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采取"二锅二步"的聚合方法以双酚芴、4,4'-二氯二苯砜、双酚AF型二氮杂萘酮、二氟二苯酮磺酸钠为原料制备了含芴-聚芳醚砜憎水链段和双酚AF型二氮杂萘酮-磺化聚芳醚酮亲水链段的两亲嵌段聚芳醚砜酮离聚物,通过调整4种单体的比例以及预聚合、再缩合聚合工艺制备了一系列具有不同链段尺寸的芴-双酚AF型氮杂萘酮-两亲嵌段聚芳醚砜酮离聚物质子交换膜材料.通过黏度测试、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、氢谱(1H-NMR)、热失重(TGA)等分析方法,对离聚物的结构和性能进行了表征,用蒸发溶剂法制备了质子交换膜,并考察膜的各种性能.实验结果表明,该系列离聚物的结构可控,热稳定性良好,5 wt%热失重温度均高于250℃;由其制备的质子交换膜具有良好的耐醇性和耐甲醇渗透性能、优异的抗氧化性和水解稳定性、以及适当的质子导电率和吸水率,室温下该系列膜的甲醇渗透率在0.23×10-6~0.28×10-6cm2/s,比Nafion 117具有更好的耐甲醇渗透性能;80℃下该系列膜的质子导电率与30℃时相比呈现倍增趋势,离聚物8e膜的质子导电率在80℃下达到了1.83×10-3S/cm. 相似文献
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通过Sonogashira偶联反应制备了含有4-[2-(对苯胺)乙烯基]苯(M1)、2,5-二戊烷氧基-1,4-二乙炔基苯(M2)和9-辛基咔唑(M3)3种结构单元的三元共轭聚合物PPEC,并通过核磁共振氢谱确定了3种结构单元的比例为0.54∶1.00∶0.46(M1∶M2∶M3).由于在PPEC的侧链中含有氨基基团,通过在PPEC的THF溶液中分别加入水、甲醇和正己烷,诱导其产生聚集,其聚集后的荧光性质表现出明显的不同,在THF与水的混合溶剂中,PPEC发光强度会随着水含量的增加先是急剧降低,而后在高水含量时发光强度又显著增强;在THF与甲醇的混合溶剂中,PPEC发光强度随着甲醇的加入只是逐渐降低;在THF与正己烷的混合溶剂中,PPEC的发光强度则会随着正己烷的增加而增强.该结果表明氨基通过与水,或者自身所形成氢键作用,改变了PPEC分子链之间的聚集态结构,降低了分子内旋转非辐射能量效率,从而有效改善共轭聚合物的主链发光性质,这为设计聚集态下(或固态下)高性能的荧光共轭聚合物提供了一种新思路. 相似文献
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在无水三氯化铝(AlCl3)和N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)存在下,以1,2-二氯乙烷(DCE)为溶剂,1,3-二(4-氯甲酰基苯甲酰基)苯(DMBC)分别与4,4′-二苯氧基二苯砜(DPODPS)、1,3-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(i-DPOPKK)、1,4-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(p-DPOPKK)进行低温溶液共缩聚反应,合成了3种主链含多羰基结构单元的聚芳醚酮聚合物.用FT-IR1、H-NMR、DSC、TGA、WAXD等技术对聚合物进行结构和性能表征.结果表明:增加聚合物主链中羰基的含量可提高其耐热等级;同时,由于聚合物中羰基比例的增大,其聚集态晶体结构也产生相应的变化,较易产生多晶型. 相似文献
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含亚甲基和双二氮杂萘酮结构的聚芳酮的合成与性能 总被引:1,自引:0,他引:1
聚芳醚酮是一类重要的具有优异综合性能的工程塑料 ,它具有高的热稳定性、尺寸稳定性、耐溶剂性、好的加工性能和电性能 ,因而它经常作为复合材料的基质、粘合剂等被广泛的应用于航空、航天和电子等领域 .近几十年来 ,人们付出了很大的努力去开发聚芳醚酮新品种[1,2 ] .本研究组以 4 (4′ 羟基苯氧基 ) 2 ,3 二氮杂萘 1 (2H) 酮为缩聚单体制备了一系列的性能优良的聚芳醚酮[3~ 6] ,在主链中引入高密度的氮杂萘酮结构是获得高热稳定性和良好溶解性的重要途径 .由单体中含有更多的氮杂萘酮结构获得可溶解且耐温等级更高的聚芳酮是人们期… 相似文献
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以1,4-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(p-EKKE)、1,3-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(m-EKKE)、二苯醚(DPE)分别与对苯二甲酰氯(TPC)、间苯二甲酰氯(IPC)亲电共缩聚,合成全对位、全间位、对间位取代及交替聚芳醚酮酮(p-PEKK、i-PEKK、p/i-PEKK、a-PEKK),用FT-IR、DSC、WAXD、TG、SEM等技术对p-EKKE和m-EKKE以及PEKKs的结构与性能进行了分析表征.结果表明,随着1,3-苯基含量的增加,共聚物的熔融温度(Tm)和玻璃化转变温度逐渐降低,而热分解温度变化不大;p/i-PEKK交替共聚物较之于无规共聚物,有较好的链规整性和较高的结晶度;WAXD分析表明,共聚物p-PEKK的结晶衍射峰和小分子模型化合物p-EKKE基本相同,同属正交晶系,全间位取代的i-PEKK在熔融冷却过程中很难再次结晶,转变为非晶聚集态,其2θ角和m-EKKE针状结晶基本相同,属三斜晶系. 相似文献
