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用1米掠入射光栅谱仪测量了在点聚焦和线聚焦两种打靶方式下,单脉冲或双脉冲驱动锗薄膜产生的等离子体XUV光谱。并对测得结果进行了分析讨论。在点聚焦打靶条件下,等离子体发射的XUV光谱主要为底衬材料发射的谱线,集中在小于19um的波长范围内。在靶长10mm线聚焦打靶条件下,Ge等离子体谱线增多,出现了GeXXⅢ3s─3pJ=0-1和J=2-1两条激光线。C离子的Hα线显著变强。 相似文献
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ICP/AES操作条件及氢化物发生条件对As、Se和Ge光谱信号影响的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文较系统地研究了ICP/AES操作条件及酸介质。NaBH4溶液浓度对As、Se和Ge谱线强度以及信背比的影响,讨论了这些元素的最佳检测条件,考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响,观察到As、Se和Ge氢化物发生中Ge的光谱信号的一些特殊行为,及Cu对Ge的氢化物光谱信号的增强。 相似文献
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ICP/AES操作条件及氢化物发生条件对As,Se和Ge光谱信号影响的… 总被引:1,自引:1,他引:0
本文较系统地研究了ICP/AES操作条件及酸介质。HaBH4溶液溶度对As,Se和Ge谱线强度以及信背比的影响,讨论了这些元素的最佳检测条件,考察了一些共存元素对氢化物光谱信号的影响,观察到As,Se和Ge氢化物发生中Ge的光谱信号的一些特殊行为,及Cu对Ge的氢化物光谱信号的增强。 相似文献
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用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸 总被引:4,自引:1,他引:3
用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc-Ge/SiO2)测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱,其结果与晶体Ge的拉曼谱相比,纳米Ge的拉曼峰红移峰形变宽,用拉曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸,所得结果与声子限域理论模型符合。 相似文献
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Si/Ge应变层超晶格的椭偏光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了几种不同组分的(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的椭偏光谱(2.0~5.0eV),并得到了其介电函数谱;应用介电函数的临界点理论,研究了(Si)M/(Ge)N应变超晶格材料的光学性质。发现短周期Si/Ge应变超晶格除了具有明显的E1和E2带间跃迁外,还存在与应力和超晶格能带的折迭效应有关的跃迁峰,其能量分别位于2.3~3.0eV和3.3~4.0eV范围内 相似文献
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用自洽场离散变分Xα(SCF-Xα-DV)量子化学计算方法研究了Te-Se-I玻璃及添加As和Ge元素的体系,讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ge-Se〉As-Se〉Te-Se,与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Te-I键比含有二配位碘原子的Te-I键强。As-As和As-I键比两类Te-I键都强。较强的As-As和As-I键取代较弱的T 相似文献
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High Performance AlGaAs Quantum Well Lasers with Low Beam Divergence Grown by Molecular Beam Epitaxy
YANG Guowen XIAO Jianwei XU Zuntu XU Junying ZHANG Jingming CHEN Lianghui WANG Qiming 《Chinese Journal of Lasers》1995,4(4):289-294
HighPerformanceAlGaAsQuantumWellLaserswithLowBeamDivergenceGrownbyMolecularBeamEpitaxy¥YANGGuowen;XIAOJianwei;XUZuntu;XUJunyi... 相似文献
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Ca3Al2M3O12(M=Si,Ge)石榴石中Ce^3+离子的荧光光谱 总被引:7,自引:0,他引:7
本文研究了Ca3Al2M3O12(M=Si,Ge)石榴石中Ge^3+离子的荧光光谱。在这两种石榴石中,Ce^3+的发射光谱均为Ce^3+的5d→4f能级跃迁发射宽谱带,但有很大差异。在锗酸盐中,Ce^3+的发射强度很弱,而在硅酸盐中发射强,295和77K下在Ca3Al2Si3O12中Ce^3+的荧光寿命分别为46和49ns。Gd^3+和助溶剂的引入可提高Ce^3+的发射强度。 相似文献
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镧系元素双1:11系列杂多蓝的红外光谱和紫外光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次系统研究了镧系元素钼采双1:11系列两子杂多蓝KzHy(Ln(XMo11O3902).nH2O(X=P,Ln=La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd;X=Si,Ln=Ce,Pr,Sm,Tb,Dy)的红外光谱和紫外光谱,对特征峰进行指认,并与还原前的杂多酸盐进行比较,发现有的特征峰出现小的位移,有的峰强度稍有变化,所以得出结论,还原前后,杂多阴离子结构基本不变,但有轻微的畸变。 相似文献
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The Design of the Black PatchTheDesignoftheBlackPatch¥GAOWanrong;ZHANGXingzhen;PANLaijiu;WANGJiangang(SpaceOpticsDepartment,X... 相似文献
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本研究了退火α-Ge/Cu(α-Ge是非晶体态Ge)叠层中输运性质,获得以下新的结果:(1)α-Ge/Cu室温电阻R300K与退火温度Tα之间关系出现反常;(2)α-Ge/Cu在退火过程中既出现互扩散,又存在固相反应和多相晶化;(3)实验首次发现在α-Ge/Cu膜中的分形现象,相应于分形结构,电阻率出现极小。 相似文献
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本文研究了退火a-Ge/Cu(a-Ge是非晶体态Ge)叠层中输运性质,获得以下新的结果:(1)a-Ge/Cu室温电阻R300k与退火温度Ta之间关系出现反常;(2)a-Ge/Cu在退火过程中既出现互扩散,又存在团相反应和多相品化;(3)实验首次发现在a-Ge/Cu膜中的分形现象,相应于分形结构,电阻率出现极小. 相似文献
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对类镓等电子序列GaⅠ-XeⅩⅩⅣ离子4s24p、4s4p2、4s2、5s组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析,找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测SuⅩⅩ-TeⅩⅫ离子4s24p、4s4p2、4s25s组态能级,并给出4s24p-4s4p2、4s24p-4s25S谱线波长和HXR方法的理论计算振子强度,理论计算值与实验值进行了比较。 相似文献
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利用透射电子显微镜(TEM)对有化合物生成(Pd2Ge和PdGe等)的Pd,Ge薄膜体系中的分形晶化行为进行了系统研究实验结果和分析表明:在各种退火温度条件下,Pd-Ge共蒸膜都难以发生分形晶化,Pd/a-Ge双层膜较a-Ge/Pd双层膜更容易导致分形结构的产生Z化合物Pd2Ge和PdGe的形成对薄膜中的分形晶化有明显的抑制作用,体系中能否出现分形结构,取决于非晶Ge的成核生长和Pd,Ge化学反应两种过程的相互竟争.
关键词: 相似文献
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研究了类Be氩离子内壳层电子光电离的激发能级,寿命和辐射速率,谱线波长和振子强度,并给出了位于“水窗”波段的谱线波长和谱线强度。 相似文献