四流体模型与m=1内扭曲模稳定性分析

利用描述俘获粒子运动的四流体模型推导出包含俘获粒子效应,离子反磁漂移,有限电阻及反常电子粘滞效应的ｍ＝１的内扭曲模本征方程和色散关系,并在等离子体芯部存在与不存在的高能粒子的两种情况下,讨论了俘获粒子效应和各种耗散效应对内扭曲模的影响。     

非理想MHD效应与m=1内扭曲模本征方程

对非俘获粒子与俘获粒子分别采用流体和单粒子模型，推导了同时包含各种非理想ＭＨＤ效应的ｍ＝１内扭曲模本征方程，这些效应包括有限电阻，反磁漂移，俘获离子引起的增大的极化漂移与横向粘滞，沿力线电子热导，反常电子横和粘滞，俘获离子香蕉轨道宽度及自举电流等效应，所得到的ｍ＝１内扭曲模本征方程，为研究不同情况下各种非理想ＭＨＤ效应的相对重要性及可能以ｍ＝１内扭曲稳定性的影响，提供了一可靠的基础。     

受激拉曼散射对非线性介质波导的时空不稳定性影响

基于非线性包络方程我们研究了平面非线性介质波导中的时空不稳定性,得到了有拉曼散射效应情形下不稳定性调制的增益谱的表达式.结果表明在正常和反常两种群速度色散情形下,拉曼散射效应都会导致出现新的不稳定性区域,并且使原有的每一个谱分量的增益上升从而使谱的范围扩大.并通过分析反常色散情况下四种不同函数分布的非线性色散介质系数对不稳定性增益谱的影响,得到呈双曲函数分布的非线性色散介质最为理想.     

四流体模型与托卡马克等离子体中的扰动粒子流

基于俘获粒子极向运动的约束条件，提出了一个简单而有效地描述俘获粒子运动及其对某些不稳定性的影响的四流体模型。作为该模型的应用，推导了各种扰动粒子流和扰动条件下的新经典电导率及包括了惯性效应的更普遍的自举电流表示式，并对役向局域的低极向模数的一类扰动，导出了包含俘获粒子效应的本征模方程。     

光子晶体光纤中调制不稳定现象与超连续光谱的产生

研究了光子晶体光纤中调制不稳定性效应.从非线性薛定谔方程出发，计算和分析了光子晶体光纤中反常色散区以及正常色散区内的调制不稳定性现象，详细讨论了超短脉冲的脉宽、峰值功率、高阶色散和高阶非线性效应（如脉冲内喇曼散射、自陡峭效应）对调制不稳定性产生的影响.结果表明：二阶色散对调制不稳定性的影响要远大于三阶色散，同时也发现随着初始脉冲宽度的减小，调制不稳定性旁瓣增大但是强度有所降低.另外还发现高阶非线效应如自陡峭和喇曼效应会在不同程度上抑制调制不稳定性.     

量子反常霍尔效应研究进展

在没有外加磁场的作用下就能表现出量子化霍尔电导的量子反常霍尔效应已经成为霍尔家族中的重要一员, 其物理起源是体能带反转结构和铁磁性相互作用. 量子反常霍尔效应最重要的表现是在边缘态处具有无耗散运动的手性电流, 这种性质拥有可以改变未来量子电子学的潜力, 极大推动器件小型化、 低损耗、 高速率发展. 近年来,基于理论指导, 人们在实验上已多次观察到量子反常霍尔效应. 在本文中, 从实验层面上重点回顾了量子反常霍尔效应在铬(Cr) 、钒(V) 掺杂的(Bi,Sb)2Te3 体系的研究进展, 以及目前量子反常霍尔效应在其它体系中的研究现状, 深入理解量子反常霍尔效应的起源和机理, 最后对量子反常霍尔效应进行总结和展望     

