ZnSe MIS二极管蓝色电致发光的空间分布

本文研究了用ZnS多晶薄膜作绝缘层时制备的ZnSe MIS二极管,在正向电压激发下的蓝色电致发光的空间分布,在光学显微镜下观察到电致发光呈稀疏的点状分布。为了了解发光点的起因,用扫描电镜观测了二极管的二次电子像(SEI),束感生电流像(EBICI)和吸收电流像(AEI)。一个重要的发现是二极管的电致发光点(ELS)和EBICI有相当好的对应关系。文中指出了发光点的存在与绝缘层(Ⅰ)的引入有关。绝缘层一半导体(I-S)界面较大的能带失配和较差的结合,从而产生较多的无辐射复合中心,是产生稀疏发光点可能的原因。文中根据对发光点起因的分析,提出用ZnSe多晶薄膜取代ZnS多晶薄膜作绝缘层来铡备ZnSe MIS二极管。当用显微镜观察时,电致发光点呈密集分布,而用肉眼观察时是均匀的蓝色发光。文中还指出了进一步改进电致发光空间分布的可能途径。     

ZnSe二极管的兰色电致发光

用N离子注入制成了ZnSe p-n结二极管。还用在H_2O_2溶液中氧化的ZnSe膜做绝缘层制成了MIS二极管。在室温正向偏压下,从这两种二极管上都观测到了兰色电致发光。外量子效率约为10~(-5)。发射可能是由束缚激子引起的。     

ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光

用常压MOCVD方法制备了ZnSe pn结构.由电子束感生电流像表明pn结的存在;用发光和I-V等方法研究了二极管的特性;在77K正向偏压下观测到了以ZnCdSe-ZnSe量子阱为发光层的ZnSe pn二极管蓝绿色电致发光.     

正向电压激发下ZnSe:Er3+MIS二极管的高场电致发光

本文研究了在室温下经Er离子注入ZnSe晶体的电致发光.报导了三价稀土离子在ZnSe MIS结二极管中的发光.阐明了Er3+离子是在高电场下通过过热电子直接碰撞激发的,根据分立中心是高场激发的有效发光中心,可望在这类器件中有较高的效率.     

常压MOCVD制备ZnSe基pin二极管的蓝绿色电致发光

蓝色电致发光和激光器件的研究已有一段较长的历史.人们曾把GaN,SiC和ZnSe等半导体作为获得蓝色发光的主要材料.对于ZnSe,由于它是直接带隙且正好适于蓝区波段,因此,它是实现全彩色化显示、显像以及提高光存储合适的材料之一.     

在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的自由激子发光

研究了最低温度为20~30K时,在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的激子发光光谱,在这一温度下,二极管有可能通过足以产生发光的电流.对于利用通常气相技术生长的高纯晶体所制备的二极管,其电致发光几乎完全由Γ8→Γ6自由激子发光的1LO和2LO声子伴线所组成.根据Gross等人的半经典理论,讨论了两个谱带的形状.结果是谱带的宽度和不对称性归结为激子服从Maxwell-Boltzmann分布,其有效激子温度接近于晶格温度.     

正向高密度脉冲电流激发下ZnSe MIS二极管中的自由激子发光

本文测量了在77K和正向脉冲电流密度为50～500mA/mm2的激发下,ZnSe MIS二极管的电致发光光谱.首次在高电流密度激发下的ZnSe晶体的电致发光光谱上,观测到自由激子与自由激子间(Ex-Ex)的散射.本中根据自由激子的动能分布,讨论了2LO声子协助的自由激子伴线的形状,发现当激发电流密度增高时,自由激子的有效温度大于晶格温度,这可归结为激子与激子间的非弹性散射.     

ZnSe晶体质量对其蓝色电致发光的影响

本文研究了ZnSe晶体的纯度与结晶完整性对其蓝色电致发光的影响。文中比较了用三种不同纯度的ZnSe原料生长的单晶,还比较了同一晶体上的单晶和孪晶在77K时的电致发光(EL)光谱,并发现了随着ZnSe晶体的纯度以及完整性的提高,其深中心发射受到抑止,而与自由激子有关的发射得到增强,从而有助于增强ZnSe晶体室温蓝带的强度。     

衬底温度对电子束沉积ZnSe薄膜性能影响研究

为了研究衬底温度对硒化锌薄膜微观结构和光学特性的影响,采用电子束蒸发技术在K9玻璃基底上制备了单层的硒化锌薄膜.通过研究薄膜的X射线衍射谱、透射光谱特性、表面形貌及粗糙度,分析了不同衬底温度下薄膜微观晶体结构和光学特性的变化规律.实验结果表明:在20～200℃的衬底温度范围内制备的ZnSe薄膜均为具有(111)晶面择优...     

真空热处理对VPE ZnSxSe1-x外延膜发光的影响

本文测量了经真空热处理的VPE ZnSxSe1-x(X=0.055,0.22)外延膜液氮温度下的光致发光(PL)光谱,观察到一个新的蓝色发光带,并把这一谱带归结为导带中自由电子与束缚在深受主中心上空穴的复合.实验表明,深受主中心是在真空热处理时形成,并与真空热处理时在外延层中产生的Zn空位有关.     

热处理对MgB_2超导体超导电性和显微结构的影响

采用固相反应法常压下制备MgB2超导块材,研究两种不同的热处理工艺(淬火、预热)对MgB:超导电性和显微结构的影响.结果显示淬火有助于细化晶粒,提高样品的临界电流密度;预热在一定程度上提高MgB2样品的致密度和磁通钉扎力,其中随炉升温600℃预热1 h再升至750℃保温0.5 h后淬火的样品自场Jc达到0.586 MA/cm2,不可逆场超过7 T,20 K下在0.8T达到最大钉扎力Fpumax.     

衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。     

可变色的ZnSe:Er3+ MIS发光二极管

本文首次利用高场和低场激发下的有效发光中心,设计和制备了随外加电压极性改变而变色的ZoSe:Er3+ MIS发光二极管。这种发光二极管在正向电压激发下得到蓝色发光,而在反向电压激发下得到绿色发光。     

EFFECT OF VACUUM ENERGY ON THE ATOMIC SPECTRA

The effect of vacuum energy on the spectrum of atomic H is investigated using a Schrödinger equation and Higgs mechanism. It is shown that the effect of the latter is to decrease the energy level of the ground state of the H atom emitting energy in the process. This mechanism has been observed empirically in recently reported reproducible and repeatable experiments.     

考虑冷热刀刀头温度响应对制定肿瘤治疗计划的影响

本文对冷热联合治疗肿瘤过程中在体生物组织的温度响应进行了深入的数值研究。组织被当作非理想材料,在一定的温度范围内冷冻和融化,并且考虑了未冻结组织和未损伤组织区域的血液灌注及代谢产热的影响。对比考虑和不考虑冷热刀刀头温度响应两种情形的计算结果表明,拟定治疗计划中若不考虑刀头温度响应,则有可能会造成冷热剂量的不足,从而无法彻底杀灭肿瘤。