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1.
采用脉冲激光沉积(PLD)镀膜技术在倾斜10°的LaAlO3(100)单晶衬底上制备了(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m系列超晶格.在超晶格薄膜的XRD图谱中清楚地观察到周期调制的卫星峰结构.从卫星峰的分布计算了超周期,进而得到了在生长SrTiO3和SrTi0.8Nb0.2<
关键词:
3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格')" href="#">[(SrTiO3)n/(SrTi0.8Nb0.2O3)m]20/LAO(100)超晶格
激光感生热电电压
各项异性Seebeck系数
原子层热电堆 相似文献
2.
用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法研究了水分子对7个碳原子组成的一维原子链的输运性质的影响.碳原子链放在具有有限截面的Al(100)电极中.研究发现,碳原子链上的水分子的数目和放置的位置的不同将对体系输运性质产生很大的影响.特别是,单个H2O分子对碳链平衡电导的影响随其摆放位置的不同而出现奇偶振荡,例如,当位于奇数编号的碳原子上时,电导取极大值,当位于偶数编号的碳原子上时,取极小值.将两个H2O分子置于不同的碳原子正上方时,在不同的位置平衡电导相差很大,在某些特殊的情况下原本受到抑止的第三个本征通道也有较大的贡献.此外,还研究了放置两个水分子时,体系的电流-电压(I-V)特性,随着水分子的数目和放置的位置不同,某些情况可能出现较大幅度的负微分电阻,而在另一些情况下却没有出现.
关键词:
平衡电导
透射谱
负微分电阻 相似文献
3.
4.
基于微观相场模型与反演算法,研究了中Al浓度及温度对Ni75AlxV25-x合金沉淀过程的影响:在相同浓度下,L12与DO22结构的第一近邻原子间相互作用势随温度升高呈线性增加,两者呈正比的关系;但在同一温度下,L12(DO22)结构的第一近邻原子间相互作用势随Al原子浓度的增加而增加(减少).同时将反演得出的原子作用势代入微观相场模拟中,探讨中Al浓度合金沉淀序列与原子作用势的关系,即当L12的第一近邻原子间相互作用势大于(小于)DO22时,L12(DO22)优先析出;当L12和DO22的第一近邻原子间相互作用势相等时,两者同时析出.特别地,当Al原子的浓度等于0.0589时,发现L12和DO22同时析出.利用微观相场法反演原子间相互作用势,为判断中Al浓度合金的沉淀序列增加了可信度. 相似文献
5.
6.
采用密度泛函理论中的广义梯度近似对C60(CF3)n (n=2,4,6,10)几何结构和电子性质的变化规律进行了计算研究.发现在C60(CF3)4可能稳定存在的三种同分异构体中,具有p p p加成方式的衍生物热力学性质最为稳定;在C60(CF3)6可能稳定存在的三种同分异构体中,具有p p p m p加成方式的衍生物热力学性质最为稳定.对C60(CF3)2,C60(CF3)4,C60(CF3)6和C60(CF3)10四种加成衍生物的几何结构分析可知:随着CF3加成个数的增加,C60中的C—C平均键长逐渐变大,笼子与CF3之间连接键CC60—CCF3逐渐变大.对它们的电子结构分析可知,随着CF3加成数目的增多,反应热几乎是线性增加.而C60(CF3)n(n=2,4,6,10)分子的平均反应热在n=6处为极大值,说明C60(CF3)6应该是最容易得到的加成产物.由Mulliken电荷可知,加成的CF3个数越多,CF3与笼子的相互作用也就越强,每个CF3转移到笼子上电荷数也就越多.C60(CF3)n的自旋聚居数分布表明它们均为闭壳层结构.最后,从CF3对分子的前线轨道贡献可知,四种分子的得电子情况和失电子情况均发生在碳笼本身,并不随着CF3个数的增加而发生明显的改变.
关键词:
60(CF3)n (n=2')" href="#">C60(CF3)n (n=2
10)
几何结构和电子性质
密度泛函 相似文献
7.
运用密度泛函理论下的广义梯度近似和交换关联函数对Cu吸附(SiO2)n(n=1—8)团簇的几何结构、电荷分布、稳定性和电子性质进行了较详细的研究,结果表明: Cu原子易于和带有悬挂键的Si原子作用并形成"铜岛膜"; Cu吸附(SiO2)n团簇后Si原子失去电子能力减弱,O原子得到电子能力增强;Cu(SiO2)n(n
关键词:
密度泛函理论
2)n (n=1—8)团簇')" href="#">Cu(SiO2)n (n=1—8)团簇
近红外吸收 相似文献
8.
