α-和β-碘酸锂晶体在水溶液中的形成条件和相对稳定性

精确地测定了α-碘酸锂(LiIO₃)(六角晶系)与β-碘酸锂(四方晶系)两种晶体在水中的溶解度和过溶度曲线。所得数据表明,温度对两者的亚稳区有重要的影响。低于50℃,较容易自发形成β相晶体;50℃以上则α相较易自发成核。当两相共存于溶液中时,α晶体在60℃以下稳定;高于此温度则β晶体较稳定。应用这些结果满意地解释了培养和生长α-碘酸锂的实验中所观察到的各种现象,进而还指导了生长工作实践。     

α—碘酸锂晶体的空间生长

文章报道了三次α－碘酸锂晶体空间生长实验．该实验是在我国返回式科学技术探测卫星上完成的．为研究空间微重力环境对于晶体生长和物性的影响，应用Ｘ射线衍射、Ｘ射线形貌、Ｘ射线荧光分析、光学透过率和介电测量等技术，对在微重力和常重力条件下生长的晶体结构、完整性、杂质分布以及介电常数等参数进行了研究．研究结果表明：微重力条件下，晶体中β－碘酸锂的含量比地面低；微重力对α－碘酸锂的晶体形态和结构没有影响；微重力条件下生长的晶体的完美性优于地面晶体；微重力环境使碘酸锂晶体的介电常数增高     

α—碘酸锂晶体基础研究综述

碘酸锂(LiIO3)晶体在常温常压下有两种稳定存在的异型体:一种叫β-LiIO3,空间群为C44h(P42/n)[1],点阵常数a=9.733A,c=6.157A,属于中心对称类型;另一种叫a-LiIO3,其空间群为 C66(P63)[2],点阵常数 a=5.482A,c=5.171A,是电极性晶体. α-LiIO3不但作为一种优良的光学非线性材料[3,4]在国内外被广泛地应用,而且在我国将它用于超声探伤和超声测厚技术[5]取得了良好的结果,并且以在静电场作用下的一系列特殊性质而引人注目.我国科学工作者对α-LiIO3晶体作了深入的多方面的基础研究,现将结果概括如下: 一、α-LiIO3的绝对构型和旋光性…     

碘酸锂单晶的生长

本文报导了用恒温蒸发方法从水溶液中生长非线性光学材料α碘酸锂单晶的一些结果和有关现象,包括溶解度数据,晶种培育步骤,生长大单晶的经验以及异型体β－ＬｉＩＯ３晶体的出现条件,较着重地叙述了α－ＬｉＩＯ３Ｚ轴两端生长率的差异,溶液的ｐＨ值与温度等因素对三个方向的相对生长率和晶体楔化度的影响,晶种切型等与晶体宏观缺陷的关系．此外,采用了ｘ射线反常散射方法测定晶体的绝对构型,验证了快生长端是α－ＬｉＩＯ３的正电极．     

碘酸锂晶体生长的辩证法

一九六九年底,在无产阶级文化大革命取得了决定性胜利、斗批改向深入发展的大好形势下,经过群众性的广泛调研和认真讨论,从我国激光技术发展的需要出发,我所确定了研制a碘酸理晶体的课题.正如恩格斯指出的:“社会方面一旦发生了技术上的需要,则这种需要就会比 数个大学更加把科学推向前进”.1)五年来,我们在研究工作中,注意了用唯物辩证法的普遍规律指导碘酸锂晶体的研究工作,基本认识了a碘酸锂单晶生长的规律,培育出质量良好的大单晶,不仅满足了本所的需要,为国内几十个单位提供了实验样品,并且由于对碘酸理晶体本质的深入认识而推动了有关…     

