蓝青铜单晶Rbo.3MoO3和Rbo.15Ko.15MoO3的热电势特性

在90～290K范围内对蓝青铜单晶Rb0.3MoO3和Rb0.15MO03的热电势与温度的关系进行了比较研究,发现:1)在180K附近,两种蓝青铜导体的热电势出现突变是这两种物质存在Peierls相变的的又一例证并分别分析了A位元素的完全替代和部分替代对Peierls相变的影响;2)在相变点tp以上和以下,两者的热电有相似的变化,由高温区较小的正值变为低温区较大的负值,并可以用经验关系式S＝AT+B/T来描述.     

单相超导体CaLaBaCu_(3-x)BxO_(7-δ)正常态热电势率研究

从 77K到 30 0 K之间对 Ca L a Ba Cu3 -x Bx O7-δ单相体系的正常态热电势率进行了微分法测量 ,发现随着硼含量 x从 0向 0 .4的逐步增加 ,样品体系正常态特性从金属性向类半导体性质转变 ,其主要载流子由空穴型为主转变为电子型为主 .根据以上的性质转变 ,我们采用双带模型及半导体模型对 x的不同值进行曲线模拟 ,拟合的热电势率—温度曲线与实验曲线相当吻合 ,同时根据模型对样品的费米能及有效能隙进行了计算     

Rb_2分子激发态与基态原子碰撞能量转移

脉冲激光667nm线激发Rb2基态到低激发态B1Πu态,研究Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5PJ)的碰撞转移过程.测量不同Rb密度下B1Πu的时间分辨荧光强度,它是一指数衰减函数,取其光强对数描绘得到B1Πu的有效寿命τ3为23.5ns(温度为545K时的寿命).从描绘出的有效寿命倒数与Rb原子的粒子数密度的关系直线的斜率得出B1Πu态总的碰撞猝灭截面为σ3=(4.33±0.14)×10-15cm2.测量Rb2的B1Πu→X1Σ+g在不同Rb密度下的时间分辨和时间积分荧光强度,得到Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P1/2)的碰撞截面σ31=(2.86±0.13)×10-16cm2,Rb2(B1Πu)+Rb→Rb2(X1Σ+g)+Rb(5P3/2)的碰撞截面为σ32=(8.30±0.38)×10-16cm2.     

La_(1-x)Ca_xMn_(1.03)O_3外延薄膜的输运性质

本文报道了用溶胶 -凝胶 (sol- gel)方法 ,在 La Al O3 (10 0 )衬底上制备 L a1-x Cax Mn1.0 3 O3 外延薄膜的输运性质 .Ca含量 x在 0 .2～ 0 .6 2 1范围内 ,电阻率随温度的变化关系 ,是从类半导体行为向金属导电行为转变 ,在 x≥ 0 .5的 4个样品中并没有发现电荷有序绝缘体 (COI)和反铁磁绝缘体 (AFI)现象 .Tc最高达 2 75K,MR最大可达 10 4 % (x =0 .2 ,H =1.5T) .在 T >Tp 或 Tc的温区内 ,电阻率ρ∝exp(- E/ k T) ,说明载流子的迁移是以热激活方式进行的 ,热激活能为 0 .32～ 18.3me V.当 T 0 .4 ) .     

利用BaZrO_3涂层Al_2O_3坩锅生长YBa_2Cu_3O_(7-δ)单晶体

在常规 Al2 O3刚玉坩锅内表面制备 Ba Zr O3保护层的方法生长 YBa2 Cu3O7-δ高温超导单晶 .实验结果显示 ,在晶体生长过程中 ,这种 Ba Zr O3薄层确实可以有效地阻止坩锅材料中的 Al向 Y2 O3- Ba O- Cu O溶液的扩散 ,且生长出的 YBa2 Cu3O7-δ晶体中 ,在仪器精度范围内没有发现 Al杂质的存在 .刚刚生长没有进行氧退火处理样品具有四方对称性 ,晶格常数分别为 a=0 .385 86 nm,b=0 .385 83nm ,c=1.17931nm ,α=β=γ=90°.简单氧气氛下热处理后 ,超导转变温度由 45 K提高到 84K.     

