光敏层电阻率非均匀分布对PSD定位影响的研究

采用数值方法对光敏层电阻率的非均匀分布及对位置敏感探测器(PSD)的影响进行了研究,结果显示,在现有的制作工艺保障最大电阻率变化不超过1%时,电阻率的非均匀分布对四边形PSD的非线性影响很小,相比较之下,其对一维PSD的影响要大的多。因此,光敏层电阻率的非均匀分布是造成一维PSD非线性的一个主要原因,而对于四边形二维PSD则不是主要原因。     

光电子技术与器件 光调制与器件

TN761 2005042912 铁电液晶光寻址空间光调制器响应速度的宏模型研究= Study on response velocity of ferroelectric liquid crystal op- tically addressed spatial light modulator by the macro-mod- el[刊,中]／王梦遥(西南交通大学计算机与通信工程学院．四川,成都(610031)),潘炜…／／光学技术,-2005,31 (1),-35-37 将铁电液晶(FLC)的本征电路模型扩展到以FLC为调制层,a-Si:H为光敏层的光寻址空间光调制器 (OASLM),建立了FLC-OASLM的宏模型。用电路方法     

光电子技术与器件

光探测与器件TL816.52007021602一种二维近红外枕形Si基位置敏感探测器研制=Fabrica-tion of a newtwo di mensional near infrared pincushion sili-con based position sensitive detector[刊,中]/戚巽骏(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,国家光学仪器工程技术研究中心.浙江,杭州(310027)),林斌…//光电子·激光.-2006,17(10).-1208-1211,1232建立一种新的Si基位置敏感探测器(PSD)光生电流理论模型,导出了PSD的光生电流、光谱灵敏度的表达式;研究了PSD光敏面各层厚度和Si O2薄膜厚度对PSD波长响应灵敏度的影响,认为p层的厚度…     

用于显示器件的溅射薄膜

利用溅射淀积技术直接得到可用于显示器件的透明导体和光导体薄膜。这些器件主要是以铁电陶瓷板或液晶层作为控制介质的光阀结构。淀积技术可以改进,以淀积在包括热敏材料在内的各种基片上。 溅射淀积的透明电极In_(2-x)Sn_xO_(3-y)(ITO)已被淀积在PLZT(锆钛酸铅镧)铁电陶瓷,玻璃和其他基片材料上。ITO薄膜具有极好的附着力,很坚固,而又易于抛光和刻蚀。对可见光透射很好,近红外的吸收由电导率控制。电阻率为3×10~(-4)Ω.cm的薄膜通常注积在热稳定的基片上,而电阻率为10~(-3)Ω.cm的薄膜很容易在热敏基片上得到。 溅射淀积的CdS在Ar莱塞的514.5nm谱线附近有光敏峰,其光导增益为4×10~3,唁电阻率大于10~7Ω.cm。类似的溅射淀积技术也用于制作以Cd_(1-x)Zn_xS为光导体的器件。Cd_(1-x)Zn_xS的组分是变化的,使薄膜的灵敏度峰值在400至500mm之间与莱塞辐射相配合。这些薄膜没有CdS那样的光敏性,但它们可以透过更多的可见光,对投射光源很不灵敏,所以可用于同时读出——写入系统,也能用于实时显示系统。Cd_(1-x)ZnS的暗电阻率决定于组分,但所有薄膜都超过10~(12)Ω.cm。     

PEMFC气体扩散层内PTFE含量及分布对气液两相流影响的LBM研究

基于数值重建的碳纸气体扩散层(GDL)三维微结构,采用格子玻尔兹曼方法(LBM)模拟了质子交换膜燃料电池(PEMFC)GDL内的气液两相流,详细研究了聚四氟乙烯(PTFE)含量及分布对GDL内两相输运的影响。计算结果发现:PTFE非均匀分布(靠近气流通道侧含量更多)时GDL内更容易积水;PTFE含量较多时GDL内积累的液态水含量较少。基于计算结果推导了气液两相相对渗透率,分析发现:PTFE含量及分布对气相相对渗透率影响较小;液相饱和度小于0.8时,PTFE含量较低时液相相对渗透率较高,而当液相饱和度大于0.8时,PTFE含量较高时液相相对渗透率较高;与PTFE非均匀分布时相比,PTFE均匀分布时液相相对渗透率较高。     

[Fe/Cr]多层膜及掺入Si中介层后的层间耦合和磁电阻效应

用真空蒸镀方法制备了［Ｆｅ／Ｃｒ］，［Ｆｅ／Ｃｒ／Ｓｉ］和［Ｆｅ／Ｓｉ］多层膜．研究了Ｃｒ层、Ｓｉ层和Ｃｒ＋Ｓｉ层厚度变化对层间耦合和磁电阻的影响．Ｆｅ层厚为２ｎｍ，Ｃｒ层厚度变化存在耦合振荡和巨磁电阻及其振荡．磁电阻值为１４.６％（４.２Ｋ）．在Ｃｒ层中加入一半Ｓｉ层或全部由Ｓｉ层替代，振荡消失，磁电阻减小到千分之几．根据掺Ｓｉ层后多层膜的电阻率变化，认为Ｓｉ加入使非磁层中自由电子数减少，随之极化效应也变弱，导致振荡消失，磁电阻大为降低 关键词：     

