Al2O3：Cr荧光屏Fen+束流面分布诊断

为满足加速器束流诊断的特殊要求,对束流面分布诊断方法进行了研究,建立了一套基于荧光屏的离子束流面分布测量装置。采用Fen+(n=5~12)离子束流对测量装置进行了实验检验,结果表明,在几十至上百nA量级束流强度Fen+离子束的轰击下,面分布图像产生了饱和现象。进一步的实验结果表明,饱和现象是由荧光屏发光的光强过强造成的,采用特别研制的具有光强衰减和滤波功能的成像光路可以解决光强饱和的问题。在低束流条件下,面分布图像的灰度值与束流强度呈近似的线性关系,对这种线性关系产生的原因进行了具体的分析。     

DNB引出束流功率及剖面分布测量

 利用束流截止板热量计原理,测量了诊断中性束(DNB)注入托卡马克的束流功率及束流剖面分布。基于热量截止板上正交分布的13只K型热电偶探针测量出DNB引出束流,在加速极电源49 kV,6 A,100 ms的脉冲放电时,采样铜靶上的最高温升为14 ℃,从而计算出注入束流功率达到160 kW并得到束剖面分布。同时通过对热量截止板冷却循环水温升测量值在时间上的积分数值计算,也获得了注入束流总功率,为130 kW。分析了两种测量结果存在差异的原因,实验结果表明惯性束截止板热量计方法是测量粒子束流功率及剖面分布的有效手段。     

Al2O3:V3+晶体局域结构及其自旋哈密顿参量研究

提出了解释掺杂离子局域结构畸变的配体平面移动模型，建立了此模型下晶体微观结构与自旋哈密顿参量之间的定量关系.在考虑自旋与自旋、自旋与另一电子轨道和轨道与轨道作用等微小磁相互作用的基础上，采用全组态完全对角化方法，对Al₂O₃晶体中V³⁺的局域结构和自旋哈密顿参量进行了系统的研究.结果表明，V³⁺掺入Al₂O₃晶体后，上下配体氧平面间距离增大了0.0060 nm.从而成功地解释了Al₂O₃:V³⁺晶体的自旋哈密顿参量.在此基础上，研究了三角晶场下3d²离子自旋哈密顿参量的微观起源.研究发现，自旋三重态对自旋哈密顿参量的贡献是主要的，微小磁相互作用对自旋哈密顿参量的贡献只与自旋三重态有关.     

Ga2O3组分对Tm3+掺杂GeO2-Ga2O3-Li2O-BaO-La2O3玻璃的光谱性能影响

制备了Tm³⁺(8.0mol%)掺杂(77-x)GeO₂-xGa₂O₃-8Li₂O-10BaO-5La₂O₃(x=4,8,12,16)系列玻璃.系统地研究了Ga₂O₃从4mol%变化到16mol%时,玻璃的光谱性质与热学性质的变化规律.差热分析表明,随着Ga₂O₃含量的增加,锗酸盐玻璃的热稳定性增加.运用Judd-Ofelt(J_O)理论计算得到了Tm³⁺在不同Ga₂O₃含量的GeO₂-Ga₂O₃-Li₂O-BaO-La₂O₃玻璃中的J-O强度参数(Ω₂,Ω₄,Ω₆)及Tm³⁺各激发能级的自发跃迁概率、荧光分支比以及辐射寿命等光谱参量.在808nm激光二极管的激发下,测试并分析了Ga₂O₃对Tm³⁺荧光光谱特性的影响.随着Ga₂O₃从4mol%增加到16mol%,Tm³⁺在1.8μm处的荧光强度呈现先减弱后增强的特性.当Ga₂O₃含量大约在12mol%时,Tm³⁺在1.8μm处的荧光强度最弱,受激发射截面达到最小.还初步讨论了Ga₂O₃对玻璃结构与光谱参数的影响规律. 关键词： 3+掺杂锗酸盐玻璃')" href="#">Tm³⁺掺杂锗酸盐玻璃 光谱性能 Judd-Ofelt参数 热稳定性     

Ce3+掺杂SiO2-Al2O3-Gd2O3玻璃的闪烁性能

通常, Ce离子掺杂的低密度玻璃有较高的发光效率, 而高密度的Ce离子掺杂玻璃其发光效率很低. 为了解释这一现象, 采用高温熔融法获得了SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃三元系统的玻璃形成区, 并在还原气氛下制备了Ce³⁺掺杂SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃以及SiO₂-Al₂O₃-Gd₂O₃-Ln₂O₃ (Ln=Y, La, Lu)闪烁玻璃, 研究了其光谱和闪烁性能. 测试结果显示: 随着Gd₂O₃含量增加, 玻璃紫外截止波长发生红移, 荧光强度降低, 衰减时间缩短; 加入Lu₂O₃, La₂O₃, Y₂O₃后, 紫外截止波长发生红移, 荧光强度降低, 衰减时间变短; 当Gd₂O₃超过10% mol时, X射线荧光积分光产额从相当于锗酸铋 晶体的61%降低到13%. 荧光强度降低、衰减时间缩短的原因是随着玻璃的紫外截止波长红移玻璃的能带宽度变窄, 使得Ce³⁺离子的d电子轨道开始接近玻璃的导带, Ce³⁺离子受辐射后跃迁到d电子轨道的电子会通过导带与玻璃中的空穴复合, 产生电荷迁移猝灭效应.     

