一种用于模数转换器的高性能差分参考电压源

介绍了一种可直接应用于模数转换器的低功耗、高性能差分参考电压源.它采用新型结构的带隙基准源产生高精度温度补偿的参考电流,参考电流通过跨导缓冲器直接转换成所需的差分参考电压.该差分电压精度高、温漂小、抗干扰能力强.电路选用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,芯片面积为250μm×350μm.经测量,电路功耗为0.9mW,输出差分参考电压的平均温度系数为9.5×10-6K-1.     

用于流水线ADC的全差分参考电压电路

为了实现流水线ADC的带隙基准电压低于1 V和降低参考电压电路的功耗,提出了一种新的全差分参考电压电路。在传统带隙基准的基础上,该参考电压电路增加了MOS管基-射极电阻,可根据电阻的比例系数来调节输出带隙基准电压。采用电流模电路,实现了单端信号转差分信号,结构简单。采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计与仿真,结果表明,温度为25 ℃时,该电路的参考电压VREFP和VREFN分别为1.156 V和0.656 V。在-40 ℃~125 ℃范围内变化时,参考电压的波动小于6 mV,温度系数小于4.6×10-5/℃。低频时,电源抑制比为115 dB。该参考电压电路应用于高清视频信号处理的流水线ADC中,能实现170 MS/s、10位精度的数模转换。     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.     

一种高性能CMOS带隙电压基准源设计

采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能CMOS带隙电压基准源电路,其输出电压为0.20～1.25V,温度系数为2.5×10-5/K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器.采用Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为645μm×196μm.     

一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计

本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理，设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源。本电路采用温度补偿，从而使设计得到了简化。采用2μmp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性。     

一种高性能带隙基准电压源设计

在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-35～125℃范围内,达到平均低于2×10^-6/℃的温度系数。整个电路采用SMIC的标准的0.35μm CMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。     

一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计

文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.     

一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计

本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。     

一种高精度电压基准源设计方法

高精度带隙基准源是高性能模拟和数模混合集成电路的重要组成部分,其精度影响了整个系统的稳定。基于此,对带隙基准源的高阶温度补偿和分段曲率补偿原理进行了分析,设计了一种新颖的基于亚微米工艺的带隙基准源并获得了极低的温度系数。     

一种高阶温度补偿的带隙基准电压源

基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源。采用源极、漏极与栅极短接的PMOS管替代传统基准电压源中的PNP管,增加了高温区域曲率补偿电路和低温区域温度分段补偿电路。该带隙基准电压源获得了低温漂的性能。仿真结果表明,在-40 ℃~125 ℃温度范围内,该带隙基准电压源的温度系数达到1.997×10-6/℃,在频率为1 Hz、10 Hz、100 Hz、1 kHz、100 kHz时,分别获得了-77.84 dB、-77.84 dB、-77.83 dB、-77.42 dB、-48.05 dB的电源抑制比。     

一种高精度的CMOS带隙基准源

设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响。整个电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,使用HSpice仿真器进行仿真,仿真结果证明此基准电压源具有很高的电源电压抑制比和较低的温度系数。     

一个高精度低温漂的带隙基准源

文章对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结,重点分析了温度补偿原理。在对传统温度补偿技术改进的基础上,采用低失调电压运算放大器,融合了熔丝烧写调整电压技术,提出了一个温漂低于15×10-6℃-1的改进型带隙基准源电路。整个电路采用CSMC0.5μm工艺设计,采用Hspice进行仿真。为补偿工艺偏差,输出电压及输出电压的温漂均可通过铝熔丝烧写来调整。     

低功耗高抗噪性差分基准电压源的设计

提出了一种新颖的差分放大器拓扑结构,适用于单片集成模数转换器中的差分电压基准源.该结构经过电压、电流两级放大,实现了高开环增益和大电流驱动能力.本设计在德国XFAB公司的0.35 μm CMOS工艺上实现,芯片实测结果为:在3.3 V电源电压下,该基准源的抗噪性为120 dB@80 MHz,增益误差小于2 mV,功耗仅为1.1 mW,具有低功耗、高精度和高抗噪性能.     

一种高性能双极工艺带隙基准电压源的设计

模拟电路一般包含电压基准和电流基准,这种基准是直流量,它与电源和工艺参数的关系很小,但与温度的关系是密切的.产生基准的目的是建立一个与电源和工艺无关、具有确定温度特性的直流电压或电流.文章提出了一种基于2 μm双极工艺设计的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单、性能好.用模拟软件进行仿真,其温度系数为30×10-6/...     

一种高精度高电源抑制比的带隙基准电压源的设计

设计了一种具有良好稳定性和高精度的带隙基准电压源电路。通过启动电路和提高电源抑制比电路的加入,使得带隙基准电压具有较高的电源电压抑制比和较小的温度系数。HSPICE仿真结果表明,在电源电压V_(DD)=3．3V时,在-55℃～125℃的温度范围内,电路得到一个温度系数仅为17×10~(-6)/℃,电源抑制比(PSRR)为79dB的带隙基准电压输出。     

一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源

提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法.不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流,采用该复用方法,增加一次分段区间,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻.与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展.将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在-40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZBCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10-7/℃,实现了很高的精度.     

一种CMOS工艺低电压带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种低电源电压的带隙基准源.该带隙基准源电路采用非线性温度补偿,具有很高的温度稳定性.Hspice仿真结果显示,电源电压最低为1.2V时,在-40～135℃的温度范围内,输出电压在556.03～556.26mV之间变化,平均温度系数约仅为2.36ppm/℃,电源电压抑制比可达到90dB.     

一种高精度带隙基准源

基准电路在模拟和混合电路系统中是重要的模块,设计了一种高精度管带隙基准源。在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。     

一种带曲率补偿的低压高PSRR带隙基准源

基于SMIC 65 nm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低压高电源抑制比(PSRR)带隙基准电压源。采用带曲率补偿的电流模结构,使输出基准电压源低于1.2 V且具有低温漂系数。在基本的带隙基准电路基础上,增加基准核的内电源产生电路,显著提高了电路的PSRR。采用Cadence Spectre软件,在1.8 V电压下对电路进行仿真。结果表明,在1 kHz以下时,PSRR为－95.76 dB,在10 kHz时,PSRR仍能达到88.51 dB,在－25 ℃~150 ℃温度范围内的温度系数为2.39×10－6 /℃。