辉光放电质谱法测定高纯铟中痕量元素

采用辉光放电质谱法(GDMS)对高纯铟中铁、铜、铅、锌、铊、镉、锡等14种元素进行了测定,对仪器工作参数进行了优化,对预溅射过程时间的确定和质谱干扰的排除进行了讨论,结果表明,GDMS是目前具有足够灵敏度对高纯导电材料进行直接分析的有效手段。     

辉光放电质谱法在高纯材料分析中的应用

高纯材料是现代高新技术发展的基础,在电子、光学和光电子等尖端科学领域发挥着重要作用。采用固体样品直接分析的辉光放电质谱法(GDMS),在高纯金属、高纯半导体材料的痕量和超痕量杂质分析中有着非常广泛的应用。综述了GDMS法对高纯金属、高纯半导体材料进行的元素分析,并对分析过程中工作参数、溅射时间、干扰峰等因素的影响进行了阐述。同时,也详述了应用GDMS法对高纯金属钛、镉,高纯半导体硅,分别进行的痕量杂质元素分析,结果显示放电稳定性良好,典型元素含量的相对标准偏差均在较为理想范围内。GDMS应用前景广泛,未来,GDMS将在除固体样品之外的其他样品类型的分析领域中发挥重要作用。     

辉光放电质谱法测定核级石墨粉中痕量杂质

建立了直流辉光放电质谱法(DC-GDMS)测定核级石墨粉中痕量杂质元素的方法。用一定的压力将石墨粉镶嵌在高纯铟片上,形成一个直径约为5 mm的圆形石墨薄层,用铟片辅助石墨粉放电,实现了粉状样品直接检测。优化的实验条件为放电电流0.8 mA,放电电压1.2 kV,放电气体流速0.437 mL/min。用石墨粉标准样品(19J T61029)单点校准了仪器相对灵敏度因子,消除基体效应,实现15个关键杂质元素定量分析。方法检出限为5.0 ng/g,在单侧0.05显著性水平下,利用Student’s t检验,方法测定结果 t值均小于临界值,与标准值无显著性差异。相对标准偏差(RSD)均小于10%。本方法与电感耦合等离子体光谱法测定结果比较,相对误差在2.4%～17.4%之间。     

辉光放电质谱法测定钨钛合金中的微量杂质元素EI北大核心CSCD

采用辉光放电质谱法直接测定钨钛合金中的杂质元素。对放电电流、气体流量和预溅射时间等条件进行优化,用仪器内置的标准相对灵敏度因子(RSFstd)进行半定量分析。同时用已定值的钨钛合金作为标样校正仪器,获得校正后的相对灵敏度因子(RSFWTi),再应用于定量分析。结果表明,未校正测量值与参考值比值在0.5~1.6之间,相对标准偏差(RSDs)小于5%,满足半定量分析要求。经RSFWTi校正的测量值与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测得的结果比较,相对偏差(RD)小于20%,该方法适用于合金中杂质元素定量分析。     

辉光放电质谱法测定纯锡中24种杂质元素和锡记忆效应的消除

采用辉光放电质谱法(GDMS)测定了纯锡中24种杂质元素,分析方法为无标定量分析。分析前纯锡样品须依次用乙醇、水及乙醇冲洗以除去表面的灰尘颗粒,凉干后用于分析。本工作对辉光放电过程中的三项关键因素,即辉光放电电压、放电电流及放电气流三者在辉光放电溅射/电离时的相互关系及其对总离子流强度的影响进行了试验和讨论,并确定了仪器在最佳状态时辉光放电的优化条件为:放电电压590V,放电电流30mA,放电气流450mL·min~(-1)。为排除各元素测定中质谱(MS)干扰的影响,选择了在不同的分辨模式(中/高)下用相对丰度较高、干扰较少的质量数进行分析。所测定元素测定结果的相对标准偏差(n=5)均小于15%。各元素的检出限(3s)为0.003～0.174μg·g~(-1)之间。本方法所得测定结果与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)或电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的测定结果基本一致。经试验,通过更换GDMS的阳极帽、导流管、采样锥和透镜等4种耗材,可完全消除锡的记忆效应。     

