半导体、准分子激光器

本文报导作者在美国佛罗里达大学用MBE生长技术研制品格匹配的Al_x Ga_(1-x)As/GaAs单量子阱激光器,波长为820～850nm和In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变层单量子阱激光器,波长为900～1100nm,通过理论分析和MBE生     

半导体激光器与新材料

介绍了半导体激光器和半导体光电材料研究的新进展。     

半导体激光器中的光学灾变

介绍了用(NH4)2S和P2S5-NH4OH处理半导体激光器的表面来避免光学灾变的方法.重点介绍用氮离子注入形成窗口结构来避免光学灾变.     

半导体激光和光子脱毛临床疗效观察

目的:对半导体激光和光子脱毛临床疗效进行比较;方法:将治疗者随机分两组。治疗后分析脱毛效果。结果:对半导体激光和光子脱毛有效率无明显差异。     

外腔半导体激光器中的Chirp效应及噪声功率谱密度

本文从外腔半导体激光器修正的速率方程出发,导出了在存体激光器的相位噪声,强度噪声的功率谱密度以及在直接电流调制下的C腔、强反馈可以在很大程度上降低半导体激光器的噪声。     

水下激光通信中光子晶体窄带滤光器的应用

激光在海水中传输衰减很大,为了能在水下进行通信,可以采用水下滤光的方法,过滤出有用信号光,抑制掉大量背景光和干扰光,提高系统信噪比.为此,分析光子晶体的特性,设计一个一维光子晶体窄带滤光器,并研究了影响一维光子晶体滤光器滤波特性的多种因素.     

光注入半导体激光器中激光混沌的泵浦周期调制控制

该文用泵浦周期电流调制控制外部注入相干光场半导体激光器的激光混沌,发现在不同调制深度和调制频率范围内,能有效地控制激光混沌到稳定的周期轨道(极限环)上,而且能够把激光振荡频率锁定在调制频率上,且这种调制控制也可以使激光器显现不同的激光混沌波形变化。     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2002.63306-571 0309429用于波分复接通信的可调谐半导体激光器=Tunablesemtconductor lasers for WDM telecommunicatiotis[会,英]/Ackerrnan,D.A.& Johnson,J.E.//2001 IEEEInternational Conference on Indium Phosphide and Relat-ed Materials.—571～574(E)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2002-63306-342 0307097气体源分子束外延生长1.26μm GaInNAsSb 单量子阱激光器=1.26μm GaInNAsSb-SQW Lasers grown bygas-source MBE[会,英]/Shimizu,H.& Kumada,K.//2001 IEEE International Conference on IndiumPhosphide and Related Materials.—342～345(E)Y2002-63306-473 0307098具有改进高温特性的1.3μm量子点激光器=1.3μm     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62210-7 0012615超高吞吐量通信和信号处理系统用的以磷化铟为基础的飞秒器件=Indium phosphide-based femtosecond de-vices for ultrahigh throughput communications and signalprocessing systems[会,英]/Wada,O.//Proceedings of11th International Conference on Indium Phosphide andRelated Materials.—7～10(UC)为实现未来网络吞吐量进入1Tb/s 到10Tb/s 范围,超快速光电器件起着关键作用。文中讨论了超快速光通信和信号处理系统的需求,以及其所需器件。介绍了超快速以半导体为基础的光电器件(超短脉冲激光器和超快速全光学开关)的新进展。参26     

半导体激光器、集成光学激光器

0319657大功率 InGaAsP/InGaP/GaAs 激光器特性研究[刊]/李忠辉//固体电子学研究与进展.—2003,23(1).—11～13(D)介绍了无铝激光器的优点;利用 LP-MOVPE 生长了 InGaAsP/InGaP/GaAs 分别限制异质结构单量子阱(SCH—SQW)结构,讨论了激光器的腔长对特征温     

半导体激光器、集成光学激光器

0103628高占空比、高功率线阵二极管激光器封装技术[刊]/唐淳//强激光与粒子束.—2000,12(5).—544～546(L) 0103629915-980nm 应变量子阱激光器新进展[刊]/徐遵图//功能材料与器件学报.—2000,6(3).—293～296(K)报道了915～980nm 半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为7°和23°,组合件输出功率大于150mW。     

半导体激光器、集成光学激光器

SPIE-Vol.3626 01002131999年 SPIE 会议录.卷3626:半导体激光器的测试、封装、可靠性与应用(4)=1999 Proceedings of SPIE.Vol.3626:testing,packaging,reliability,and applica-tions of senticonducto lasers Ⅳ[会,英]/SPIE-the Inter-national Society for Optical Engineering.—999.—212P.(PC)本会议录收集了于1999年1月28日在美国加州圣何塞召开的半导体激光器测试、封装、可靠性与应用专题讨论会上发表的28篇论文,内容涵盖了激光二极     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62067-109 0009226InGaN-AlGaN 量子线及量子点激光器中激子跃迁形成的阈电流密度减少=Reduction of threshold currentdensity in InGaN-AlGaN quantum wire and quantum dotlasers due to excitonic transitions[会,英]/Huang,W.&Jain,F.//1998 IEEE International Conference on Opto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—109～115(EC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y98-61409-59 9913066利用双偏振发射外腔二极管激光器的光生毫米波数据传输=Data transmission on optically generated millime-ter-waves using a dual-polarization emission external cavi-ty diode laser [会,英]/Pajarola,S.& Guekos,G.//1998 Proceedings of the International Zurich Seminar onBroadband Communications.—59～62 (MaG)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62079-237 0019995电信用半导体激光器=Semiconductor lasers fortelecommunications[会,英]//1999 IEEE Coherence onLasers and Electro-Optics.-237～243(F)本部分收录6篇论文摘要。各自研究了锁模分布式 Bragg 反射器激光器,带有可控可饱和吸收体的三段分布式 Bragg 反射器激光器中高能脉冲的生成,可调分布式 Bragg 反射器激光器中长周期稳定性,分布式反馈激光器中随机小平面相位对光纤链路传输障碍的影响,半导体光放大器中多波长混合及其导致的一个预放大波分复用系统,能够使吉位局域网中多模光纤链路在850nm 增大带宽的一个单一器件。     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62067-392 0014365用以表征垂直腔表面发射激光器特性的测量自动化=Measurement automation for characterising vertical cavitysurface emitting Lasers[会,英]/Boros,V E & Rakic,A D//1998 IEEE Internatlonal Conference on Opto-electronic and Microelectronic Materials and Devices.—392～395(EC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y99-61822-95 2001951在色散光纤上微波产生和传输用线性调频激光二极管的模拟技术=Modelling of chirping laser diodes for mi-crowave generation and transimission over dispersivefibers[会,英]/Freude,W.& Palai,P.//InternationalTopical Meeting on Microwave Photonics.—95～98(UC)     

半导体激光器、集成光学激光器

Y2000-62027-198 0005586利用微型电子机械系统式微型镜面技术检测激光功率的方法=Laser power monitoring using MEMS mi-cromirrortechnology[会,英]/Agarwal,A.& Arney,S.//1999 IEEE International Reliability Physics Sympo-sium.—198～201(UC)