:288 @ E=34×105 V/cm 和1294 @ E=36×105 V/cm)或P中性体区吸收(过剩噪声因子:221 @ E=34×105 V/cm 和379 @E=36×105 V/cm),更能反映器件的真实工作情况。     

混合式光电探测器

混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。     

光电倍增管的新进展

本文主要从光电倍增管的结构、性能及应用出发,简述当前光电倍增管的技术水平、技术动向及其新进展。     

新一代光电耦合器简化设计并提供保护

在一些需要通过绝缘层传送信息但却不允许物理电气接触的场合，通常需要一些隔离器件，依照信号经过绝缘层传送方式的不同，有几种型态的隔离器可以选择，其中较为普遍的就是通过光的方式传送，这类隔离器件就称为光电耦合器（Optocoupler）。     

耐振动抗冲击光电倍增管

耐振动冲击光电倍增管有金属－玻璃与金属－陶瓷两类器件，后者提供了最优越的耐振动抗冲击性能，本文介绍了这类管子的一些性能，特别是索恩ＥＭＩ公司的金属－陶瓷器件。     

如何选用雪崩光电二极管

如何选用雪崩光电二极管光学测量在各种科学、医学和工业应用中起着重要作用。简单光学系统用廉价光电池进行光探测，但许多应用要求有较高灵敏度和精度。传统方法是用光电倍增管获得高灵敏度。然而，光子水平灵敏的光电倍增管价格高昂，而且易碎、对磁场灵敏、与尺寸大小...     

GDB—601型微通道板光电倍增管

介绍ＧＤＢ－６０１型微通道板光电倍增管的结构、参数及其应用。     

耐振动抗冲击光电倍增管

介绍了两类耐振动抗冲击光电倍增管,最优越的耐振动抗冲击光电倍增管是由金属-陶瓷或金属-玻璃器件组成,另一个是使用两块陶瓷板固定所有金属电极来实现耐振动抗冲击的目的.     

光电倍增管

美国Burle工业公司的85104型微道板光电倍增管具有很高的灵敏度、极高的红光响应率、大的阴极面积和突出的光子计数能力。这些特性使其非常适用于红光和近红外光谱的探测。这种光电倍增管采用一种半透明的砷化镓光电阴极,在370nm至850nm谱区内可提供大于20％的量子效率,在600nm波长处的峰值量子效率为30％。这样的响应率是在直径为18mm的光电     

高倍增低暗电流的AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管

用分子束外延系统（MBE）生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管（APD）。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍射（HRXRD）曲线显示出尖锐的卫星峰,并显示出几乎完美的晶格匹配,其原子力显微镜（AFM）图像上也可以观察到光滑的表面形貌。使用优化的数字合金生长方式,制备了分离吸收、渐变、电荷和倍增（SAGCM）型的AlInAsSb数字合金APD。在室温下,器件在95%击穿时,暗电流密度为0.95 mA/cm²,击穿前最大稳定增益高达~100,其器件的高性能显示出光电领域进一步发展的潜力。     

具有光电偏转器的CRT

在ＣＲＴ内，沿阴极与屏间的电子束路径，存在着一个偏转系统。该系统至少有一个静电光电偏转器，它有一个对入射光辐射有响应的光电探测器。该探测器对光电偏转器产生电偏转场调节的电荷。光电偏转器具有两或三个电极，以便能够使产生与电荷在或不在同一空间。光电探测器可以是一个光电阴极或光电二极管。