高流速辉光放电质谱法测定纯镍中41种痕量元素

建立了高流速辉光放电质谱法（GDMS）测定纯镍中41种痕量元素含量的分析方法。使用有证标准物质IARM 190A校正其中29种元素的相对灵敏度因子（RSF）,其他12种元素采用标准RSF。在放电电流40 mA、放电电压1000 V、气体流速400 mL/min条件下,对样品预溅射20 min后进行测定。各元素的方法定量限在0.0000001%～0.000054%之间。应用该方法分析2个纯镍样品中的41种痕量元素,测定结果与高分辨电感耦合等离子体质谱法（HR-ICP-MS）、原子荧光光谱法（AFS）、高频感应炉燃烧红外吸收法测定结果一致,当待测元素含量大于0.0001%时,结果的相对标准偏差（RSD）为0.1%～13%;当待测元素含量在0.00001%～0.0001%之间时,测定结果的RSD为0.4%～46%;当待测元素含量小于0.00001%时,测定结果的RSD为7.4%～48%。     

辉光放电质谱法分析高纯镓时检出限降低的研究

研究了用辉光放电质谱法（GDMS）测定高纯镓时,以钙、锡、汞为测定对象,从增加样品的直径、适当降低工作分辨率、增加扫描次数以及增加积分时间等方面进行研究,降低了方法的检出限。     

直流辉光放电质谱法检测三氧化钼中痕量元素含量

建立了直流辉光放电质谱(dc-GDMS)测定三氧化钼中痕量元素含量的方法,优化了辉光放电参数,考察了三氧化钼制样面积对放电稳定性和灵敏度的影响。在优化条件下,测定2个三氧化钼标准样品BS ZZ42001和BS ZZ42003的相对灵敏度因子RSF₁和RSF₂,计算得到平均相对灵敏度因子RSF_A,对三氧化钼标准样品BS ZZ42002的测定结果进行校正,与BS ZZ42002的标准值比较,除Ti和Cd外,校正后得到的各元素测定值相对误差在±9.5%以内。对未知的三氧化钼样品测定结果进行校正,并与电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)和电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)结果对比。t检验结果表明,RSF_A校正值与ICP-AES/ICP-MS法测定值无显著性差异。该方法可为三氧化钼中多种痕量元素的快速定量分析提供参考。     

GD-MS法和ICP-MS法测定高纯铌中痕量元素

采用辉光放电质谱法(GD-MS)对高纯铌中Ta,Mo,W等痕量杂质元素进行了测试,并对GD-MS工作参数进行了优化,部分元素与采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)定量分析的结果进行比较,对某些元素含量差别较大的原因进行了分析,论述了Element GD辉光放电质谱仪的特点及其在痕量杂质分析上的优势。     

ICP-MS法测定高纯钛中痕量元素

建立了ICP-MS直接测定高纯钛中Be,V,Co,Ni,Ga,Mo,Nb,Cd,Sb,TI,Pb的分析方法,并对ICP-MS工作参数及条件进行了优化和选择.高纯钛用HF与HNO3溶解后加入Sc、Cs、Re内标,用ICP-MS直接检测.方法的检出限为0.03～0.1 ng/mL,测定下限为0.2～0.5 ng/mL,各元...     

辉光放电质谱法测定稀土矿中的15种稀土元素

利用高纯铜粉与稀土矿石粉末均匀混合压片制样.混合15种高纯稀土氧化物制样建立标准工作曲线,校正15种稀土元素相对灵敏度因子,再进行定量分析.结果 表明,稀土元素工作曲线的线性方程相关系数R2均大于0.996,相对标准偏差(RSD)小于5％,满足定量分析要求.测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)和电感耦合等离...     