单相超导体 CaLaBaCu3-x B x O 7-δ 正常态热电势率研究

从 77K到 300K之间对 CaLaBaCu3-x B x O7-W单相体系的正常态热电势率进行了微分法测量 ,发现 随着硼含量 x 从 0向 0. 4的逐步增加 ,样品体系正常态特性从金属性向类半导体性质转变 ,其主要载流 子由空穴型为主转变为电子型为主 .根据以上的性质转变 ,我们采用双带模型及半导体模型对 x 的不同 值进行曲线模拟 ,拟合的热电势率 — 温度曲线与实验曲线相当吻合 ,同时根据模型对样品的费米能及 有效能隙进行了计算 .     

(Sr,Ba)3MoO6添加剂对(Sr,Ba)2(Fe,Mo)2O6系统磁电阻性能的影响

通过固相反应法合成了一系列（Sr,Ba)2(Fe,Mo）2O6 x(Sr,Ba)3MoO6(O≤x≤1）陶瓷样品，结果表明，适量的（Sr,Ba）3MoO6添加剂能够使多晶（Sr,Ba)2(Fe,Mo)2O6材料的磁电阻效应△ρ/ρ得到明显提高，并且陶瓷样品的最佳烧结温度降低至大约860℃。     

高氯酸铒与甘氨酸及丙氨酸混配物的标准生成焓

合成了两种高氯酸铒和甘氨酸及丙氨酸的混配型配合物,经元素分析、化学分析、热重、差热及与有关文献对比,确定其组成为[Er2(Gly)4(Ala)2(H2O)4](ClO4)6.3H2O和Er2(Gly)5(Ala)3(ClO4)6.2H2O.用溶解量热法在具有恒温环境精密溶解-反应热量计上分别测定了298.15K时两种配合物的反应物和产物在2mol/LHCl溶液中的溶解焓.通过设计热化学循环求出配位反应的焓变ΔrHm,进而计算出配合物的标准生成焓:ΔfH—○—m—{[Er2(Gly)4(Ala)2(H2O)4](ClO4)6·3H2O,s,298.15K}=-7408.60kJ·mol-1;ΔfH——m○—{Er2(Gly)5(Ala)3(ClO4)6·2H2O,s,298.15K}=-7079.16kJ·mol-1.     

油酸包裹对不同尺寸纳米α-Fe_2O_3晶体Morin相变影响的Mssbauer研究

用 Mossbauer方法研究了冻油酸中的 35nm与 6 0 nm均匀α- Fe2 O3 微晶的 Morin相变温度 ,发现它比未包裹样品分别高了 50 K和 2 4 K     

高比表面积Ce-Zr-O复合氧化物的制备与表征

以 Ce(NO3 ) 3 · 6 H2 O和 Zr(NO3 ) 4· 5 H2 O为原料 ,采用共沉淀法 ,合成了高比表面积的 Ce- Zr- O复合氧化物 .实验结果表明表面活性剂的添加量 ,溶液的 p H值及陈化时间等对比表面积的增加影响较大 .当表面活性剂的添加量为 70 % ,p H值为 9.5 ,陈化时间为 12 0 h,92 3K焙烧 2 h后 ,样品的比表面积达到 2 79.6 9m2 / g.FT- IR分析显示 ,样品经 92 3K焙烧后 ,Ce- Zr- O上残留的活性剂已基本除去 .TG- DTA分析表明 35 3K干燥后的样品在 TG曲线上有两个明显的失重过程 ,与 DTA曲线相对应有两个吸热峰 ,第一个表示吸附水和丙酮的脱去过程 ,温度在 393K,失重率为 7.4 3% ;第二个吸热峰在787K,可能是表面活性剂的分解峰 .氮气的吸 -脱附实验揭示 ,该吸 -脱附等温线属于 型等温线 ,是中孔多孔物质的吸附类型 .另外 ,样品经 973K焙烧 ,比表面为 2 30 .6 9m2 / g;10 73K焙烧后 ,比表面为12 0 .5 5 m2 / g;经 1173K焙烧 ,仍有 5 3.5 3m2 / g.     

