合成扫速对聚苯胺电极电容性能的影响

采用循环伏安法在不锈钢网上合成了导电聚苯胺(PANI)。研究了合成扫速分别为5,10,20,50,100 mV/s时聚苯胺电极的性能。结果表明,扫速为5 mV/s时生成的聚苯胺膜孔隙最小,比表面积最大,电阻最小,具有最好的电容性能,在0.1 A/g和1 A/g充放电电流密度下,其比容量分别达860 F/g和485 F/g。     

聚苯胺电致变发射率器件的制备及性能研究

本文采用电化学聚合方法制备了基于聚苯胺的电致变发射率器件,对器件的电致变色性能,电致变发射率性能及器件响应时间和循环使用寿命进行了研究.研究结果表明:器件在可见光波段具有良好的电致变色性能,不同电压下器件颜色在黄绿、深绿及蓝黑之间可逆变化;器件呈柔性,在工作状态下可弯折,具有一定的颜色记忆效应.发射率测试表明,不同电压下器件在8～12 μm波段平均发射率的变化幅度为0.23.器件在室温条件下的响应时间为秒级,具有一定的循环使用寿命.     

氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的显示特性

采用电子束蒸发工艺研究氧化钼掺杂氧化电致变色薄膜的显示特性。对氧化钼掺杂氧化钨电致变色薄膜的光谱特性、响应特性和循环伏安特性等显示特性进行了测试。     

十二烷基苯磺酸掺杂聚苯胺的气敏性能研究

以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法分别在十二烷基苯磺酸(DBSA)和盐酸中合成了聚苯胺(PAn),并用傅里叶红外光谱和TGA-DTA技术对聚苯胺掺杂前后的结构变化和热稳定性进行了分析。研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明:十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺,比普通盐酸掺杂的聚苯胺对目标气体具有更好的灵敏性。当r(S:N)为0.4～0.5时,在室温下其对1000×10-6NH3的灵敏度达到了10.43,响应时间为30s,恢复时间为3min。且与盐酸相比,十二烷基苯磺酸掺杂的聚苯胺具有更好的环境稳定性。     

反射型聚苯胺基柔性电致变色器件的研制

采用循环扫描伏安法在Au/Cr/PET复合基底上聚合出聚苯胺(PAN)膜,设计并制备了基于PAN的反射型柔性电致变色器件(ECD)。研究了该ECD反射光谱的电压响应特性。结果显示,所得PAN具有晶体结构,微观上呈直径约60nm的纤维网形态,与Au/Cr/PET基底结合良好;该ECD的反射光谱曲线的波长选择性,在-0.4～+1.8V电压范围内随电压增加而逐渐明显,反射率峰值出现的位置由476nm移至584nm,表现出良好的电致变色响应特性。     

用光散射法研究WO3膜的微粗糙结构及其对变色特性的影响

本文使用光散射空间分布自动测量系统对由热蒸发得到的电致变色层ＷＯ３的散射及微粗糙结构分析作了测量和分析。依据实验结果探讨了该结构与其变色特性的关系。     

质子酸掺杂聚苯胺的制备及其常温气敏性能

以苯胺为单体,过硫酸铵为氧化剂,采用化学氧化聚合法,在酸性介质中合成了聚苯胺。并用FT-IR光谱和UV-Vis光谱对聚苯胺掺杂前后的结构变化进行了分析,研究了不同质子酸掺杂对聚苯胺气敏性能的影响。结果表明,经质子酸掺杂后的聚苯胺,在室温下对NH3具有较好的灵敏度,其中结果最好的1mol/LH2SO4掺杂的聚苯胺对500×10–6NH3的灵敏度达到了10.86。     

有机磺酸掺杂聚苯胺的光电性能

对十二烷基苯磺酸（ Ｄ Ｂ Ｓ Ａ） 掺杂的聚苯胺进行了光电性能测试,结果表明： Ｄ Ｂ Ｓ Ａ 掺杂的聚苯胺在光照射下,光生载流子明显增大;感光材料的加入有利于聚苯胺在可见光区的吸收,并增加其导电性。对 Ａｌ－ Ｐ Ａｎ － Ｄ Ｂ Ｓ Ａ－ Ａｌ 结构的介电弛豫研究表明,在 Ｄ Ｂ Ｓ Ａ 掺杂聚苯胺的薄膜中存在空间电荷极化现象。通过理论计算与测试得知,掺杂态聚苯胺的寿命为微秒级, 迁移率为１ ×１０ － ３ ～１ ×１０ － １ ｃｍ ２／（ Ｖ·ｓ） 。从聚苯胺的电导率与温度关系中得到该材料的活化能,并分析了掺杂态聚苯胺的导电机理。     

全固态聚苯胺-二氧化钛电致变色器件的制备

以聚苯胺(PANI)为电致变色材料,分别制备了对称结构(SSECD,ITO‖PANI‖解质‖PANI‖lTO)和非对称结构(ASECD,ITO‖PANI‖电解质‖TiO<,2>‖ITO)的全固态电致变色器件.TO<,2>薄膜的制备采用提拉法.经500℃处理后得到锐钛矿结构,所得薄膜由粒径10-20 nm的TiO<,2>...     

