铜卟啉-L-半胱氨酸自组装复合膜修饰电极的制备及电化学性能研究

利用电化学扫描法在L 半胱氨酸(Cys)自组装单分子膜修饰金电极表面现场制备了金属卟啉复合膜,对其进行SEM和ATR FTIR表征。修饰电极的支持电解质以及pH值对膜的稳定性和灵敏度有很大影响。铜卟啉 L Cys膜对H2O2具有良好的电催化还原特性,催化电流与H2O2浓度在1 0×10 6到3 0×10 5mol·L 1范围内线性关系,相关系数0 9995,检测限达1 0×10 7mol·L 1。     

钆对Tb3+-2,3-吡啶二羧酸体系荧光的增敏及其分析应用

研究了Tb3 + Gd3 + 2 ,3 吡啶二羧酸体系的荧光特性。结果表明 ,钆对该体系中Tb3 +的特征荧光有显著增敏作用 ,当钆浓度为 4 .0× 10 - 4mol·L- 1,pH为 8.0 ,2 ,3 吡啶二羧酸浓度为3.5× 10 - 4mol·L- 1时 ,体系荧光强度最大。该体系用于稀土样品中痕量Tb3 + 的测定 ,铽浓度在 1× 10 - 9～ 2× 10 - 7mol·L- 1范围内与荧光强度呈线性关系 ,检出限为 5× 10 - 10 mol·L- 1。     

磁性分子印迹电化学传感法检测痕量奥卡西平

该文以4-乙烯基吡啶和甲基丙烯酸酯为原料制备了一种可用于检测奥卡西平（OXC）的磁性分子印迹 电化学传感器（MNPs－MIP/MCPE）。首先,依据密度泛函数理论（DFT/B3LYP/6－31 + G）计算,实验成功地 筛选和构建出 OXC与功能单体的最佳组合及比例。随后,基于沉淀聚合法合成了能够识别 OXC的磁性分子 印迹膜（MNPs－MIP）,将MNPs－MIP覆于碳糊电极（MCPE）表面制成MNPs－MIP/MCPE。采用差分脉冲伏安 法（DPV）将 MNPs－MIP/MCPE 传感器用于不同浓度 OXC 的测定。结果显示,传感器的峰电流信号随 OXC 浓 度的增大而增大,且OXC分别在5 × 10－8 ～3 × 10－6 mol/L和3 × 10－6 ～1. 5 × 10－4 mol/L浓度范围内与其峰电流 信号呈线性关系,其线性方程分别为：Ip （μA）= 1. 755 + 1. 097c（μmol/L）,相关系数（r）= 0. 999 7 和 Ip （μA）= 0. 131 + 5. 177c（μmol/L）,r = 0. 999 6。OXC的检出限（LOD = 3S/m）为2. 06 × 10－8 mol/L。该传感器成 功用于实际样品中OXC含量的检测,其回收率为99. 4%~101%,相对标准偏差（RSD）为1. 5%～2. 5%。     

四氯络汞(Ⅱ)离子电极的研制及其应用研究

以十六烷基双硫腙·四氯络汞 (Ⅱ )为载体 ,制备了PVC膜四氯络汞 (Ⅱ )阴离子选择性电极 ;测定了40多种金属离子以及阴离子的选择性 ,除Sn(Ⅳ)、Sb(Ⅲ )稍有干扰外 ,其它金属离子均无明显的干扰 ;25℃时 ,1mol·L-1 NaCl-1×10-3 mol·L-1HCl溶液中 ,汞(Ⅱ)浓度在6×10-6～1.0×10-2 mol·L-1 呈线性响应 ,斜率为31±2mV/decade,检出限为4×10 -6mol·L -1;用电位法测得汞在蔬菜中的回收率为92.5%～97.2 % ,相对标准偏差在0.8 %～1.6 %范围 ;该法用于绿萍、莴笋、丝瓜等中微量汞的含量测定 ,结果令人满意。     