Tb$lt;sub$gt;0.3$lt;/sub$gt;Dy$lt;sub$gt;0.6$lt;/sub$gt;Pr$lt;sub$gt;0.1$lt;/sub$gt;(Fe$lt;sub$gt;1-$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;Al$lt;sub$gt;$lt;i$gt;x$lt;/i$gt;$lt;/sub$gt;)$lt;sub$gt;1.95$lt;/sub$gt;合金的磁性、磁致伸缩和穆斯堡尔谱研究
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系统研究了室温下Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95 (x=0.05,0.1,0.15,0.2,0.25,0.3)合金中元素Al替代Fe对结构、磁性、磁致伸缩性能和自旋重取向的影响.测量结果发现,x<0.2时Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金基本上是纯的单相,x=0.2时出现其他杂相,杂相随Al替代量的增加不断增多.随Al替代量x的增加,点阵常数a接近于线性增大,Curie温度TC逐渐下降,而矫顽力Hc急剧下降.振动样品磁强计(VSM)测量发现,磁化强度M随Al替代量x的变化较为复杂.VSM计和磁致伸缩效应测量共同表明,少量Al的替代有利于降低磁晶各向异性,而且随着Al替代量x的增多磁致伸缩系数快速减小,x>0.15时巨磁致伸缩效应消失.穆斯堡尔效应研究发现,随Al含量的增加Tb0.3Dy0.6Pr0.1(Fe1-xAlx)1.95合金中易磁化轴可能在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,发生自旋重取向,从而引起合金宏观磁性、磁致伸缩性能的变化.
关键词:
磁致伸缩
立方Laves相
自旋重取向
穆斯堡尔谱 相似文献
9.
10.
11.
用相干量子干涉和电磁感应透明(Electromagnetically induced transparency,EIT) 效应在Er3+:YAlO3晶体中计算得到了Thommen,Mandel和Kastel对原子气提出的Λ型四能级系统的负折射率.计算结果得到的负折射率对应的频带宽度约为1 MHz,比先前报道的103 Hz量级要宽得多.通常而言对应于折射/吸收比|Re[n]/lm[n]|≈1,而计算所得结果是|Re[n]/lm[n]|为4.6,表明吸收被EIT效应很好地抑制.Im[n]出现的负值可能与Er3+的4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射有关.由此可知,稀土离子掺杂材料具有丰富的能级和各种不同的电磁跃迁,也是电磁感应负折射率材料中出色的应用材料的候选者.
关键词:
稀土掺杂晶体
量子干涉
电磁感应透明
负折射率材料 相似文献
12.
使用B3LYP/6-31G(d)方法对有机太阳电池中作为电子受体材料的富勒烯衍生物苯基C71-丁酸甲酯([70]PCBM)的同分异构体进行了计算.PCBM与C70通过六元环和六元环共用的CC双键加成得到的产物是热力学控制产物;通过五元环和六元环共用的C—C键加成得到的产物则是动力学控制产物.[70]PCBM与C70的第一绝热电子亲和势很接近.PCBM对前线轨道贡献很小,[70]PCBM的最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道(LUMO)的电子云主要分布在C70笼上.PCBM提升了C70的LUMO能级水平,有利于提高太阳电池的光电转换效率.自然布居分析表明,PCBM与C70之间没有发生显著的电荷转移.所有的性质研究表明,PCBM基团并不涉及电池光电转换过程,但在调整C70能级水平提高光电转换效率中发挥了重要作用.
关键词:
71-丁酸甲酯')" href="#">苯基C71-丁酸甲酯
电子受体
结合能
第一绝热电子亲和势 相似文献
13.
利用等离子体增强脉冲激光沉积系统在Si(100)基底上沉积出了高质量的o-BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)和原子力显微镜照片对o-BN薄膜进行了表征.通过红外光谱(FTIR)得到o-BN薄膜的红外峰特征峰值为1189cm-1,1585cm-1和1450cm-1;由XRD谱得到o-BN薄膜的(111),(020),(021),(310)和(243)各晶面的衍射峰, 特别是(310)和(243)晶面的衍射峰非常强;通过原子力显微镜照片清楚看到BN薄膜具有尖状突起的表面形貌.
关键词:
等离子体增强脉冲激光沉积
氮化硼薄膜
X射线衍射谱 相似文献
14.
