双极晶体管ΔVbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析，提出了提高测试精度的误差修正方法．以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究，结果表明：晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下，测试成本低，测量效率高．     

双极晶体管△Vbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管△VBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻△VBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

双极晶体管ΔV_(be)瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析,提出了提高测试精度的误差修正方法.以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究,结果表明:晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下,测试成本低,测量效率高.     

晶体管瞬态热阻的JT—1测试法

本文从晶体管瞬态热阻的测试原理出发,说明用JT-l晶体管特性图示仪测试瞬态热阻的原理方法、测试结果及误差分析。     

提高晶体管稳态热阻测量精度的经验

简单论述了大功率MOS晶体管稳态热阻的测量原理，以及实现快速测量的必要途径，重点叙述了解决测量结果重复性的建议。     

提高晶体管稳态热阻测量精度的经验

简单论述了大功率MOS晶体管稳态热阻的测量原理,以及实现快速测量的必要途径,重点叙述了解决测量结果重复性的建议。     

带内建二极管的彩电行管瞬态热阻的测量

本文以实验比较了一般功率晶体管和带内建二极管的功率晶体管的EB结的温度特性,分析了并联在EB结上的扩散电阻Rb对测量晶体管△V_(BE)E产生影响的原因.提出了带内建二极管的功率管△v_(BE)测量条件.     

硅双极晶体管低温电流增益模型修正

多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合．     

达林顿管瞬态热阻测试方法的研究

达林顿管是一种两级或多级的复合管。功率型的达林顿管的功率级是后极,而后极功率管的δVbe不能直接测量,所以,达林顿管瞬态热阻测量仪器的研发一直是一个的难点。从晶体管的瞬态热阻测量原理出发,研究了达林顿管的热阻测量方法。此方法也可以引申到达林顿管稳态热阻的检测中。     

用ΔVbe法对双极晶体管结温不均匀性的测量

考虑到结温分布不均匀的情况,对用ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究.当结温分布均匀时,测得的结温与测试电流无关;当结温分布不均匀时,小测试电流测得的结温高,大测试电流测得的结温低,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大.这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性.     

硅晶体管热阻测试系统

介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计     

混合型LIGBT／LDMOS晶体管瞬态响应的电荷控制模型

本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型。由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中双极晶体管宽漂移区的电导调制效应和瞬态电荷分布效应，利用保角变换求得抽出区导通电阻，从而获得归一化瞬态截止电流和瞬态截止时间及它们与漂移区长度的材料参数，特别是与两器件宽度经的关系，据     

硅晶体管热阻测试系统

介绍了硅晶体管热阻测试原理，以及硅热阻测试系统的硬件和软件设计     

高性能双极型集成电路晶体管

本文讨论作为集成电路元件的高性能双极型晶体管的现状和有关的工艺问题。     

低温低频低噪声双极晶体管

对双极晶体管的低温效应和低温低频噪声特性进行了研究。明确了双极晶体管的电流增益和低频噪声随温度的变化规律。指出低温双极晶体管获得最小噪声电压的途径。