米托蒽醌分子印迹传感器的研究及其应用

在弱酸性条件下, 以邻氨基酚为单体交联剂, 米托蒽醌为模板分子, 用循环伏安法电聚合成米托蒽醌分子印迹聚邻氨基酚敏感膜传感器. 该传感器对米托蒽醌具有良好的选择性和敏感度, 米托蒽醌浓度分别在3.3×10-7~1.0×10-5 mol/L及1.0×10-5~5.0×10-5 mol/L范围内与峰电流减小量呈线性关系, 检测下限为1.6×10-7 mol/L, 同时对分子印迹膜的结构和性能进行了研究.     

双亲性无规共聚物自组装磁性分子印迹纳米粒子四环素光子晶体传感器

以油酸包覆四氧化三铁纳米粒子（OA－Fe3O4）为磁性内核,双亲性无规共聚物P（St－co－VP）为乳化剂,四环素（TC）为模板分子,将光子晶体技术与分子印迹技术相结合,通过细乳液自组装一步法制备了磁性分子印迹纳米颗粒（MMINPs）,并基于外界磁场组装构建了可进行裸眼可视化检测的光子晶体传感器。采用透射电镜（TEM）、红外光谱（FT－IR）和热重曲线（TGA）对MMINPs粒子进行了表征。优化了TC－MMINPs的制备条件,考察了TC磁性分子印迹光子晶体传感器（TC－MMIPCs）的灵敏度、响应时间和选择性。结果显示,在TC质量浓度1.0 × 10-4 ~ 1.0 g/L范围内,质量浓度的对数与反射波长呈线性关系,检出限（S/N = 3）为1.0 × 10-4 g/L。该传感器响应速度较快,在30 s内即可完成响应,印迹因子为3.41。其响应具有特异性,对于与四环素结构相似的氯霉素的选择因子为5.92。该传感器已成功用于某品牌舒缓保湿喷雾中TC的分析。     

基于酞菁铜衍生物为载体的电极对水杨酸根的选择性电位响应

本文以2,9,16,23-四硝基酞菁铜(II) (Cu(II)TNPc) 和2,9,16,23-四氨基酞菁铜(II) (Cu(II)TAPc) 为载体制备PVC聚合膜,构建了水杨酸根选择性电极,并探讨了该电极的选择性响应性能。研究了增塑剂的性质、载体的含量及阴、阳离子添加剂对电极电位响应的影响。结果表明,基于Cu(II)TNPc为载体的PVC膜电极对水杨酸根 (Sal－) 呈现出优先选择性电位响应。具有最佳电位响应的电极的膜组成是：(w/w) 3.0% Cu(II)TNPc,67.0% o-NPOE,29.5% PVC和0.5% NaTPB。基于该组成的电极的线性响应范围为1.0×10－1－9.0×10－7 mol·L－1,检测下限为7.2×10－7 mol·L-1,斜率为－59.8±0.5 mV/decade;其响应快速,稳定性好,适宜的pH范围是3.0－7.0。并成功运用于了实际样品中水杨酸含量的测定,获得令人满意的结果。     

4-氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究

利用脉冲电子束进行了多种条件下4－氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究,对其瞬态光谱中的主要吸收峰作了归属,并初步考察了这些瞬态物种的生长、衰减等行为,研究表明,·OH基与4－氯酚在碱性条件下反应生成氯代酚氧基,速率常数为4.14×10^9L/(mol·s),在酸性条件下要经过OH-adducts;H原子与4-氯酚反应生成H-adducts的速率常为2.0×10^9L/(mol·s),产物可通过双分子二级反应逐步脱氯;eaq^-可直接从4-氯酚分子夺氯,反应速率常数为1.82×10^9/L(mol·s)。     

