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在对数字合成扫频仪的硬件设计进行概述的基础上,描述了一种基于ISP1362的USB2.0接口设计方案,包括USB接口的硬件结构设计,USB固件程序、驱动程序以及应用程序的设计方法。实验表明,整个设计满足设计要求,传输速率可达33 Mbit·s-1。 相似文献
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对FPGA技术的优点进行了简单的介绍,针对传统数字扫频仪设计中存在的问题,提出了一种设计数字扫频仪的新方法:该方法采用AD9850产生低频、高精度扫频信号,将FPGA引入到硬制版的设计中,同时充分利用PC机强大的数据采集、处理、显示功能,实现了低频高精度数字扫描、被测网络幅频特性与相频特性的数字显示等。该系统的扫频范围:0.01Hz~1MHz,步长:0.01Hz。该方法具有可靠性强、灵活性大、开发周期短,便于携带等特点,具有很强的实用性,因而应用领域非常广泛。 相似文献
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选用了一种基于DSP与FPGA结构的新型射频扫频仪的设计方案,重点讨论了其扫频信号源的设计.分析了频率合成技术的发展趋势,介绍了PLL技术和DDS技术的原理,并在此基础上给出了以PLL+DDS方式实现的扫频信号源设计. 相似文献
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基于DDS技术的虚拟扫频仪的设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了基于DDS技术的虚拟扫频仪的硬件与软件设计,并详述了DDS技术以及用该技术实现扫频信号源的方法。利用该技术开发的虚拟扫频仪具有性能稳定、测试误差小、使用灵活方便等特点,可广泛应用于测试领域。 相似文献
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目前移动通信领域中设备研发、网络建设、网络优化的测试装置大多只支持单一的网络制式,同时面临扫频速度不够高的问题,为运营商带来诸多不便.提出了一种新型多模高速扫频仪硬件架构,支持各种网络制式,同时采用多通道基带处理方式显著提高了扫频速度,增加打点数目,反映了网络覆盖细节,为网络性能测试、网络优化测试提供了可靠的分析数据. 相似文献
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低频扫频仪的设计与制作 总被引:1,自引:0,他引:1
综合运用了单片机微型计算机、模拟电路、数字电路、液晶显示以及汇编语言等技术,系统解决了电子科研实验室缺乏频率在1MHz以下的扫频仪器的问题。 相似文献
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扫频仪,又叫“频率特性分析仪”,其实就是标量网络分析仪的前身。用它可以测量各种滤波器、高频放大器、天线等设备的频率特性。 相似文献
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本文基于TMS320F2812DSP芯片,设计并实现了一台音频数字扫频仪。采用SPWM调制方法,运用DDS原理寻址正弦表,使用DSP的GP定时器产生占空比按正弦规律变化的PWM波,将滤波调理后得到的扫频信号加到带阻网络输入端,再对带阻网络前后端信号采样,进行频域及时域求解,最后在上位机中绘制出幅频特性曲线。该数字音频扫频仪充分利用了DSP内部的资源,处理速度快,抗干扰能力强,扫频精度高。 相似文献
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衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域。随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高。文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果。测试结果表明在频率为DC~2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0~31.5dB,插入损耗IL<2.5dB,输入输出驻波比VSWR<1.4,衰减精度|△A_i|<(0.2+3%A_i)dB。附加相移|△φ|<3°,控制方式为TTL电平。 相似文献
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高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种高性能50MHz~20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗<5dB;最大衰减量>31dB;两端口所有态的电压驻波比<1.5;所有态衰减精度<±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°~20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz). 相似文献
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介绍了一种高性能50MHz~20GHz的超宽带5 bit GaAs数字衰减器的设计、制造和测试结果,并着重介绍实现超宽带的设计.该衰减器通过标准0.5μm离子注入工艺实现.最终的单片衰减器性能如下:插入损耗<5dB;最大衰减量>31dB;两端口所有态的电压驻波比<1.5;所有态衰减精度<±0.3dB;相位变化量(相对于基态)在-5°~20°之间;1dB压缩点输入功率22dBm(10GHz). 相似文献
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基于中芯国际40 nm CMOS工艺设计并实现了一种超宽带6位数字衰减器,其工作频率为10.4~28 GHz。该衰减器采用内嵌式开关型结构,6位衰减单元的设计采用T型、桥T型和π型三种拓扑结构。该6位衰减器可以实现0.5 dB的衰减步进,31.5 dB的动态衰减范围。采用大衰减量幅度补偿电路和高匹配特性的衰减位级联结构,衰减器在10.4~28 GHz的频段范围内具有平坦的64态衰减量,衰减器的整体前仿真插入损耗为1.73~2.08 dB,后仿真插入损耗为4.32~6.31 dB,64态的输入输出回波损耗均小于-10 dB。 相似文献
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设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减。经测试,在10 MHz~30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗<3.5 dB,衰减误差均方根值<0.45 dB。芯片总面积为2.30×1.20 mm^(2)。 相似文献