纳米硫化铅溶解性的研究

采用一步室温固相化学反应法合成出纳米硫化铅，利用电导法测定了纳米硫化铅在水中的溶解性，结果说明，在相同条件下纳米硫化铅较常规硫化铅在水中的溶解性更好。     

多晶Co膜退火前后磁滞标度行为研究

研究了多晶Co薄膜制备态与退火态的磁滞回线与标度行为,结果表明：对易轴方向A∝A0＋H^（0.67-1.00）Ω^0.90,对难轴方向A∝A0＋H^（1.75-2.50）Ω^（1.45-0.95）,与理论计算（α=0．95,β=0．28（Heisenberg模型））作比较,A与H的关系符合的较好,A与Ω的指数关系有些差异,这种差异还有待进一步研究。     

掺杂硫化铅体系的电子性质研究

基于密度泛函理论和广义梯度近似,对掺杂PbS体系进行了电子性质的第一性原理计算. 首先,对恒定掺杂浓度(6.25%)时3种替换杂质(Cd、Sn、Sb)不同掺杂位置的形成能进行比较分析,得到了最稳定的掺杂结构. 然后,计算不同掺杂体系的能带结构,能带结构发生了平移,带隙随掺杂原子序数单调递减. 最后,研究掺杂前后光学性质,光学性质的显著变化出现在Sb掺杂的PbS体系中,主要包括介电光谱下杂质峰的出现、相关红移现象以及掺杂后吸收谱能带边缘的拓展. 同时,Cd掺杂PbS介电光谱的反射峰最小.     

室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究

采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2 的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.     

硫化铅量子点的能带调控

摘要：纳米材料的研究在近年来是材料科学中研究的重点方向,而纳米硫化铅作为新型的具有特殊光学性能的材料在各个领域都受到广泛应用。我们通过实验以求控制其量子点的颗粒变化,从而进一步研究其本身性质的改变。文中我们采用化学液相法,使用溶液混合反应共沉淀制备硫化铅量子点,并通过X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和紫外可见分光光度计（UV-vis）进行表征分析。实验过程中我们成功的通过调制反应溶液的浓度和添加表面活性剂的方法改变了硫化铅量子点的颗粒尺寸,制备了粒径由7nm到20nm的硫化铅量子点。颗粒尺寸的变化也导致了量子点光学特性和能带的改变。从实验的结果上可看出,实验成功制备了结晶性良好的纯硫化铅量子点,再通过形貌及性能的表征分析后,发现量子点的能带岁颗粒尺寸大小变化的规律。通过对量子点本身光学性能的研究,我们可以使其在太阳能电池等领域获得更好的应用,同时对新型材料的发展起到促进作用。关键词：硫化铅;量子点;能带;调控     

硫化铅纳米颗粒标记DNA电化学探针的研究

在水溶液中合成了表面具有自由羧基的硫化铅(PbS)纳米颗粒，以乙基-(3-二甲基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDAC)为偶联活化剂，将其标记于人工合成的5’端氨基修饰的寡聚核苷酸(ODN)片段上，制备成PbS纳米颗粒标记DNA探针．在一定的条件下，使其与固定在玻碳电极表面的待测DNA序列进行杂交反应，利用阳极溶出示差脉冲伏安法间接测定Pb(Ⅱ)的量，从而实现对互补、非互补DNA片段的识别和电化学检测．同时对该探针的稳定性、选择性进行了讨论。     

多晶铁氧体微波介电损耗的研究

通过对多晶Li系铁氧体和YIG的微波介电损耗的研究,认为固有电偶极子取向极化弛豫和介面极化弛豫是多晶铁氧体微波介电损耗的主要来源。同时,指出降低多晶铁氧体微波介电损耗的主要途径是:①抑制晶格中离子空位的产生、高价或低价杂质离子的混入,以及防止高导电相的出现;②减少宏观或微观的不均匀性(如气孔、另相等)。     

CdGeAs2多晶合成研究

以高纯(6N)Cd、Ge和As单质为原料,按CdGeAs_2的化学计量比配料,采用机械振荡和温度振荡相结合新方法合成出CdGeAs_2多晶锭,经X射线粉末衍射分析表明合成产物为高纯单相的CdGeAs_2多晶.用20℃/min的升温和降温速率对合成的CdGeAs_2多晶进行了DTA分析,结果显示CdGeAs_2多晶的熔化温度为669.24℃、结晶温度为615.55℃.根据DTA分析结果设计CdGeAs_2晶体生长温场,采用改进的Bridgman法生长出外观完整、尺寸为φ15 mm×45 mm的CdGeAs_2晶体,并对其进行解理实验,获得了完整、光滑的解理面,经XRD分析结果显示,连扫谱呈现(101)面的四级衍射峰,(101)面回摆谱峰尖锐、对称性好.     

葡萄糖氧化酶在氧化铋纳米多晶膜中的固定及生物传感

以实验室合成的纳米氧化铋(BiOx)为载体,经戊二醛交联,将葡萄糖氧化酶(GOD)固定于铂盘电极表面,从而构筑新型葡萄糖生物传感器.所得修饰电极利用扫描电镜(SEM)、红外光谱(IR)和电化学交流阻抗(EIS)等方法进行了详细表征.扫描电镜显示纳米氧化铋由大量具有二维片状纳米结构和一维纳米线组成;氧化铋纳米片厚度为80～110 nm,并具有亚微米和微米级别的横向尺寸;氧化铋纳米棒、线的直径约为40～50 nm.实验结果表明,构筑传感器的最佳条件为:GOD与BiOx的质量比为2:1,酶固载量为30 μg.同时还考察了溶液pH以及操作电位对传感器响应电流的影响.该传感器在0.5 V(VS.SCE)电位下检测葡萄糖,线性范围为l×10-3～1.5 mmol/L,检出限为0.4μmoVL(信噪比为3),酶催化反应的表观米氏常数为2.88 mmol/L.同时该传感器还表现出响应迅速(5 S)、重现性好、使用寿命长等优点.     