4-氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究

利用脉冲电子束进行了多种条件下4－氯酚稀水溶液的脉冲辐解研究,对其瞬态光谱中的主要吸收峰作了归属,并初步考察了这些瞬态物种的生长、衰减等行为,研究表明,·OH基与4－氯酚在碱性条件下反应生成氯代酚氧基,速率常数为4.14×10^9L/(mol·s),在酸性条件下要经过OH-adducts;H原子与4-氯酚反应生成H-adducts的速率常为2.0×10^9L/(mol·s),产物可通过双分子二级反应逐步脱氯;eaq^-可直接从4-氯酚分子夺氯,反应速率常数为1.82×10^9/L(mol·s)。     

丁二酮肟化学修饰碳糊电极测定微量钯

报道了丁二酮肟化学修饰碳糊电极用于测定微量钯的研究。实验表明，Pd（Ⅱ）浓度在1×10－4～5×10－7mol·L－1范围内呈良好的线性关系。对模拟样进行了测定。     

抗坏血酸在聚甲苯胺蓝膜修饰的玻碳电极上的电催化氧化及流动注射分析

在玻碳电极上用循环伏安法电聚合一层聚甲苯胺蓝膜,该膜修饰电极对抗坏血酸(VC)的氧化具有良好的电催化作用,能够降低其过电位约100mV。将该修饰电极应用于流动注射能大大提高VC的检测灵敏度,其线性范围为2.0×10-7～1.2×10-3mol·L-1,检出限为4.8×10-8mol·L-1,连续注射检测,其电流信号能够保持稳定24h。     

铜(Ⅱ)-2,2′-联吡啶-铬天菁S三元络合物极谱吸附波及应用

本文提出了一个灵敏的具有选择性的溶出伏安法测超痕量铜的方法。在0.01mol／LNH3·H2O-NH4Cl溶液中（pH＝9．3），铜（Ⅱ）－2，2′-联吡啶（Dipy）-铬天菁S（CAS）能生成具吸附性的电活性三元络合物，在＋0.1V（vs．SCE）电位下富集，阴极溶出峰电位是一0．18V，峰电流与Cu（Ⅱ）的浓度在9．0×10－9～7.0×10－7mol／L范围内成正比，检测限是3．0×10－9mol／L，这一方法已用于测定环境水中痕量铜，回收率在98．5％，102．5％之间。     

对乙酰氨基酚在分子印迹膜修饰玻碳电极上的电化学行为及测定

以对乙酰氨基酚（PCT）为模板分子,甲基丙烯酸为功能单体,采用光引发原位聚合法在玻碳电极（GCE）表面聚合成膜,以甲醇-甲酸将模板分子洗脱,制得对乙酰氨基酚分子印迹膜修饰电极（MIP-GCE）,建立了该电极直接测定PCT的分析方法。结果表明,该传感器具有较高的选择性和灵敏度,PCT浓度在5.0×10-5~1.0×10-3 mol?L-1范围内与其峰电流呈良好的线性关系,检出限为1.4×10-6 mol?L-1。应用该法测定药物中PCT的含量,在干扰物质共存情况下的回收率为96%~105%。     

L-半胱氨酸自组装膜修饰电极对对氨基酚电催化氧化及其分析应用

在裸金电极上制备了L 半胱氨酸自组装膜修饰电极(L Cys/AuSAMs),研究了对氨基酚(p AP)在L Cys/AuSAMs上的电化学行为,发现该膜电极对p AP的氧化具有良好的电催化作用。氧化峰电位降低了128mV,测得p AP的扩散系数D为1.27×10-6cm2·s-1,初步探讨了电催化机理。采用水平衰减全反射 傅立叶变换红外光谱(ATR FTIR)技术对L Cys/AuSAMs进行了表征;方波伏安法(SquareWaveVoltammetry,SWV)测定p AP,其氧化峰峰电流与p AP浓度在1.0×10-8～8.0×10-8mol·L-1和1.0×10-7～2.0×10-4mol·L-1范围内呈线性关系,相关系数分别为0.9978和0.9977,检出限为2.0×10-9mol·L-1。该电极用于模拟废水样的测定,结果满意。     