ST嬗变堆中心柱的中子学及中子辐照效应研究

基于先进核数据库ENDF/B-VI和计算机程序对ST嬗变堆中心柱的中子学及辐照损伤的二维分析计算结果，分别对中心柱导体因中子辐照影响而引起电阻率、电阻、电流和欧姆电阻功率等的沿径向不均匀分布，以及辐照损伤对中心柱热工水力问题及更换寿命的影响进行了分析和计算。结果表明，中子辐照直接改变了中心柱导体材料的电阻率分布。热工-水力学分析和计算表明，电流不均匀分布可显著地延长中心柱的使用寿命，并估算出ST嬗变堆中心柱设计的更换寿命大约8年。     

一种非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的计算方法

长距离磁绝缘传输线内电极偏心、感应腔注入电流非均匀分布引起电子鞘层边界偏心等非对称磁绝缘特性.电子鞘层边界是研究非轴对称磁绝缘特性的重要参数.本文提出一种计算非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的方法.通过引入角向非均匀分布的模数,将经典一维轴对称Creedon稳态磁绝缘理论推广应用于圆柱坐标系下二维(r,θ)平面.建立了感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘的二维Creedon物理模型,给出了非轴对称磁绝缘电子鞘层边界的数值计算方法和计算误差.当阴极角向磁场(阴极电流)角向分布满足余弦函数时,电子鞘层边界接近高斯分布.阴极电流角向不均匀程度越大,电子鞘层边界偏心程度越严重,计算误差越大.     

包层模耦合抑制的B/Ge共掺光敏光纤

光纤光栅的包层模耦合造成的布拉格波长短波长带损耗限制了光栅的使用范围,分析了同时具有下陷内包层和光敏内包层的光敏光纤可以在相当程度上抑制包层模耦合,并采用化学汽相淀积工艺制作了硼和锗共掺（B／Ge)的光纤,在其下陷内包层内也掺入了适量的硼和锗,具有一定的光敏性,经用相位掩膜法写紫外光纤光栅证实该光敏光纤不但具有较大的光敏性,而且确实抑制了包导模耦合。     

非掺杂型高效绿色磷光有机电致发光器件

在空穴传输层TCTA与电子传输层TPBi之间引入磷光染料Ir(ppy)3超薄发光层,制备了结构为ITO/MoO_3(2 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/Ir(ppy)3(xnm)/TPBi(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(80 nm)的非掺杂磷光有机电致发光器件。通过调控非掺杂发光层的厚度,详细研究了Ir(ppy)3层厚度对器件性能的影响。实验结果表明,当非掺杂发光层厚度为0.2 nm时,器件的性能最好,器件的亮度、效率和外量子效率分别达到26 350 cd·m~(-2)、42.9 cd·A~(-1)和12.9%。研究结果表明,采用超薄的非掺杂发光层可以简化器件结构和制备工艺,获得高效率的OLED器件。     

非均匀产热圆盘辐射状和树状冷却流道构形设计

基于构形理论和(火积)理论,建立三维稳态非均匀产热圆盘"盘-点"对流传热模型以研究产热非均匀分布对电子器件热设计的影响.以(火积)耗散率与耗功率的复合函数最小为优化目标,得到不同产热分布条件下圆盘内部辐射状和树状冷却流道的最优构形,并采用NSGA-Ⅱ算法对该多目标问题进行优化得到其Pareto最优解集.结果 表明:1)...     

自动机运动规律测试系统的研制

介绍了一种枪械自动机运动规律光电检测系统,该系统由光电位置探测器(PSD)、激光器、原向反射片、数据采集装置及专用测试软件等组成.随自动机同步运动的原向反射片反射激光光束,光束经光学系统聚焦于PSD的光敏面上,产生随光斑中心变化的电信号.信号经过调理、采集、处理后得出自动机运动规律.分析及实验结果表明:该系统响应速度满足自动机测试要求,位置分辨率可达0.044 mm.能在恶劣环境下,对10～150 mm范围内的枪械自动机进行速度和位移测试.测试方法具有非接触、高精度、操作简便等特点.     