甲酸钠/甲酸锂溶液的拉曼光谱研究

结合实际晶体的生长条件,探讨了不同温度、不同过饱和度下的甲酸钠和甲酸锂水溶液的Raman光谱,对谱峰进行认定和Gaussian多峰值拟合。分析温度、浓度、过饱和度及阳离子效应对溶液结构的影响,并比较分析甲酸锂溶液结构和一水甲酸锂晶体结构的差异。结果表明：在实验的条件下, 浓度、温度、过饱和度对溶液结构影响微小;阳离子对谱峰位置影响显著。     

物理1972年第1卷第1-3期总目录

题 目 作 者 页数 期数2.5埃分辨率猪胰岛素晶体结构的研究……………………胰岛素结构研究小组(1)1在核反应的粗糙结构理论中靶核中的单个核子对平沟场的影响………………任庚未(19)1碘酸锂单晶的生长………………………中国科学院物理研究所碘酸锂晶体研究小组(28)1爆炸法人工合成金刚石………………中国科学院物理研究所　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　爆炸法人工合成金刚石小组(37)1　　　　　　　　　　　　　　　　北京砂轮厂一个可能的重质量荷电粒子事例…………………中国科学院原子能研究所云南站(57)20.01…     

高压对溶液中聚左旋乳酸单晶生长的影响

采用高压技术实现了500 MPa下聚左旋乳酸(PLLA)在稀薄二甲苯溶液中的单晶生长,采用透射电子显微镜、拉曼光谱和红外光谱对样品的结晶形态和结构进行了表征,考察了高压对聚左旋乳酸单晶生长行为的影响。结果表明,在相同的结晶温度和时间下,高压结晶PLLA的单晶仍为α-型晶体,但单晶尺寸明显大于常压样品;高压环境下PLLA分子链在晶核两端的生长扩散速率不同,容易形成非对称的菱晶形态;高压影响PLLA晶体中分子链的构象分布;在单晶生长期,高压诱导有利于PLLA晶体成核,但不利于单晶生长。     

静电场作用下α-碘酸锂单晶的透光异常现象

实验观察到,沿α-碘酸锂单晶的z轴向施加静电场,能使晶体的透射光呈现异常分布。观察到此变化与所加的z向电场大小及其与晶体电正极面之相对取向有关,而与入射光源的相干性无关。同时注意到现象的形成落后于施加电压的弛豫效应。当施加y向电场时无此效应。     

Cd1-x ZnxTe晶体退火条件的选择及Zn压对退火晶体质量的影响

采用传统Bridgman方法和加入accelerated crucible rotation technique的Bridgman(缩写为ACRT-B)方法生长的Cd1-xZnxTe(x=0.04)晶体中存在有点缺陷、位错、杂质和Te沉淀等缺陷.为了减少甚至消除这些缺陷,必须将生长后的CdZnTe晶片在Cd气氛下退火.从Cd-Te和Cd0.96Zn0.04Te的P-T相图出发,详细讨论了CdZnTe晶体的气-固平衡条件,并以此为依据选择退火条件,对ACRT-B法生长的Cd0.96Zn0.04Te晶体进行了退火实验研究.实验结果表明,气氛中的Zn压在一定程度内高于平衡压力有利于晶体中多余Te向晶体表面扩散,即有利于消除Te沉淀.但过高的Zn压会使晶体表面成分偏离原始的化学配比.此时,晶体表面与气氛强烈的原子交换,将造成严重的表面损伤,形成一层结晶质量很差的表面层.同时,Zn原子向晶内的扩散,抑制了退火过程中晶内杂质向晶体表面的扩散.因此,在较低的Zn压下退火(但仍处于气-固平衡范围内),能排除晶内杂质.通过仔细研究不同条件下退火后晶片的结晶质量和断面成分分布,可以认为CdZnTe晶体的退火可分为去沉淀相退火、去杂质退火和均匀化退火几种,最佳的退火工艺应是多步骤、多阶段的组合退火工艺.     