钠紫青铜NaMo_6O_(17)的热电势研究

报道了在 １０～３００ Ｋ 温度范围内,对准二维电荷密度波导体 Ｎａ Ｍｏ６ Ｏ１７紫青铜热电势的测量结果． 在８０ Ｋ 附近, Ｎａ Ｍｏ６ Ｏ１７ 的热电势发生突变是该物质存在 Ｐｅｉｅｒｌｓ 相变的又一个实验例证． 温度高于８０ Ｋ 时,热电势可以用一个经验公式： Ｓ＝ Ａ Ｔ＋ Ｂ／ Ｔ 来描述;而在温度低于 ３０ Ｋ 时,热电势可以拟合为： Ｓ＝ Ａ Ｔ＋ Ｂ Ｔ３ , 说明总的热电势均存在着来自载流子自身的热扩散和声子对载流子的散射两方面的贡献,但高温区和低温区声子对载流子的散射机制是不一样的． 总的热电势值揭示,无论 Ｐｅｉｅｒｌｓ 相变前后,主要载流子均是电子． 上述这些实验结果与 Ｋ Ｍｏ６ Ｏ１７的实验结果比较,有助于进一步加深对紫青铜结构、 Ｐｅｉｅｒｌｓ 相变等物理性质的理解     

掺杂TiO2的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过固相反应法制备了(1-x)La2/3Ba1/3MnO3 xTiO2(x=0％～5％)多晶陶瓷样品，实验发现，随着TiO2掺杂量的增加，电阻率明显增大，金属绝缘相转变温度Tp值下降．通过室温(300K)和低温(78K)下不同磁场的磁电阻计算表明，适量的TiO2掺杂会明显提高材料的磁电阻性能；在1T磁场下，TiO2掺杂量为1％的样品室温磁电阻达到12％，这是未掺杂La2/3Ba1/3MnO3相同条件下的3倍，为磁电阻传感器研究提供了实验依据。     

Rb（5PJ）与He的碰撞精细结构混合和猝灭

应用激光吸收和荧光方法，测量了Rb（5PJ）态与He原子碰撞的精细结构转移和碰撞猝灭截面．Rb原子被激光激发到5P3／2态，将与泵浦激光束反向平行的检测激光束调到5PJ→7S1/2的跃迁，测量5PJ激发态原子的密度及空间分布，由此计算了5PJ→5S的有效辐射率．在T=340K和He密度0．5×10^17〈N〈4×10^17cm^-3范围内测量了5P1/2→5S1/2发射的敏化荧光强度I795，量N/I795与N有抛物线型的关系，表明了5PJ的猝灭是由于与He原子的碰撞产生的，而不是由与Rb基态原子碰撞产生的．由最小二乘法确定的二次多项式的系数得到5P态与He碰撞精细结构转移截面σ3/2→1/2=（1．84±0．61）×10^-17cm^2，猝灭截面σD=（1．07±0．30）×10^-17cm^2．     

La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的输运性质

本文报道了用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在LaAlO3(100)衬底上制备La1-xCaxMn1.03O3外延薄膜的输运性质.Ca含量x在0.2～0.621范围内,电阻率随温度的变化关系,是从类半导体行为向金属导电行为转变,在x≥0.5的4个样品中并没有发现电荷有序绝缘体(COI)和反铁磁绝缘体(AFI)现象.Tc最高达275K,MR最大可达104%(x=0.2,H=1.5T).在T＞Tp或Tc的温区内,电阻率ρ∝exp(-E/kT),说明载流子的迁移是以热激活方式进行的,热激活能为0.32～18.3meV.当T＜Tp或Tc时,ρ=ρ0+AT2.5,拟合系数A随Ca含量的增加而迅速增加(x＞0.4).     