μ介子为质子所辐射俘获

本文利用重正化了的费米型V-A弱相互作用计算μ介子被质子吸收时所产生的辐射俘获现象。在计算中利用了余列多维奇等所指出的μ介子在俘获前停留在K层的单重态上的理论结果。计算的结果与李政道等忽略强相互作用的影响及忽略μ介子原子由三重态至单态的跃迁所得到的结果有很大的不同。我们得到当完全不考虑强相互作用的影响时μ介子被质子俘获时不能放出γ辐射的结论。其次我们考虑了两方面的强相互作用影响,一方面考虑了核子反常磁矩的影响,另一方面又考虑了强相互作用对V-A弱相互作用的重正化效应。计算结果指出:反常磁矩的贡献只为重正化效应的5％左右。由重正化效应所产生的辐射俘获几率只有李政道等所给出的几率的14％,放出的光子不再是100％右旋的,估计约有20％的左旋光子。     

逃逸电子和不稳定性波反常多普勒共振实验研究

利用电子回旋辐射诊断系统并结合其他相关诊断研究了HL-2A托卡马克中逃逸电子与波间的反常多普勒共振作用.结果显示:欧姆放电下提高等离子密度能抑制逃逸电子束的不稳定性,但等离子密度的再次降低导致逃逸电子又会激发不稳定性波,并耦合不稳定性波发生二次反常多普勒共振作用.利用统计方法分析了HL-2A上不同放电阶段逃逸电子反常多普勒共振阈值(ωpe/ωce)区间大致都在0.17-0.54范围内.此共振机制导致逃逸电子在速度空间被波散射,平行能量转化到垂直能量,pitch角增加,同步辐射功率增强,逃逸电子能量限制在反常多普勒效应的阈值能量附近.基于反常多普勒共振的逃逸抑制能有效减轻逃逸电子对装置第一壁的损坏.     

电子储存环中离子俘获不稳定性的强-强模型模拟

 电子储存环中,由于被束流势阱俘获的离子会引起束流不稳定性。研究这种不稳定性的产生机制和抑制方法对提高机器的性能有重要理论和现实意义。介绍了用强-强模型对合肥光源（HLS）电子储存环中离子俘获不稳定性产生机制进行的模拟研究。模拟结果可用于理解在合肥光源（HLS）储存环上观察到的离子俘获现象。     

高斯变迹布拉格光纤光栅中的调制不稳定性

利用激光脉冲在光纤光栅中传播时所遵守的相干耦合非线性薛定谔方程,研究了激光脉冲在高斯变迹布拉格光纤光栅中传输时，在反常色散区和正常色散区所产生的调制不稳定性.结果表明在反常色散区和正常色散区都能产生调制不稳定性；在反常色散区，当输入功率达到一定数值时，产生明显的有规律的增益谱；在正常色散区，在产生调制不稳定性功率区域，调制不稳定性存在并从给定值一直持续到无穷；并且，在反常色散区和在正常色散区，增益谱都受到高斯变迹函数的制约. 关键词： 高斯变迹 布拉格光栅 调制不稳定性 增益     

热电子等离子体的耗散漂移不稳定性

在热电子等离子体中,存在密度梯度驱动的低频耗散性漂移波,本文导出了包括等离子体电阻性和粘滞性的漂移波的色散关系。热电子环能降低不稳定性的增长率,减少等离子体的反常输运损失。漂移波被热电子环完全稳定的条件是β_h>4ξ/(1+2ξ)。实验中测量了漂移波的激发区域和振荡特性,观察了热电子环的稳定作用实。验结果与理论分析相符。 关键词：     

低频漂移波与赝经典扩散

本文讨论了低频漂移波与托卡马克中反常输运的经验规律——赝经典扩散间的关系。文中指出,主要是无碰撞漂移波而不是耗散漂移波导致了赝经典扩散。当线性不稳定的无碰撞漂移波主要地由准线性弛豫过程所饱和时,可以导致赝经典形式的反常扩散,它正比于碰撞频率而与波幅关系不大。估计的反常扩散系数在量级上与实验一致。讨论了上述机制有效的参数范围。 关键词：     