热水解沉淀法分离基体钛-ICP-MS法测定高纯钛中痕量元素

建立了热水解沉淀分离基体-电感耦合等离子体质谱测定高纯钛中Li,Cr,Mn,Ni,Co,Ga,Sr,Zr,Mo痕量元素分析方法,并对ICP-MS工作参数及条件进行了优化和选择。利用钛热水解成为Ti(OH)4沉淀,达到分离基体的目的,然后用ICP-MS法直接检测。方法的检出限在0.002～0.1ng/mL之间,测定下限为0.01～0.5ng/mL,各元素的回收率在90.9%～115.6%之间。利用该方法对高纯钛样品进行分析,结果表明,其精密度和准确度均满足痕量分析的要求。     

石墨炉原子吸收法测定高纯硒中痕量铁

研究了石墨炉原子吸收直接进样法和石墨炉内富集法测定高纯硒中痕量铁的条件,建立了石墨炉原子吸收法直接测定高纯硒中痕量铁的分析方法.直接进样法的检出限为0.008 μg/g,石墨炉内富集法的检出限为0.004 μg/g,相对标准偏差分别为:5.2%和4.6%,两种方法检测样品结果基本一致.测定含铁0.3 μg/g的高纯硒,测定值的RSD为4.6～5.2%.     

彭泽贝母中微量元素的测定及初级形态分析

采用HNO3-H2O2微波消解体系,电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)测定彭泽贝母中Pb、Ca、Fe、Mn、Zn、Cd、Ba、Cr等10种微量元素,初步探究微量元素的存在形态.结果表明:彭泽贝母中含有丰富的人体必需微量元素,可能促进其有效成分作用的发挥.其中Ca在彭泽贝母中含量最高,而Mo含量最低;彭泽贝母中微量元素是以无机态为主、多种形态共存的复杂体系.     

Determination of trace impurities in titanium dioxide by direct solid sampling electrothermal atomic absorption spectrometry

A true direct solid sampling electrothermal atomic absorption spectrometry method with Zeeman-effect background correction (Analytik Jena ZEEnit 60 AAS) was developed for the determination of As, Cd, Hg, Pb, Sb and Zn in powdered titanium dioxide of pharmaceutical, food and cosmetics grade. The interaction of the titanium matrix and graphite surface of the sample carrier boat in a transversely heated graphite tube atomizer was investigated. Conversion of titanium dioxide to interfering TiO₂–TiC-liquid phase, running out the sampling boat, was observed at temperatures above 2000 °C. The temperature program was optimized accordingly for these volatile analytes in atomization and cleaning steps in order to prevent this interference and to prolong significantly the analytical lifetime of the boat to more than one thousand runs. For all elements, calibration by aqueous standard addition method, by wet-chemically analyzed samples with different content of analytes and/or by dosing one sample in different amounts, were proved as adequate quantification procedures. Linear dynamic calibration working ranges can be considerably expanded up to two orders of magnitude within one measurement run by applying three-field dynamic mode of the Zeeman background correction system. The results obtained by true direct solid sampling technique are compared with those of other independent, mostly wet-chemical methods. Very low limits of detection (3σ criterion) of true solid sampling technique of 21, 0.27, 24, 3.9, 6.3 and 0.9 ng g^− 1 were achieved for As, Cd, Hg, Pb, Sb and Zn, respectively.     

粉末压饼LA-ICP-MS测定土壤样品中微量元素

研究了采用粉末压饼制样LA-ICP-MS测定土壤样品中多元素的分析方法.在土壤样品中事先加入已知含量的In,并以聚四氟乙烯(PTFE)为粘合剂,在200 KN的压力下制备用于激光剥蚀的压饼.详细讨论了粉末压饼样品中元素的均一性及元素相对信号响应.所建立的方法用于土壤标准参考物质固体样品的直接分析,测定值与参考值具有较好的一致性.     

电感耦合等离子体质谱法测定高纯氧化钽中28种痕量杂质元素

建立了用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定高纯氧化钽中28种痕量杂质元素的方法。讨论了质谱干扰及接口效应,采用标准加入法消除基体效应。各元素的方法检出限为0.001~0.1μg/g,回收率为90%~115%,方法适用于纯度为99.999%的高纯氧化钽中痕量杂质元素的测定。