Al掺杂对ZnO薄膜形貌和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱;同时,颗粒形貌由不规则向规则球形转变且尺寸逐渐减小;PL谱中的近紫外发射峰和晶格缺陷峰值随掺杂浓度的升高先增大后降低;由UV-vis吸收光谱可知,AZO薄膜在设定波长内的光吸收处于波动状态,且当Al掺杂浓度为3%时,光吸收强度最高,禁带宽度减小到3.12eV。     

磁控溅射制备ZnO薄膜及其掺杂的研究

利用磁控溅射制备了纯ZnO薄膜,并在NH3O-2A-r气氛中溅射Zn靶实现了ZnO薄膜的N掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了Al掺杂和N+Al掺杂样品。原子力显微镜(AFM)观察显示各ZnO薄膜样品具有较好的晶粒分布,退火处理能够显著提高薄膜的结构状态,N+Al共掺杂样品具有较好的表面平整度;在438cm-1附近观察到了喇曼谱特征峰;透射光谱揭示了激子的吸收特征和掺杂样品的吸收边向短波方向移动;发射光谱测试表明,掺杂样品比未掺杂样品有更强的紫外发射;同时分析了ZnO薄膜的掺杂机理。     

Bi2SiO5 Doping Concentration Effects on the Electrical Properties of SrBi2Ta2O9 Films

In this paper, we investigated the microstructure and electrical properties of Bi₂SiO₅ (BSO) doped SrBi₂Ta₂O₉ (SBT) films deposited by chemical solution deposition. X-ray diffraction observation indicated that the crystalline structures of all the BSO-doped SBT films are nearly the same as those of a pure SBT film. Through BSO doping, the 2Pr and 2Ec values of SBT films were changed from 15.3 μC/cm² and 138 kV/cm of pure SBT to 1.45 μC/cm² and 74 kV/cm of 10 wt.% BSO-doped SBT. The dielectric constant at 1 MHz for SBT varied from 199 of pure SBT to 96 of 10 wt.% BSO-doped SBT. The doped SBT films exhibited higher leakage current than that of non-doped SBT films. Nevertheless, all the doped SBT films still had small dielectric loss and low leakage current. Our present work will provide useful insights into the BSO doping effects to the SBT films, and it will be helpful for the material design in the future nonvolatile ferroelectric memories.     

氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

采用电容结构研究了氟(F,Flourine)掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明,氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键,使非晶薄膜漏电降低两个数量级,同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长,增长系数为0.0375 K^-1,击穿电压随温度线性减小,系数为0.012 V·K^-1。     

聚乙二醇含量对纳米TiO2多孔薄膜性质的影响

以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇（PEG）作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜．通过ESEM,AFM,UV-VIS,N2吸附,XPS和XRD等测试手段研究了PEG（1000）的加入量对薄膜结构及性能的影响．结果表明,当100mL溶胶中PEG的加入量在4.0g左右时,可以得到三维扩展的多孔结构,孔的形状规则且分布均匀,孔径为200～500nm,薄膜比表面积可达76.1m2／g,而过多的PEG加入量反而导致薄膜性能下降．     

Cu掺杂对ZnO氧化物电子结构与电输运性能的影响

采用平面波超软赝势密度泛函理论计算的方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能。计算结果表明,Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cup态、Cud态和Op态电子构成,且他们之间存在着强相互作用。电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cup态、Cud态、Op态电子完成,且需要载流子（空穴和电子）跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小。     

锌离子掺杂的氧化钛薄膜的湿敏性能研究

采用溶胶-凝胶法在印有梳状银电极的石英玻璃表面制备了不同含量锌离子掺杂的氧化钛薄膜,通过烧结制得一系列湿敏元件,研究了锌离子掺杂量、烧结温度和工作频率对薄膜湿敏性能的影响.研究结果发现,较低的工作频率下元件的湿度敏感性能较好.随着锌掺杂量的增加,湿敏性能降低,表现在湿度敏感点升高,阻抗随湿度的变化幅度减小.相同掺杂量下,随着烧结温度的升高,元件的湿敏性能呈现先改善后恶化的趋势.     

聚苯胺混杂型电化学电容器研究

采用聚苯胺在改性活性炭表面原位聚合方法,制备了聚苯胺活性炭复合物。研究了活性炭与苯胺在不同配比下制得的复合物的比容量,结果表明:当活性炭占复合材料的质量比为14.9%时,复合物的比容量为191.8F/g,比相同条件下制得聚苯胺的比容量提高了56%。以该复合物为电化学电容器的正极材料,以改性活性炭为其负极材料,电解液为6mol/L的氢氧化钠水溶液,组装了原型电化学电容器。该电容器的比能量可达8.7Wh/kg,比功率可达878W/kg。     

低阻抗聚苯胺铝电解电容器的研究

采用化学氧化法合成可溶性导电聚苯胺,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,研制了一种新型导电高分子固体铝电解电容器。其额定工作电压DC6.3V,标称电容量1000μF,tgδ≤0.036(100Hz,+20℃),漏电流IL≤20μA。此种电容器频率-阻抗特性优良,阻抗极低Z≤0.015?(100kHz,+20℃),并具有良好的温度特性和自愈特性。     

Cu掺杂对TaN薄膜的电性能影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备Cu掺杂的TaN薄膜。通过调节氮流量,研究了不同氮流量下Cu掺杂对TaN薄膜电性能的影响。由XRD结果可见,TaN薄膜中掺杂Cu可在2θ=54°出现Cu3N相,在2θ=57°出现CuN6相。氮流量的增加造成的结果:Cu掺杂的TaN薄膜厚度逐渐减小,薄膜的方阻和电阻温度系数(TCR)绝对值均增加。与无Cu掺杂的TaN薄膜的方阻和TCR作了比较,发现TaN薄膜掺杂Cu可有效改善薄膜的方阻和TCR。