邻苯二甲酸氢铷晶体中锥面包裹的形成及其结构之间的关系

本文从邻苯二甲酸氢铷(RAP)单晶的微观结构特性,讨论了晶面上特征层状包裹形成的结构影响因素。晶体内部的三种类型的微观结构隧道在一对特定的快速生长晶面作用下俘获母液中的杂质,是包裹形成的主要机理。本机理所预计的与实验观测结果符合较好。 关键词：     

静电场作用下α-碘酸锂单晶中子衍射的增强

在实验中观察到,沿α-碘酸锂(LiIO₃)单晶的z轴向施加不大的电压(1/4cm厚的晶片加电压1V),就能使某些晶面的中子衍射强度显著增大;同一晶片上加电压1500V时衍射强度增到七倍左右。与此同时,还观察到衍射峰摇动曲线变宽和强度变化的弛豫过程,低频交变电场和压电谐振也能导致衍射束增强,但不如直流场的作用明显。     

静电场作用下α-碘酸锂单晶中子衍射的增强(Ⅱ)

在以前工作的基础上,继续作了以下的实验:(1)在低温条件下测定了α-碘酸锂单晶在静电场中的衍射情况,观察到在～180K以下出现“冻结”现象,即加上电场并不能使衍射增强,撤去原在室温所加的电场后衍射强度也并不减弱;(2)用狭束中子探测了加静电场后晶体的不同部位,观察到衍射增强是体效应而不是表面层效应;(3)测定了低频交变电场对晶体中子衍射强度的影响,衍射束增强的程度随频率的下降而加大,频率在1500Hz时衍射束的增强已不明显。     

溶液中晶体生长动力学的MC计算机模拟研究

用蒙特卡罗计算机模拟方法研究了溶液中晶体表面的生长台阶和生长动力学,着重讨论了表面尺寸、表面粗糙度以及溶液过饱和度对晶体生长速率的影响以及相应的生长机制.     

在D_2O溶液中DKDP晶体两相稳定区的研究

磷酸二氢钾(KH2PO4简称KDP)中的氢被其同位素氘取代后,所形成的磷酸二氘钾(KD2xH2-2xPO4简称 DKDP),具有两种晶相.一种属四方结构,空间群为　　,称为四方变体.另一种属单斜结构、空间群为　　;,称为单斜变体. 单斜晶体在空气中很不稳定,由于空气中的水气与晶体中氘的交换作用,透明晶体变模糊,进而变白松散,结果单斜结构转化成四方结构. 常用的DKDP晶体是四方变体.它具有优良的电光性能.在空气中物理、化学性能稳定,因此在激光调制、偏转和倍频等技术中得到广泛应用。 通常采用降温法培育四方DKDP晶体时,单斜相容易自发结晶和优先…     

导模法生长铌酸锶钠锂单晶并验证相图

引 言 铌酸锶钠锂(简称 SNL) 单晶是5+1型的钨青铜结构的铁电体[1],由于它具有半波电压低、温度系数小的特性[2],近年来一直受到人们的重视.已经用提拉法生长了这种晶体[3]并测试了它的物理特性[4],证明温度系数对晶体中的锂含量是敏感的,增加晶体中的锂含量可使温度系数在较宽的温度范围内近似为零.用提拉法生长时,锂的分凝系数远小于1[3],而用导模法生长时能改善分凝系数[5],使晶体中的锂含量比用提拉法生长时有显著增加,从而可进一步改善晶体的温度系数.另外,采用导模法生长时固液界面高度是不变的,晶体不转动,因而熔体热对流的影响可…     