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聚芳醚酮树脂的分子设计与合成及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
聚芳醚酮树脂是20世纪发展起来的重要特种工程塑料.因其优良的耐热、耐腐蚀、耐摩擦及生物相容性好等特点,在国防军工、武器装备、航空航天、电子、汽车、机械、石油工业、核能及理疗卫生等高技术领有广泛的应用.此类材料大都采用双酚单体和双氟单体通过A2+B2型亲核缩聚反应制备.这类聚合物的分子结构对材料的性能影响较大,一般情况下分子链由醚、酮、苯三元规整结构构成时,聚合物为半结晶态;然而,当分子结构中存在侧基或其他非规整结构往往破坏聚合物的结晶结构,聚合物呈现无定型态.半结晶聚芳醚酮聚合物具有非常优异的耐热、耐化学稳定性一般作为结构型材料使用;无定型聚芳醚酮具有良好的加工性能,并且可进行一些功能化成为一类优异的功能型材料.本文从结构与性能关系出发,介绍了聚芳醚酮树脂种类,聚芳醚酮树脂的发展历程及合成方法;探讨了聚芳醚酮材料结构与性能关系;总结了功能性聚芳醚酮材料的前沿进展;最后结合实际展望了聚芳醚酮的应用发展方向. 相似文献
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合成了两种含氰基联苯液晶基团的新型聚对亚苯基亚乙炔基(PPE)类交替共聚物,并对其进行了结构表征和性能研究.示差扫描量热仪(DSC)和偏光显微镜(POM)的结果证明了在液晶单元含量较大时聚合物才会出现明显的液晶形态.荧光光谱表明,在降温前后液晶聚合物的发光光谱发生了明显的变化.同时,对聚合物进行能量转移研究发现随着溶液浓度的增加,Frster能量转移更加完全;另外,利用原子力显微镜(AFM)对聚合物降温前后的形态变化进行了观察.结果表明,液晶性质可以导致聚合物形态的变化进而带来发光光谱的改变,为今后制备液晶可控型发光聚合物提供了理论依据. 相似文献
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A series of new silicon-containing poly(p-arylene vinylene)s(PAVs)with anthracene units in the main chain were synthesized by hydrosilylation reaction.The introduction of organosilicon units improved the solubility of the polymers,and theπ-πconjugation of polymeric chains was interrupted.These polymers behaved as blue-green light emitters with their fluorescence maximum at 447—499 nm and quantum yields in the range of 0.28-0.30 in solution. 相似文献
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含二氮杂荼酮结构新型聚芳醚系列高性能聚合物的合成与性能 总被引:19,自引:8,他引:19
从分子结构设计出发 ,以价廉易得的苯酚、苯酐为原料 ,经温和的工艺合成了结构全新的 4 ( 4′ 羟基苯基 ) 2 ,3 二氮杂萘 1 酮 (DHPZ) ,对其合成反应路线、合成反应动力学、反应机理进行了深入研究 .在大量实验研究基础上 ,结合分子立体结构的计算机模拟 ,确认其具有非共平面扭曲结构特征 ,其N—H键和O—H键具有类似的反应活性 ,是一种类似双酚的新单体 .以DHPZ与多种市售双卤单体如二氟二苯酮 (DFK)、二氯二苯砜 (DCS)、二氯二苯双酮 (DCKK)、二氯二苯腈 (DCBN)等经溶液亲核取代逐步聚合反应制得一系列含二氮杂萘酮结构的新型高性能聚醚砜 (PPES)、聚醚酮 (PPEK)、聚醚砜酮 (PPESK)、聚醚酮酮 (PPEKK)、聚醚砜酮酮(PPESKK)、聚醚腈酮 (PPENK)、聚醚腈砜 (PPENS)、聚醚腈砜酮 (PPENSK)等 ,对其结构进行了谱学表征 ,对其性能进行了全面测试 ,研究了其结构与性能关系 .谱学数据证明皆为无定型高聚物 .其玻璃化温度Tg 在 2 5 0~370℃之间 ,可以通过取代基团结构或主链上砜 酮基团比例进行调控 .在大量实验研究基础上 ,创造性提出“引入全芳环非共平面扭曲分子链结构赋予高聚物既耐高温又可溶解的优异综合性能”的分子结构设计理论 .在此分子设计理论指导下 ,设计并合成了含联苯二氮杂萘酮结构的新型二 相似文献
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聚酯酸酐的合成与表征 总被引:3,自引:0,他引:3
聚酸酐具有优良的表面溶蚀性能,作为药物控释体系材料得到广泛的应用.以对(2 羟基 乙氧基)苯甲酸和对(2 甲基 2羟基 乙氧基)苯甲酸分别与丁二酸酐,顺丁烯二酸酐和丁二酰氯反应得到六个含有酯基的新型二元酸单体,经熔融聚合得到聚酯酸酐.单体和聚合物经IR,1H NMR和元素分析等表征.研究了催化剂对聚合物结构的影响. 相似文献