磁流变加工对中频误差的影响

基于传统抛光的亚表面损伤层厚度,进行磁流变去除亚表面损伤层的实验以便验证在该加工方式下对元件中频误差的影响。计算机模拟结果及实验数据表明：磁流变加工的走刀间距会引起中频误差评价指标PSD曲线出现对应频率的峰值;抛光斑的不稳定性会引起PSD曲线出现不确定的次主峰;去除深度与PSD曲线峰值之间有近似的线性关系。采用磁流变作为亚表面损伤层的去除手段,元件的中频误差质量受加工参数影响很大。如果前级加工不佳导致留下的亚表面损伤层较深,用磁流变加工进行去除时会造成中频误差质量超过限定指标。1     

磁流变加工对中频误差的影响

基于传统抛光的亚表面损伤层厚度,进行磁流变去除亚表面损伤层的实验以便验证在该加工方式下对元件中频误差的影响。计算机模拟结果及实验数据表明:磁流变加工的走刀间距会引起中频误差评价指标PSD曲线出现对应频率的峰值;抛光斑的不稳定性会引起PSD曲线出现不确定的次主峰;去除深度与PSD曲线峰值之间有近似的线性关系。采用磁流变作为亚表面损伤层的去除手段,元件的中频误差质量受加工参数影响很大。如果前级加工不佳导致留下的亚表面损伤层较深,用磁流变加工进行去除时会造成中频误差质量超过限定指标。1     

磁化等离子体的纵向电阻率

从动力论方程出发,推导并讨论了磁化与非磁化等离子体的纵向电阻率。结果是:(1)各向同性磁化等离子体的电阻率约为非磁化者的1.5倍;(2)对各向异性的等离子体而言,磁化后的电阻率约与T_e⊥T_e‖^-5/2成正比,但非磁化时的电阻率则与T_e⊥^-1T_e‖^-1/2成正比。以上的差异主要是来自外磁场对电子运动轨迹的作用。同时本文亦论述了在讨论经典电阻率时,静态屏蔽作用是主要的,而动力屏蔽对电阻率的影响是可以忽略不计的。 关键词：     

梳状型高线性度一维位敏检测器

介绍了一种梳状型一维位敏检测器(PSD)的结构,对其工作原理进行了分析.比较测试了这种梳状结构(1mm×12mm)PSD与普通块状型结构(1mm×3mm)PSD的线性度,实验表明:梳状结构的PSD具有极高的线性度(均方根非线性为0.17%F.S)和较小的边缘失真.对影响一维PSD线性度的因素进行了分析,并对结果进行了讨论.     

Y123体系化学压强效应的63,65Cu核四极共振研究

我们研究了室温下系列Sr掺杂的Y(Ba1-xSrx)2Cu3O7-δ陶瓷样品的63,65Cu核四极共振谱.在YBa2Cu3O7-δ(Y123)中Sr2+的替代会在体系中产生化学压强效应,这种化学压强导致了CuO2平面的Cu(2)核四极共振信号向高频移动,而CuOx链层的Cu(1)核四极共振信号向低频移动.随着Sr2+掺杂的增加,Cu(2)和Cu(1)的核四极共振峰的峰宽都明显地变宽,同时还观察到一个新的Cu核四极共振峰.最后,我们给出了化学压强对超导转变温度的抑制的一些讨论,认为它与CuOx链层氧原子的部分无序导致的载流子非均匀分布或局域化有关.     

交流液晶光阀中光导膜的制备和特性测量

本文根据交流液晶光阀对CdS光导模的要求,采用真空热蒸发淀积以及淀积后的高温退火,掺铜敏化方法,制备了高暗电阻率、高光敏性,膜厚大于10μm的表面光洁、性能稳定的CdS光导膜.经测定,其直流暗电阻率大于10~9Ω-cm,交流亮,暗电流比在10~2数量级,交流光响应时间小于100ms.已基本上符合与液晶层的匹配要求.     

平面型大光敏元InGaAs线列探测器及其应用

采用晶格匹配的平面型InP／In瞄。Ga叫,As／InP外延材料,设计了一种大光敏元、带有保护环的InGaAs线列探测器。通过I—V9n,4试、扫描电容显微技术（SCM）测试,研究并确定了线列器件的盲元与保护环结构之间的关系。通过设计改进,解决了器件的盲元问题。24×1InGaAs线列短波红外探测在室温20℃、-10mV偏压下,暗电流密度约5nA／cm2。将光敏芯片密封在集成了热电制冷器（TEC）的金属管壳内,组件工作温度5℃,探测器响应光谱在1．0肚m～1．67肚m范围,平均峰值电流响应率为1．3A／W,平均峰值探测率为3．4×10他cm·Hz1/2／W,响应的非均匀性为1．5％。探测器经历一定条件的可靠性筛选试验后,性能未发生明显变化,并进行了航空机载成像应用,成像图片清晰。     

激光应用 激光生物学

Q631 2005042602 脉冲Nd:YAG激光对单层KB细胞损伤效应的研究= Effect of single pulse Nd:YAG laser irradiation on mono- layer KB cell cultures[刊,英]／陈虹霞(军事医学科学院放射医学研究所,北京(100850)),杨在富…／／激光生物学报,-2005,14(1),-12-16 观察了脉冲Nd:YAG激光照射体外单层培养KB细胞后的形态改变及损伤后KSP70,c-Fos的表达情况,初步