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本文在价层电子对互斥理论的基础上,以八隅律 为根据,提出了一种根据分子中外层电子数之和来求算中心原子的价层电子对数,从而推出分子几何形状遥方法。克服了VSEPR法求算价层电子对数目的不足。 相似文献
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对氢、卤素、氧族元素作配位原子时提供的价电子数做了合理的解释,并推导出计算中心原子价层电子对数的新方法,该方法不需要书写路易斯结构式再确定成键电子对数和孤电子对数,也不必规定不同族的原子作配位原子时提供的价电子数,只需要根据公式即可直接得到中心原子的价层电子对数。 相似文献
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针对价层电子对互斥理论中关于卤素、氧族等p区非金属元素作为配位原子提供电子数为1、0等未做明确说明的问题,通过数学公式推导解释了数字背后的意义,完善了将中心原子和配位原子按不同计算规则、更简便地计算价层电子对数的方法。应用推导出的简便价层电子对计算规则探讨了一种判断链状结构有机小分子的杂化类型的新方法,并讨论了长周期p区非金属元素的最外层s电子的钻穿作用对价层电子总数的影响以及利用电负性差异比较共价型分子键角大小时需要考虑多重键的影响等,对VSEPR法的应用做了有益补充。 相似文献
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一种用于判断ABm型分子结构的程序胡乔生刘小明(赣南师范学院化学系江西赣州341000)用价层电子对互斥理论预测分子的结构是无机化学教学比较感兴趣的问题之一。不少文献介绍了这方面的教学经验[1~4]。实践中我们发现,学生在应用该理论处理一些比较简单和... 相似文献
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针对大学化学课程中价层电子对互斥(VSEPR)理论教学过程中存在的问题,介绍和讨论VSEPR理论对于含有多重键分子构型的应用和AL,分子构型的特殊性质,并在此基础上提出了相应的教学建议。 相似文献
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考察价层电子对互斥理论(VSEPR模型)的发展史可知,1916年路易斯提出的“原子立方体”假设为VSEPR模型的形成奠定了基础.1940年西德威克和鲍威尔的假设进一步促进了VSEPR模型的形成.1957年吉莱斯皮和尼霍尔姆拓展了西德威克和鲍威尔的假设,并于1963年正式提出价层电子对互斥理论的概念.至1988年,吉莱斯... 相似文献
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针对大学课程中价层电子对互斥(VSEPR)理论教学过程中存在的问题,对VSEPR理论的理论基础、过渡金属不适用于VSEPR理论的原因以及与杂化轨道理论之间的关系进行了讨论,并提出了教学建议。 相似文献
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依据杂化轨道理论、价层电子对互斥理论、离域π键和实例,总结出了分子中含价层孤对电子原子构型的判断法,其内容为含有2对或3对孤对电子的原子(如F)可以存在sp1、sp2、sp3 3种杂化,若其相连的中心原子为sp1杂化,则该原子也为sp1杂化(如HC≡CF);若其相连的中心原子为sp2杂化,则该原子也为sp2杂化(如H2C=CHF);若其相连的中心原子为sp3杂化,则该原子也为sp3杂化(如CH3F)。含有1对孤对电子的原子(如N)可以存在sp2、sp3 2种杂化,若其相连的中心原子为sp1或sp2杂化,则该原子均为sp2杂化(如HC≡CNH2和H2C=CHNH2);若其相连的中心原子为sp3杂化,则该原子为sp3杂化(如CH3NH2)。并讨论了该方法的适用范围以及举例说明了该方法的应用。 相似文献
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为了分门别类地对价层电子对互斥模型进行深入研究,根据分子的共同点和差异点,将常见分子分为:ABn(B为非氢原子)型、简单氢化物HxA型、复杂共价分子HxABn型。在计算常见分子价层电子对数时,先计算出价层电子总数V,再利用“商余”法:V/8=n…m,n为八隅体原子数,m/2为中心原子A的孤电子对数,x为配位氢原子数。再根据VP=BP+LP=x+n+m/2,计算出价层电子对数。从3种不同类型分子价层电子对数的计算方法中,提取出“商余”法计算常见分子价层电子对数的思维模型,有助于促进学生认知模型的建构和发展。 相似文献
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原子价壳层电子量子拓扑指数与元素电负性的关系 总被引:5,自引:1,他引:5
在基态原子价壳层电子隐核图的基础上, 基于拓扑化学原理以及原子价壳层电子结构特征, 构建了原子价壳层电子量子拓扑指数(AEI), 它对基态原子实现唯一性表征, 结合原子价壳层电子平均化能(∑niEi/∑ni)等参数, 建立了一套新的元素电负性标度: XN=-0.588710AEI1+0.761214AEI2+0.154982(∑niEi/∑ni)-0.080929. 该式给出了周期表中氢至镅共95种元素的电负性, 结果表明新电负性标度XN与Pauling电负性标度颇为一致. 进一步从原子价轨道量子拓扑指数确定了sp, sp2, sp3杂化轨道的电负性. 新标度在元素和物质的结构-性质研究中具有一定的适用性. 相似文献
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通常可采用分子力学计算来得到有机分子的优势构象,但平常使用分子力学程序,由优化分子的构象得到的优化能,往往并不是分子的最低能量,而与分子的最初输入构象有关,是分子的初始输入构象附近的极小值,这给实际应用带来了困难.目前较为常规的求分子最优几何构象的方法是统计方法(Monte Carlo方法),通过模拟退火(The Simulated Annealing)来处理.开始“温度”较高的分子位于能量较高的位置上,这时分子的构象处于少数几个极小区 相似文献