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双邻位甲基取代的聚芳醚酮合成与表征 总被引:3,自引:0,他引:3
两种单体 2 ,2′ ,6 ,6′ 四甲基 4 ,4′ 二苯氧基二苯酮 (o M2 DPOBP)和 2 ,2′ ,6 ,6′ 四甲基 4 ,4′ 二苯氧基三苯二酮 (o M2 DPOTPDK) ,分别与对苯二甲酰氯 (TPC)和间苯二甲酰氯 (IPC)低温亲电溶液缩聚 ,合成了 4种含双邻位甲基侧基聚醚酮醚酮酮 (DM PEKEKK和DM PEKEKMK)及含双邻位甲基侧基聚醚酮酮醚酮酮 (DM PEKKEKK和DM PEKKEKMK)聚合物 .用FT IR、1 H NMR、DSC、TGA、WAXD等方法对聚合物进行了表征 ,研究了聚合物的溶解性能 .结果表明 ,该 4种聚合物具有较高的玻璃化转变温度 ,良好的热稳定性和优良的溶解性能 . 相似文献
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以双酚芴单体和全氟联苯为原料,通过亲核取代反应,在较低温度(120℃)下直接聚合,得到了一种高分子量的含芴部分含氟的聚芳醚,并用1H-NMR进行表征.合成的聚合物具有好的热稳定性,玻璃化温度达到271℃,5%的热失重为420℃.这些聚合物能溶于四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿和DMAC等常见的有机溶剂,通过溶液浇注的方法制备出光滑、柔韧的膜,并利用表面接触角(CA)对膜材料的表面性能进行了表征.用氯仿制备膜的接触角为102°,而用四氢呋喃制备膜的接触角为107°,接触角接近聚四氟乙烯(112°),具有较好的憎水性. 相似文献
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SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF PHENOTHIAZINE-BASED PPV-TYPE COPOLYMERS CONTAINING FLUORENE AND THIOPHENE MOIETIES 总被引:1,自引:0,他引:1
WANG Chen LU Yan LIU Song YANG Liying YIN Shougen Silvia Janietz Hartmut Krueger Armin Wedel HUA Yulin Institute of Material Physics Tianjin University of Technology Tianjin China Fraunhofer Institute of Applied Polymer Research Geiselbergstrasse D- Golm Germany 《Chinese Journal of Reactive Polymers》2005,(Z1)
1. INTRODUCTION Since the first report of efficient polymer light emitting diode (PLED) in 1990, conjugated polymers have intrigued great interests because of substantial promise for electro-optical applications [1,2]. It is essential to develop novel str… 相似文献
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Wei Yan An-kuo Li Chain-shu Hsub Zhi-cheng Zhang Mei-xiang Wan College of Chemical Engineering Xi''''an Jiaotong University Xi''''an China Department of Applied Chemistry National Chiao Tung University Hsinchu China Laboratory of Organic Solids Institute of Chemistry Chinese Academy of Sciences Beijing China 《高分子科学》2001,(5):499-502
A novel small band-gap conjugated polymer - poly [(3-acetylpyrrole-2, 5-diyl)(4-dimethylaminobenzyliene)(3 -acetylpyrrolequinodimethane-2, 5-diyl)] (PAPDMABE) - and its precursor were synthesized by a simple method andcharacterized by ~1H-NMR, FT-IR, TGA and UV-VIS. The polymer can be dissolved in strong polar solvents such as DMSO,DMF or NMP. The band-gap energy of PAPDMABE was found to be 0.95 eV. The conductivity of doped products withiodine falls in the range of a semiconductor. 相似文献