非均匀磁场中的动力论漂移迴旋损失锥不稳定性

本文从解析和数值计算两种途径仔细研究了磁场非均匀性漂移共振的动力论效应对于漂移迴旋损失锥不稳定性(DCLC)的影响。发现在高β等离子体中,磁场非均匀效应是非常重要的,磁漂移共振对于负能的模起耗散作用,从而使原有的DCLC不稳定性加强,而且不稳定性的参数区域大大扩展了。有限β值效应并没有象流体近似理论所预言的那样使DCLC模稳定。 关键词：     

Vector dissipative solitons in graphene mode locked fiber lasers

Vector soliton operation of erbium-doped fiber lasers mode locked with atomic layer graphene was experimentally investigated. Either the polarization rotation or polarization locked vector dissipative solitons were experimentally obtained in a dispersion-managed cavity fiber laser with large net cavity dispersion, while in the anomalous dispersion cavity fiber laser, the phase locked nonlinear Schrödinger equation (NLSE) solitons and induced NLSE soliton were experimentally observed. The vector soliton operation of the fiber lasers unambiguously confirms the polarization insensitive saturable absorption of the atomic layer graphene when the light is incident perpendicular to its 2-dimentional (2D) atomic layer.     

New scaling laws for trapped-particle anomalous transport in tokamaks

An improved formula for anomalous transport caused by the dissipative trapped-ion instability (without shear effect) is derived numerically and by two independent analytical methods. The new shearless result is also used to derive the anomalous diffusion with shear effect by a general method already published.     

Bistability,autowaves and dissipative structures in semiconductor fibers with anomalous resistivity properties

This work provides a discussion of bistability conditions, switching autowave properties and emergence of dissipative structures in semiconducting fibers with anomalous positive dependence of electrical resistivity on temperature of sigmoid type, (1?+?e ^?T )^?1. An open system thermodynamics approach is utilized for the analysis of this dissipative solid-state system. The approach aims to represent the structure of the solution space of its governing equation in the form of physical phase diagrams, known as non-equilibrium phase diagrams, and two specific binary diagrams have been obtained here. One of the diagrams, where the electrical power density and ambient temperature represent external parameters, shows a wide region with dissipative structures as non-uniform steady-state temperature profiles on the fiber. The possibility of efficient external control over the dissipative structure geometry is also demonstrated.     

关于光激射器的线宽

本文从描述光激射器工作的基本方程出发,讨论了光激射器光束线宽的“短期”(short-time)部分。通常都以下式描写这部分线宽:△v_s=(8πhv(△v′)²)/P,(1)其中△v′是谐振腔电磁模的半宽度;v为光束频率;P为输出功率。我们的主要结论可以归结为以下三点:(1)线宽主要是由与电磁模耦合的耗散体系引起的,与分子耦合的耗散体系的贡献是可以忽略的;(2)在单模近似下,只要分子的线宽比电磁模的线宽大得多,则(1)式是正确的;(3)如果多模谐振腔中激发模与其他模之间的相互作用是强的,则式(1)将被推广为 △v_s=(8πhv(△v′)²)/P+(4hv(△v′))/P somefromn=(λ′≠λ)(r_λλ′²/(rλ′),(2) 其中r_λλ′是相关弛豫系数;r_λ′是模λ′的线宽。在某些情况下,式(2)中第二项可以比其第一项还大。所以,这可能是目前关于线宽的实验结果与由式(1)计算结果不相符合的原因之一。     

Low temperature linear dynamical susceptibility of dipolar spin glasses

The dissipative part of the linear magnetic dynamic susceptibility of dipolar spin glasses is considered. Due to the transition of the system (at enough high concentration of the magnetic dipoles) from a paramagnetic phase to a magnetic dipolar one, an anomalous temperature dependence of the dissipative part of the magnetic susceptibility is found. Some considerations related to the experimental results for LiHo_xY _1?xF₄ are made.