星形树枝状硫化铅纳米晶的制备

在CTAB（十六烷基三甲基溴化铵）的辅助下,以醋酸铅和硫代乙酰胺为原料,在80 ℃的水热条件下反应5 h制备了星形树枝状的硫化铅纳米晶,并用XRD、TEM、SAED、SEM对产物进行了表征。结果显示得到的产物为立方相PbS单晶,星形结构的6个臂分别指向立方相PbS晶体的6个<100>方向。研究发现CTAB的使用和硫源的释硫速率对生成这种星形树枝状结构起了很大的作用。     

TiO2多晶结构的分子动力学研究

采用在经典离子晶体作用势中附加莫尔斯势,并进行必要量子化修正,对ＴｉＯ２的金红石、锐钛矿和板钛矿型晶体结构随温度、压力的变化特性进行分子动力学模拟计算,获得了比以往更为精确的模拟结果,并对高温高压下的结构特性做出了预测性计算模拟．     

砷化镓多晶表面清洗技术的研究

根据实际生产经验,分析了GaAs多晶料表面杂质的类型、产生原因及对后续单晶生长的影响,明确了多晶表面清洗工艺的重要性,介绍了针对不同类型杂质的清洗方法和原理,并在此基础上进行了多晶表面清洗实验,结果表明:无论是酸性清洗液还是碱性清洗液,都能达到去除GaAs多晶表面杂质的目的;Ga和As各自的氧化物在酸、碱溶液中溶解的难易程度决定了利用不同清洗液清洗后,多晶表面的光亮程度;从安全性和环保性角度来看,碱性清洗液是清洗多晶料表面更好的选择。     

淀粉多晶体系结晶度测定方法研究

阐述了淀粉多晶体系X射线衍射曲线图中,微晶衍射区、亚微晶衍射区和非晶衍射区的划分方法;同时提出了根据一条X射线衍射曲线计算淀粉样品对结晶度和亚微晶结晶度的近似方法。     

衬底处理方式对电化学法制备的BaWO_4多晶膜形貌的影响

采用恒电流型电化学工艺,控制适当的电化学反应条件,分别在酸腐蚀的钨片和机械抛光的钨片上制备了BaWO4多晶膜.运用XRD,SEM测试手段分析表征了产物的晶相和表面形貌,结果表明,在相同的电化学条件下,机械抛光这种衬底处理方式可以较为有效地改善BaWO4多晶膜的表面平整度和均匀性.     

多晶莫来石耐火纤维

德清县莫干山耐火器材厂,经过两年的试验研究,研制成一种莫来石相晶态耐火纤维,经有关单位试用,具有良好的耐高温、节能效果。用陶瓷耐火纤维作工业窑炉耐火隔热材料是国家重点推广的新材料之一,然而至今为止还只能以熔融喷射法生产耐温为1000℃     

CuInSe2多晶薄膜的光学特性研究

根据ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的反射特性和透射特性,研究了薄膜的吸收系数α（λ）、消光系数ｋ（λ）、折射率ｎ（λ）以及光学禁带宽度Ｅｇ．结果表明,用双源法制备的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性和其它方法获得的ＣｕＩｎＳｅ２多晶薄膜的光学特性基本一致     

淀粉多晶体系的亚微晶结构研究

通过对淀凝胶,预糊化淀粉以及不同状态的玉米原淀粉颗粒的广角X射线衍射研究,提出了在淀多晶体系中存在大量的介于微晶和非晶之间的亚微晶结构,同时明确了这三种结构在X射线衍射曲线中的对应区域,从而进一步揭示了[人颗粒结构的实质。     

制备CdTe多晶薄膜升温过程的研究

采用近空间升华沉积法CSS(Close space sublimation),在3种不同升温过程中沉积制备CdTe多晶薄膜,通过实验数据作出其升温曲线,采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、微电流高阻计等方法对沉积膜的性能进行测试分析.研究了在CSS法中控制升温过程对CdTe生长沉积机制及其沉积质量的影响.结果表明升温过程对CdTe多晶薄膜的沉积过程有重要的影响.其中,以氢气刻蚀后拉开衬底与升华源之间的设定温差,并保持固定温差至设定温度的升温过程的沉积质量最佳.     

Te掺杂AlSb多晶薄膜的性质研究

本文用蒸发的方法在AlSb薄膜上蒸镀一层Te膜,再经过退火处理使Te扩散进入AlSb实现掺杂.对薄膜的结构、电学及电子学性质进行了表征.结果表明,AlSb:Te薄膜在退火后,出现了AlxTey化合物.AlSb:Te薄膜在150 ℃~170 ℃之间表现出反常的电导率温度行为,且AlSb:Te薄膜在这一温度区间退火后呈现n型导电类型,而在更低或更高温度退火则为p型导电类型,这样的实验结果尚未见他人报道.