触媒组分对高温高压金刚石大单晶生长及裂纹缺陷的影响

本文利用六面顶压机,在5.6 GPa, 1250—1450℃的高压高温条件下,分别选用FeNiCo和NiMnCo触媒合金开展了金刚石大单晶的生长实验,系统地考察了触媒组分对金刚石单晶裂纹缺陷的影响.首先,通过对两种组分触媒晶体生长实验对比发现,金刚石大单晶裂纹缺陷出现的概率与触媒组分相关联.同NiMnCo触媒相比, FeNiCo触媒生长的金刚石单晶更容易出现生长裂纹.我们认为,这与FeNiCo触媒黏度高、流动性差、碳素输运能力差、生长中晶体比表面积大,进而导致其对生长条件稳定性的要求较高有关.其次,两种触媒极限增重速度和生长时间的关系曲线表明,相同生长时间条件下, NiMnCo触媒生长金刚石单晶的极限增重速度相对较大.再次,扫描电子显微镜测试结果表明,裂纹缺陷的出现与否同晶体表面平整度的高低无必然联系,表面平整度高的金刚石单晶内部也可能存在裂纹缺陷.最后,经对金刚石单晶傅里叶微区红外测试结果进行分析,得出了氮杂质含量的高低与金刚石单晶裂纹缺陷的出现与否无内在关联性的研究结论.     

静电场中的α-LiIO_3单晶沟道效应实验

自从杨桢等发现在静电场中α-LiIO3单晶的中子衍射[1]有异常现象以来,我国科学工作者对α-LiIO3相继进行了在静电场作用下的介电常数[2]、光的衍射[3]、X射线衍射[4]等方面的研究,都发现了不同程度的异常现象[5].理论工作者也进行了相应的研究.目前倾向性的看法是,认为这种异常     

籽晶尺寸对宝石级金刚石单晶生长的影响

本文在国产六面顶压机上,在5.6 GPa, 1250—1450℃的高压高温条件下,分别选用边长0.8, 1.5和2.2 mm三种尺寸的籽晶,系统开展了Ib型宝石级金刚石单晶的生长研究.文中系统考察了籽晶尺寸对宝石级金刚石单晶生长的影响.首先,考察了籽晶尺寸变化对宝石级金刚石单晶裂晶问题带来的影响.研究得到了籽晶尺寸变大,裂晶出现概率增加的晶体生长规律.其次,在25 h的生长时间内,考察了上述三种尺寸籽晶生长金刚石单晶时,生长时间与单晶极限生长速度的关系.得到了选用大尺寸籽晶,可以提高优质单晶合成效率、降低合成成本的研究结论.借助扫描电子显微镜和光学显微镜,对三种尺寸籽晶生长金刚石单晶的表面形貌进行了标定.最后,傅里叶微区红外测试,对三种尺寸籽晶生长宝石级金刚石单晶的N杂质含量进行了表征.研究得到了选用大尺寸籽晶实现快速生长金刚石的同时,晶体的N杂质含量会随之升高的晶体生长规律.     

高温高压下氮氢协同掺杂对{100}晶面生长宝石级金刚石的影响

在压力为5.5–6.2 GPa, 温度为1280–1450 ℃的条件下, 利用温度梯度法详细考察了氮氢协同掺杂对100晶面生长宝石级金刚石的影响. 实验结果表明伴随合成腔体内氮、氢浓度的升高, 合成条件明显升高, 金刚石生长V形区间上移; 晶体的红外光谱中与氮相关的吸收峰急剧增强, 氮含量可达2000 ppm, 同时位于2850 cm^-1和2920 cm^-1对应于 sp³杂化 C–H 键的对称伸缩振动和反对称伸缩振动的红外特征峰逐渐增强, 表明晶体中既有高的氮含量, 同时又含有氢. 对晶体进行电镜扫描发现, 氮氢协同掺杂对晶体形貌影响明显, 出现拉长的{111}面, 且晶体表面上有三角形生长纹理. 拉曼测试表明, 晶体的峰位向高频偏移、半峰宽变大, 说明氮、氢杂质的进入对晶体内部产生了应力. 本文成功地以{100}晶面为生长面合成出高氮含氢宝石级金刚石单晶, 在探究氮氢共存环境下金刚石生长特性的同时, 也可为理解天然金刚石的形成机理提供帮助.