Cr3+:Al2O3透明多晶陶瓷光谱特性分析

对透光性良好的Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的光谱性能 进行了研究，其吸收光谱中吸收峰与单晶红宝石相一致，按吸收光谱和Tanabe-Sugano能级 图，算出其晶场强度参数D_q及Racah参数B分别为1792cm^-1， 689cm ^-1，D_q/B=2.6，陶瓷中Cr³⁺离子所处格位的晶体场强 比单晶弱一些，但Cr³⁺:Al₂O₃透明陶瓷仍属于强场晶 体材料；当Cr³⁺掺杂浓度到达0.8wt%时，陶瓷的发射谱仍保持较好的R线发射 ；随Cr³⁺掺杂浓度的增大，激发峰位发生“红移”.在Cr³⁺:Al₂O₃透明多晶陶瓷的荧光谱上，发现一个波长为670nm的发射峰，经激发 谱确认为Cr³⁺的发射峰. 关键词： 氧化铝 透明陶瓷 离子格位 光谱性质     

Al2O3增强的Co2-C98/Al2O3/Si异质结的光伏效应

随着能源危机的加剧,太阳能电池作为开发和利用太阳能的一种普遍形式, 日益受到世界各国的重视.随着太阳能电池向着高效率、薄膜化、无毒性和原材料丰富的方向发展, 单纯的硅系太阳能电池已经无法达到这样的要求,因此新的材料和工艺的开发利用迫在眉睫. 本文研究了碳材料在硅异质节上实现光伏效应的改善及其可能在太阳能电池上的应用. 采用脉冲激光沉积方法制备的Co₂-C₉₈/Al₂O₃/Si异质结构在标准日光照射 (AM1.5, 100 mW/cm²)条件下,可获得0.447 V的开路电压和18.75 mA/cm²的电流密度, 转换效率可达3.27%.通过电容电压特性和暗条件下的电输运性能测量, 证明了氧化铝层的引入不但对单晶硅的表面起到了物理钝化作用,减小了反向漏电流, 使异质结界面缺陷、界面能级和复合中心减少,还起到了场效应钝化作用, 增加了异质结界面的势垒高度,增加了开路电压,使异质结的光伏效应显著增强.     

Nd3+掺杂B2O3-Nb2O5-BaO-La2O3玻璃光谱性质的研究

 用高温熔融法制备了Nd³⁺(物质的量分数2％）掺杂40B₂O₃-(15-χ)Nb₂O₅-45BaO-χLa₂O₃玻璃，测量了样品的吸收光谱、发射光谱和差热分析（DTA）曲线。根据Nd3+光学跃起矩阵的特点，应用Judd-Ofelt理论，从吸收光谱获得了Nd³⁺光学跃起的强度参数。并计算了Nd³⁺离子的自发辐射跃迁几率、总自发辐射几率、荧光分支比、辐射能级寿命和受激发射截面。结果表明：该体系玻璃中，随着Nb₂O₅ 含量的增加和La₂O₃₂增大，说明材料的对称性降低；而Ω₆减小，说明Nd-O键的共价性和键强增强；受激发射截面减小。DTA实验表明，随着Nb₂O₅含量的增加，材料的热稳定性提高。     

Al18B4O33：Cr3+荧光粉的制备及发光性质研究

采用高温固相法合成了Al₁₈B₄O₃₃：Cr³⁺荧光粉,使用X射线粉末衍射仪和FSEM对样品的结构和形貌进行了表征,采用荧光分光光度计及紫外分光光度计研究了样品的发光性质及光吸收性质。结果表明,在紫外光或530~630 nm可见光激发下,样品能够发射出660~720 nm的红光,两个发射峰分别位于683 nm和694 nm,其最佳激发波长为590 nm。当原料中Al和B的量比为3.5时,样品的发光最强。初步分析了H₃BO₃的加入对样品发光影响的机理。样品的最佳煅烧温度为1 150 ℃。随着Cr³⁺掺杂浓度的升高,样品发光增强,但发光效率降低。样品的漫反射光谱表明,样品对绿光、黄橙光及紫外光有较强的吸收,是一种潜在的优良农用转光剂材料。     

