二氯二氢硅终端纯化器的研制

采用化学改性的吸附剂和络合剂，能够有效地除去气体中的金属和硼、砷、磷等非金属杂质。纯化后的气体经气相色谱分析表明，化学改性的吸附剂和络合剂对二氯二氢硅无歧化作用。     

硅中氢杂质的研究

介绍了硅中氢杂质的基本性质，氢杂质和氧原子的作用，以及氢原子对其它杂质和缺陷电学性能的影响，几时指出了目前研究中有待解决的问题。     

硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.     

氢对硅中4d过渡杂质的钝化

本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂（Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｍｏ）引入深入中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度。从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(10 0 )衬底中,主要出现平行于正表面的{ 10 0 }片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{ 111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(10 0 )衬底中出现的{ 113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(10 0 )衬底中不出现.从而推测,{ 111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(10 0 )片状缺陷的形成将发射自     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.     

硅模拟集成电路

本文综述了国内外模拟集成电路的发展动态，叙述了国内模拟集成电路与国外的主要差距，针对国内的具体情况，提出了发展我国模拟集成电路的观点对策。     

氢与氧及氮钝化对多孔硅光致发光的影响

对多孔硅在NH3和O2中进行后处理的结果表明,SiH(O3),SiH(SiO2）,SiH2(O2),Si(NH)2和Si3N4结构的产生是实验中多孔硅稳定性提高的原因。     

硅基光电器件研究进展

在信息处理和通信技术中,光电子器件起着越来越重要的作用,然而,因为硅是间接湿润地导体,度图把光电子器件集成在硅微电子集成电路上却遇到很大困难,为解决这一困难,人们发展了多种与同电子集成电路兼容的光电子器件制造技术,本文介绍最近几年这方面技术的发展状况。     

全硅光电子集成电路的研究进展

全硅光电子集成电路具有与硅集成电路工艺的兼容性。通过使用便宜的硅材料和先进的硅大规模集成电路制造工艺，能以很低的成本实现光电子信息传递和处理的单片集成。文章在介绍了最近几年多孔硅发光器件在电致发光效率、稳定性和频率响应方面取得重要成果的基础上，叙述了基于多孔硅发光器件的全硅光电子集成电路的进展情况。     

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。     

硅槽刻蚀工艺研究

集成电路的发展使硅槽的应用越业越广泛，如硅槽隔离和槽电容等等，它们将使器件的性能得到很好的改善。