用耦合簇理论及相关一致五重基研究SiH$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;($lt;i$gt;X$lt;/i$gt;$lt;sup$gt;1$lt;/sup$gt;$lt;i$gt;A$lt;/i$gt;$lt;sub$gt;1$lt;/sub$gt;)自由基的解析势能函数
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运用单双迭代三重激发耦合簇理论和相关一致五重基对SiH2的基态结构进行了优化, 并在优化结构的基础上进行了离解能和振动频率的计算. 结果表明: SiH2的基态为C2v结构, 平衡核间距RSi—H= 0.15163 nm, H—Si—H键的键角α=92.363°, 离解能De(HSi—H)=3.2735 eV, 频率ν1(a1)=1020.0095 cm-1, ν2(a1)=2074.8742 cm-1, ν3(a1)=2076.4762 cm-1. 这些结果与实验值均较为相符. 对H2的基态使用优选出的cc-pV6Z基组、对SiH的基态使用优选出的aug-cc-pV5Z基组进行几何构型与谐振频率的计算并进行单点能扫描, 且将扫描结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数. 与实验结果及其他理论计算结果的比较表明, 本文关于SiH自由基光谱常数(De,Re, ωe, Be, αe和ωeχe)的计算结果达到了很高的精度. 采用多体项展式理论导出了SiH2(C2v, X1A1)自由基的解析势能函数, 其等值势能图准确再现了它的离解能和平衡结构特征. 同时还给出了SiH2(C2v, X1A1)自由基对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点, 对应于SiH+H→SiH2反应, 势垒高度为0.5084 eV.
关键词:
2')" href="#">SiH2
Murrell-Sorbie函数
多体项展式理论
解析势能函数 相似文献
15.
16.
采用基于密度泛函理论的广义梯度近似,对C60富勒烯-巴比妥酸及其二聚体的几何结构和电子结构进行了计算研究.发现:C60富勒烯-巴比妥酸只有一种稳定结构,且掺杂巴比妥酸基团对C60分子构型的影响是局域的.C60富勒烯-巴比妥酸的二聚体有三种同素异构体,分别以[6,5]—[6,5],[6,6]—[6,5]和[6,6]—[6,6]三种方式键合,从能隙大小顺序和总能相对大小来看,[6,6]—[6,6]结构最为稳定.电子结构方面,在C60富勒烯-巴比妥酸单体中,Donor-Acceptor电荷转移体系为C60富勒烯-巴比妥酸,即电荷是从C60向巴比妥酸转移.由前线轨道和自旋布居数得知,C60富勒烯-巴比妥酸单体很好地保留了C60的电磁性质,但稳定性下降,易发生二次加成反应形成二聚体.对于C60富勒烯-巴比妥酸二聚体,Mulliken电荷分析显示,在加成四元环处的碳原子分别得到0104e和0106e电荷,而与它们邻近的碳原子则失去电子,带有正电荷,且距加成位置越近的碳原子失去的电荷越多.在远离加成位置处,碳原子的净电荷变化相对较小.与单体152eV能隙相比,二聚体中的能隙为1.45eV.其前线轨道分布与单体相比,最高占据轨道几乎未变,但最低未占据轨道发生了很大变化.
关键词:
几何结构
电子结构
密度泛函 相似文献
17.
利用原位红外光谱研究标题化合物在N2中的反应行为。发现它们在不同温度下能使乙酸分别转化为丙酮和甲烷。它们对乙酸的丙酮化反应活性顺序:[V3OAT]>[VFe2OAT],[V2CrOAT]>[Fe3OAT],[VCr2OAT]>[Cr3OAT][OAT=(μ3-O)(μ-O2CCH3)6(THF)3]。它们对乙酸的甲烷化反应活性顺序:[Cr3OAT]>[VCr2OAT],[V2CrOAT]>[V3OAT]>[VFe2OAT],[FeO3OAT]。对乙酸的丙酮化反应活性[Fe3OAT]明显低于[Fe3OAH][OAH=(μ3-O)(μ-O2CCH3)6(H2O)3]。对乙酸的甲烷化反应活性[Cr3OAT]也明显低于[CrOAH]。并对上述[Fe3OAT],[Cr3OAT]与[Fe3OAH],[Cr3OAH]之间差异进行了讨论 相似文献
18.
用密度泛函理论的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G*基组水平上对[Mg(NH2)2]n(n=1—5)团簇各种可能的构型进行几何结构优化,预测了各团簇的最稳定结构.对最稳定结构的振动特性、成键特性、电荷特性等进行了理论研究.结果表明:团簇易形成链状结构,Mg—N键长为0.190—0.234 nm,N—H键长为0.101—0.103 nm,H—N—H键角为100.2°—107.5°;团簇中M
关键词:
2)2]n(n=1—5)团簇')" href="#">[Mg(NH2)2]n(n=1—5)团簇
密度泛函理论
结构与性质
储氢材料 相似文献
19.
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窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb1-ySryTe/PbTe/Pb1-xSrxTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明[100]取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时
关键词:
Ⅳ-Ⅵ族半导体
非对称量子阱
Rashba效应
自旋-轨道耦合分裂 相似文献