首次使用核反应法鉴别JUNA深地加速器A/q=2的束流种类

JUNA团队计划利用CJPL所提供的极低本底条件和400 kV高压平台上2.45 GHz ECR离子源产生的毫安量级束流首次在天体物理能区对关键核反应进行直接测量。实验需要10 emA的质子束流和He+束流以及2 emA的He2+束流。使用2.45 GHz离子源产生毫安量级的He2+束流是离子源制造的难点。由于离子源分析磁铁分辨能力有限,无法区分He2+和H+₂离子,本文首次使用核反应法对离子源产生的A/q=2的束流进行了鉴别,结果显示,JUNA项目2.45 GHz ECR离子源无法产生毫安量级的He2+束流。该研究成果为JUNA项目离子源的设计提供了重要的参考依据。JUNA团队另外研制了一台微波频率为14.5 GHz的ECR离子源并成功产生2 emA的He2+束流来满足实验需求。     

Resonant cross-relaxation between Cr3+ and V3+ in Al2O3

Cross-relaxation, which occurs when a V³⁺ transition is resonant with a monitored Cr³⁺ transition, leads to a marked reduction of the spin-lattice relaxation time of Cr³⁺ in Al₂O₃. Measurements and an analysis of the temperature dependence of this effect give a value of 8.34 ± 0.49 cm^?1 for the zero-field splitting of V³⁺, an ion which is strongly coupled to the lattice.     

Phonon scattering by Ni3+ ions in Al2O3

Previous thermal conductivity measurements on Al₂O₃ + Ni single crystals have been extended down to 80 mK. The quantitative analysis shows that the lineshape of the low temperature resonant is determineded by random strains in the crystal, and gives a possible value for the ‘tunneling splitting’ 3Γ of 0.54 cm^?1.     

Cr4+在Al2O3多晶体中的光谱性能研究

采用传统无压烧结工艺制备Cr:Al₂O₃透明多晶陶瓷.测定了其退火前后的吸收光谱和荧光光谱，发现在Al₂O₃六配位的八面体结构中，Cr⁴⁺的荧光发射也处在1100—1600nm波段的红外区间，荧光发射峰位于1223nm附近，类似Cr⁴⁺在四面体中的发光行为.同时由于氧化铝晶格常数较小，晶体场强较强，使Cr⁴⁺:Al₂O_{3< 关键词： 4+')" href="#">Cr⁴⁺ 2}O₃透明陶瓷')" href="#">Cr:Al₂O₃透明陶瓷 光谱性质 八面体     

Optical study of CaF2 : Pr3+

Thermoluminescence, luminescence and luminescence excitation spectra of CaF₂ : Pr⁺³ (0.1%) at the temperature of liquid nitrogen have been investigated. Vibronic lines and lines due to cubic and tetragonal symmetries have been identified. A qualitative interpretation of the existence of both type of symmetries is also discussed.     

Fabrication of ZnO/Al2O3 core-shell nanostructures and crystalline Al2O3 nanotube

We have demonstrated the crystalline ZnO-Al₂O₃ core-shell nanowire structure by atomic layer deposition (ALD) at a temperature 100 °C. The core-shell structure could have potential applications in the fabrication of ZnO field effect transistor. After dissolving the ZnO core, shape defined, rigid and robust crystalline Al₂O₃ shelled nanostructures have been fabricated. Nanowire ZnO nanostructures have been replicated by alumina shell. This is one of the most effective techniques for producing core-shell or shell/hollowed nanostructures of any desired objects. The Al₂O₃ shelled nanostructures could have potential applications as space confined nanoreactors, drug delivery, nanofluidic channels and optical transmitting.     

Characteristics of sandwich-structured Al2O3/HfO2/Al2O3 gate dielectric films on ultra-thin silicon-on-insulator substrates

Sandwich-structure Al₂O₃/HfO₂/Al₂O₃ gate dielectric films were grown on ultra-thin silicon-on-insulator (SOI) substrates by vacuum electron beam evaporation (EB-PVD) method. AFM and TEM observations showed that the films remained amorphous even after post-annealing treatment at 950 °C with smooth surface and clean silicon interface. EDX- and XPS-analysis results revealed no silicate or silicide at the silicon interface. The equivalent oxide thickness was 3 nm and the dielectric constant was around 7.2, as determined by electrical measurements. A fixed charge density of 3 × 10¹⁰ cm⁻² and a leakage current of 5 × 10⁻⁷A/cm² at 2 V gate bias were achieved for Au/gate stack /Si/SiO₂/Si/Au MIS capacitors. Post-annealing treatment was found to effectively reduce trap density, but increase in annealing temperature did not made any significant difference in the electrical performance.     

EPR of orthorhombic Gd3+-M+ complexes in SrF2

In this paper we report new results of EPR experiments on orthorhombic Gd³⁺-M⁺ complexes (M = Na, K, Rb and Ag) in SrF₂. Special attention is payed to the second degree crystal field parameters B⁰₂ and B²₂ and a comparison with earlier results on corresponding complexes in CaF₂ and BaF₂ is made. We conclude that the main contributions to these crystal field parameters are of electrostatic nature.