光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储,硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器,它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级,这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度,需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储,但要实现,需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时,非磁的光存储介质的应用得到了开发,主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式）,ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用,使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

光数据存储的新进展

文章从不同角度全面系统地论述了光数据存储的新进展,一是以存储功能为生长线,着重论述只读存储→可录存储→可直接重写存储等光存储的存储机理和应用现状;二是以存储密度为里程碑,着重阐明CD存储→DVD存储→纳米存储→三维存储等存储密度不断获得数量级提高的物理内含,文章最后指出21世纪光存储技术的发展趋势。     

磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

超高密度信息存储／分子存储及其存储机理

在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信号存储,存储点的大小在1．3nm左右,存储点间距为1．5nm,相应的存储密度为10^13bits/cm^2,实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化。     

高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

超高密度信息存储分子存储及其存储机理

在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在13nm左右,存储点间距为15nm,相应的存储密度为1013bitscm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.     

光存储与传统磁存储理论的比较研究

光存储技术中,除一般所熟知的利用激光的热效应而导致的相变做为存储方式的光盘或磁光盘存储之外,利用量子相干效应进行存储的设想被实验证明是有效的.相比传统的存储,量子相干记录方式与传统的磁记录方式更加相似,其理论与实现的过程中有许多共性的方面.本文在传统磁存储和新的基于电磁感生透明原理的暗态极化声子的光存储方案的基本原理基础上,通过比较研究比较,指出了这种新的光存储方案的主要不足,即原子间关联的缺失导致的存储时间短的问题,并提出了对于这个问题的解决前景的看法.     

第六讲 巨磁电阻效应在信息存储等领域中的应用

用巨磁电阻材料构成磁电子学新器件，已开始在信息存储领域成功地获得了应用，文章介绍了用于计算机硬磁盘驱动器巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器，描述了它的工作原理，性能特点及发展趋势，指出巨磁电阻材料在传感器方面的应用也令人瞩目，有着广阔的市场前景。     

高密度信息存储的物理原理

介绍了只读光盘、磁光盘和相变光盘等高密度信息存储手段的物理原理.并以近场光存储技术、超分辨近场结构光盘技术为例,阐述了高密度信息存储技术的最新进展.     

高密度光学全息存储技术的新进展：向光盘存储挑战

光全息存储的独特优点，尤其是体全息存储的高容量和高数据传输速率，使光全息存储最有希望成为下一代海量存储技术。通过与现有的光盘和磁盘存储技术的对比，介绍了全息存储的原理和材料，以及在这一活跃的研究领域中的新进展，特别是为了提高存储容量和抑制串象噪音所发展起来的各种全息复用技术。对全息存储技术取得实用性进展的前景也作了简略讨论。     

用于蓝光存储的无机材料的研究及进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输率方向发展。下一代的光盘记录将从目前广泛使用的红光波段向蓝光波段发展。本文综述了可用于蓝光记录的新一代超高密度光盘无机存储材料的研究现状和新进展。     

MR/PVA薄膜的SP和PP偏振存储特性的比较

用两正交偏振光(SP)和两P偏振光(PP)作为记录光(λ=532nm)，记录光的功率均为5mW，用He—Ne激光器632．8nm红光作为读出光，分别得到两种记录条件下甲基红掺杂聚乙烯醇薄膜(MR／PVA)样品的光栅生长曲线．发现用两P偏振光作为记录光时，光栅生长曲线分为快、慢2个过程；两正交偏振光作为记录光时，光栅生长曲线只有一个过程，前者的慢过程和后者过程的响应时间近于相同．     

磁性薄膜研究的现状和未来

概括介绍了近十几年来磁性薄膜研究的主要成果、应用和可能的发展情况,主要内容有：钙钛矿结构氧化物薄膜的磁性和庞磁电阻效应,磁性金属多层 膜的层间耦合和巨磁电阻效应及磁电阻磁头应用情况,光存储技术纳米点阵存储技术,磁电子学。     

85Rb热原子系综中Raman相干存储的实验研究

报道了我们在85Rb热原子系统中利用远离共振的Raman动力学过程实现相干光信号存储与释放的实验研究.铷原子室采用μ-metal包裹消除环境磁场的影响,在双光子共振和单光子远失谐的条件下,我们测量了存储效率随存储时间及单光子失谐量的变化关系,得到的最高存储效率为23.5％,寿命约为3.4μs.     

持续光谱烧孔和三维光信息存储

持续光谱烧孔（Ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｈｏｌｅ ｂｕｒｎｉｎｇ）简你 ＰＨＢ．将 ＰＨＢ应用于光信息存储，可以使光的频率成为新的存储维，将传统的二维（ｘ，ｙ）光信息存储发展成为三维（ｘ，ｙ，ｖ）光信息存储．与目前的光盘系统（记录密度限为．１０８ｂｉｔ／ｃｍ２）相比较，ＰＨＢ的三维光信息存储（以下简称ＰＨＢ存储）在理论上可以使记录密度提高三至四个数量级．本文介绍了ＰＨＢ和ＰＨＢ存储的基本原理，ＰＨＢ材料及其研究现状．     

有机复合薄膜中超高密度信息存储研究

利用大气中工作的扫描隧道显微镜，在真空蒸发方法制备的有机复合薄膜上，通过施加电压脉冲法做出了信息点阵，信息点大小为1.3nm.电流-电压特性表明：存储区表现为导体特性，非存储区为绝缘体特性.信息存储实验表明：相邻两个信息记录点的间距可小于2nm,信息存储密度可高达2.5×10¹³bit/cm².对信息存储的机制进行了初步分析. 关键词：     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

超高密度电学信息存储研究进展

21世纪是经济信息化、信息数字化的高科技时代,信息的爆炸式增长及电子器件持续微型化的要求需要不断研究和开发更高存储密度、更快响应速度、更长存储寿命及可反复读、写的材料和器件.在纳米/分子尺度上实现存储功能的超高密度信息存储已成为当前信息领域一个倍受关注的研究热点.本文从存储材料和技术角度介绍了基于电学双稳态的超高密度信息存储最新研究进展.