Rb蒸气中的辐射陷获效应和5P1／2能级有效寿命的测量

本文测量了Rb蒸气中（5P1／2）共振能级的有效寿命．圆柱形样品池充入金属Rb,样品池温度在333K-373K之间,在池中产生10^11～10^12cm^-3的Rb原子密度．使用Nd：YAG脉冲激光器（泵浦激光）将Rb原子激发至5P3／2态,测定了转移荧光随时州衰减的曲线．由于辐射陷获效应的存在,有效辐射率是自然辐射率与透射因子的乘积．对5R1／2→5S1／2跃迁荧光曲线的测量,利用最小二乘法拟合及速率方程得到的不同温度下的有效寿命与霍斯坦理论计算得到的相符．     

Bi_（0.5）Na_（0.5）TiO_3-BaTiO_3-KNbO_3陶瓷的介电特性及相变行为研究

采用固相反应法制备了（1-x）Bi0.47Na0.47Ba0.06TiO3-xKNbO3（BNBT-xKN,x=0～0.08）陶瓷,借助铁电分析仪、阻抗分析仪、扫描电镜（SEM）等仪器研究了KNbO3（KN）引入后,对陶瓷的微观结构、相变行为和介电性的影响.BNBT-xKN的扫描电镜（SEM）图显示：适量的KN对BNBT陶瓷具有细化晶粒、增大致密度作用.介电温谱（30~500℃）显示BNBT、BNBT-0.01KN、BNBT-0.02KN陶瓷有3个介电异常峰,而BNBT-0.04KN和BNBT-0.08KN陶瓷中有2个介电异常峰,并对陶瓷中出现的介电异常进行了讨论.通过介电温谱数据拟合,讨论了BNBT-xKN陶瓷的介电弛豫特性,并解释了BNBT-xKN陶瓷退极化的原因以及出现双电滞回线的机理.     

La2/3Ca1/3MnO3样品的磁和电子输运性质研究

实验研究了La2/3CamMnO3样品零磁场下的电阻率和低磁场下的磁化强度随温度的变化行为．结果表明，除了居里温度(Tc)外还存在另一特征温度Tonset，高于Tonset的样品为典型的顺磁绝缘体，而低于Tc的样品为典型的铁磁金属，但在Lonset和Tc之间，样品的磁化率大大偏离居里一外斯定律，同时其导电特性显示出明显的反常．对观察到的不寻常导电特性，根据铁磁金属集团在顺磁绝缘体背景上随机分布的假设，进行了分析与探讨。     

Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2Cu_3O_(7-y)超导体中的鱼尾效应

通过对Y_(0.9)Eu_(0.1)Ba_2Cu_3O_(7-y)样品Jc(H)关系以及磁通蠕动行为的系统研究,发现:当T>40K时,其Jc值随磁场的增大呈现非单调变化.作者认为,Jc(H)的这种非单调性起源于集体磁通蠕动的维度转变.     

准一维导体钾蓝青铜的光电子发射谱研究

钾蓝用青铜Ｋ０．３ＭｏＯ３的导带延拓到Ｆｅｒｍｉ能级以下约３．５ｅＶ，价带位于４～１０ｅＶ之间，除了导带与价带间的能隙不显著外，所测结果基本上符合Ｔｒａｖａｓｌｉｎｉ的模型．氧的Ｉｓ和钾的２ｐ芯能级谱中存在着弱的台阶，被理解为小能量的等离子激发．晶体结构中不等价的氧位置，导致了Ｏ－１ｓ能级谱不对称的线形式．Ｍｏ－３ｄ芯电子能谱揭示在Ｋ０．３ＭＯＯ３中存在着两种屏敝效应，以及Ｍｏ＋６，Ｍｏ＋５两种价态．