肌红蛋白在磷脂-月桂酸修饰的玻碳电极上的电化学行为及其分析应用

报道了肌红蛋白(Mb)在磷脂、月桂酸修饰的玻碳电极上的电化学行为 ,在 +0.2～ -0.7V(vs.Ag/AgCl)电位范围内 ,于pH6.0的0.01mol·L-1的KH2PO4、Na2HPO4底液中 ,肌红蛋白产生不可逆的还原电流峰 ;还原峰电流与肌红蛋白浓度在2.25×10-8 ～1.40×10-6 mol·L-1 范围内呈良好线性关系 ;线性回归方程为Ip(μA)=-0.01419 +0.2382cMb(10 -7mol·L -1) ,线性回归系数r(10)为0.998 ,检出限为1.20×10 -8mol·L -1,该电极可作为检测肌红蛋白的新型的高灵敏度电化学生物传感器。     

多色蓝在核酸分子上的Langmuir聚集吸附

用微相吸附-光谱修正（MPASC）新技术研究核酸与多色蓝(PCB)探针分子间的相互作用，分析核酸分子内双静电膜的形成与Langmuir吸附的关联性.通过pH 7.24的介质核酸-PCB反应的光谱研究，测定了结合产物的物理化学参数：结合比1PCB:2DNA-PCB、1PCB:3RNA-PCB, 平衡常数KDNA-PCB=5.42×104， KRNA-PCB=2.82×104,摩尔吸收系数ε(DNA-PCB, 625 nm)=5.65×103（mo1－1•L ）•cm－1， ε(RNA-PCB, 625 nm)=3.85×103 （mol－1•L）•cm－1.结果表明， RNA分子仅形成约60％双螺旋结构链，核酸双螺旋每一周期的负静电沟最大聚集10个PCB分子.该吸附反应用于核酸样品测定，结果良好.     

酞菁钯-PVC膜硫氰酸根离子选择性电极的研制及应用

研制了酞菁钯 PVC膜硫氰酸根离子选择性电极。在B.R缓冲体系(pH2.5)中,电极对SCN-离子响应的线性范围为1.0×10-5～0.1mol·L-1,检出限为7.28×10-6mol·L-1,斜率为56±1mV,电极具有良好的选择性和稳定性。用于印染厂废水中SCN-的测定,结果满意。     

米托葸醌分子印迹传感器的研究及其应用

在弱酸性条件下,以邻氨基酚为单体交联剂,米托蒽醌为模板分子,用循环伏安法电聚合成米托蒽醌分子印迹聚邻氨基酚敏感膜传感器。该传感器对米托蒽醌具有良好的选择性和敏感度,米托蒽醌浓度分别在3．3×10^-7～1．0×10^-5moL／L及1．0×10^-5～5．0×10^-5moL／L范围内与峰电流减小量呈线性关系,检测下限为1．6×10^-7moL／L,同时对分子印迹膜的结构和性能进行了研究。     

氢氧化钴修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

采用循环伏安法成功制备了氢氧化钴薄膜修饰玻碳电极。考察了影响膜电沉积的因素 ,确定成膜液最佳pH为7.5 ,最佳扫描电位范围为1.00～ -0.20V。讨论了成膜过程及机理 ,成膜关键是Co2 +在电极表面的氧化。制得的膜修饰电极具有表面吸附反应特征 ,表面覆盖量相当于5～6个单层的氧化还原活性物质。膜修饰电极具有良好的稳定性 ,并对H2O2 表现出较高的电催化活性。线性回归方程为 :ΔIpa(μA)=15.92+4.99×104c(H2O2)(mol·L -1)(r=0.9976 ,n=18) ,线性范围为1.72×10 -5～9.92×10 -3mol·L -1,检出限为4.25×10 -6mol·L -1(S/N=3)。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．