反常输运性质Bi2Sr2CaCu2O8单晶的生长

使用自助熔剂融化法成功的制备了Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶。在对所得单晶进行输运性质的研究时,我们发现一种反常扔物理特征：在超导涨落区观察到反常的电阻峰,从Bi2Sr2CaCu2O8单晶的颗粒超导电性方面我们给出了合理的解释。     

Bi2Sr2CaCu2Oy超导单晶的研究进展

近两年来对氧化物高临界温度超导体的研究巳取得了很大的进展．本文总结了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ超导单晶的研究成果，从若干方面对这种单晶材料的性质作了全面的阐述，例如电子结构、磁性质、输运性质、二维涨落性质等；对一些关键性的实验作了深入的讨论，并指出了一些还需要进一步研究的问题．     

Bi2Sr2CaCu2Ox单晶的磁性质研究

测量了单晶 Bi_2Sr_2CaCu_2O_x 的磁化强度随磁场和温度的关系.发现样品除在 TT_c 还有较弱的抗磁性:|X_n|～10~(-7)cm~3/g.|X_n|随温降低或外场增加而增加,在外场平行于 b 和 c 轴时 X_n 也是不同的:测量前用纯 N_z 气处理过的样品或在纯He 气中长时间测量过的样品 T_c 较高,转变较剧烈,且后一种情况下 T_c 是随测量时间增加而增高的.所以认为 Bi 系高温超导体的 T_c 与样品的氧含量有关.初步讨论了上述性质的机制.     

Bi2Sr2CaCu2O8+δ单晶超导临界温度的各向异性

研究了具有不同氧含量的Bi2Sr2CaCu2O8 δ单晶超导临界温度的各向异性,通过测量沿ab面和c轴的电阻率发现,在轻欠掺杂到过掺杂区域,单晶沿ab面和c轴的Tc值是比较接近的,但在重欠掺杂区,沿ab面的Tc值比c轴的Tc明显高,从平衡态的相位涨落模型可以得到,由于涨落效应对 c轴的临界电流密度的压制作用比对ab面的要强,导致了Tc的各向异性,但这种模型无法解释重欠掺杂超导体中ab面和c轴的Tc如此大的差别,我们认为重欠掺杂超导体中的相位涨落行为不同于其他掺杂超导体中的行为,实验和理论上都值得进一步深入研究。     

Bi2Sr2CaCu2Oy单晶在强磁场下的交流磁化率研究

本文研究了 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y,单晶在磁场 H 垂直于 c 轴情况下的交流磁化率,得到了交流磁化率虚部峰温度 T_p 和外加直流磁场 H_(DC)的关系为:(1-T_P/T_c)∝H_(DC)~(0.2).本文还对不可逆线进行了讨论,并和用其他方法测量的不可逆线作了比较.     

无光刻法制备Bi2Sr2CaCu2O8＋x单晶内禀结

我们发展了一种简易的、无光刻法制备Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏ８＋ｘ单晶内禀结的新型工艺，制备过程简单，重复性好，成功率高，结面积在２０μｍ×２０μｍ～８０μｍ×８０μｍ之间．同时，我们测量了内禀结的直流Ｉ～Ｖ特性，得到了具有多路电阻分支的内禀约瑟夫逊直流Ｉ～Ｖ特性曲线     

Bi2Sr2CaCu2O8＋Y单晶生长机制及缺陷的观察

在采用熔体生长加电极方法生长 Bi_2Sr_2CaCuO_(8+δ)单晶的基础上,利用 X 光衍射、扫描电镜和透射电镜等手段对 Bi_2Sr_2CaCu_2O_(8+y) 单晶进行了结构观察。结果表明:Bi 系2212相单晶属螺旋位错生长机制;观察到在晶体中除存在着大量位错外,还存在微裂缝;往往以一种迭层形态存在,中间夹在少量杂质,对其晶体生长机制及缺陷形成的原因进行了讨论。     

Bi2Sr2CaCu2Oy单晶的变温(77～300K)X射线衍射研究

我们进行了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ（Ｂｉ２２１２）单晶变温Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）研究，定量给出温度从７７Ｋ变化至３００Ｋ时，ｃ轴晶格参数和００３８主峰的半高宽（ＦＷＨＭ）Δθ的变化。实验发现，从７７Ｋ至１４０Ｋ，晶格参数ｃ值变化是线性时，随温度较慢地单调增大；从１４０Ｋ附近至３００Ｋ，ｃ值的变化偏离了原来的线性，随交快地单调增大。另外，００３８主峰的半高宽Δθ随温度的变化在１４０Ｋ附近出现一个极大     

Bi2Sr2CaCu2O8单晶S-N转变的E-J特性

我们应用脉冲电流的方法测量了Bi2Sr2CaCu2O8单晶在4特斯拉强场下的大电流时等温E－J特性,我们观察到在大电流时,样品电阻率ρ迅速增大,随着电流的继续上升,经过一段正曲率增长阶段,几乎达到饱和值,最后经过一段负曲率上升,达到正常态,显示出完整的S形,应用尹道乐等人的统一物质方程理论,给出了实验曲线较好的数值拟合,根据拟合结构,讨论了理论中各个参量的物理意义。     

中子辐照对Bi2Sr2CaCu2O8Tc的影响

本文报道低通量慢中子辐照对Bi_2Sr_2CaCu_2O_8超导体的电阻转变的影响,而且辐照的这种影响随时间退化较小。结果可用改善弱连接来解释,说明低通量中子辐照也可作为研究超导体性质的一种手段。     

Bi2Sr2CaCu2O8超导单晶中的电阻反常行为

测量了Bi2 Sr2 CaCu2 O8单晶的ab面和c轴方向电阻 ,在其超导转变温度附近发现了反常的电阻峰出现 .其随外磁场 (>10 0Gs)和电流的增加而逐渐消失 .文章认为这个反常的电阻峰是由于单晶中超导相的不均匀分布而导致的准再进入行为 .     

室温下过搀杂Bi2212高温超导单晶的化学相分离

我们用高灵敏度的交流磁强计研究了Bi2212高温超导单晶的超导转变行为,发现对过搀杂的单晶样品,高温退火处理后立即测量,磁化表现为陡峭的超导转变.但是放置一段时间(数周)后,磁化曲线出现多个转变,并且再次高温退火能将其恢复为单一转变.说明即使是很均匀的单相,随着时间的推移,也会出现相分离现象.这一结果表明,在室温下,单晶中的氧原子仍然能够移动,而且倾向于重新排布形成不同的相.新形成的相的的磁化曲线有约瑟夫森弱联的特征,暗示新相是以小的团簇形势存在,团簇之间以约瑟夫森弱联耦合起来.另一方面,对最佳搀杂的单晶样品,没有观察到相分离现象.     

SURFACE PHASE DECOMPOSITION IN Bi2Sr2CaCu2O7-y SINGLE CRYSTALS UNDER NITROGEN IONS IRRADIATION

The influence of irradiation by 30 keV nitrogen ions with a fluence 1×10¹⁸N⁺·cm^-2 on the crystal structure of single crystal Bi₂Sr₂CaCu₂O_7-y was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. The irradiation caused a transformation from Bi₂Sr₂CaCu₂O_7-y (2212 phase) to Bi₂Sr₂CuO_5-x (2201 phase). It was observed that. a small amount of metallic bismuth with an average thickness of about 6.3nm appeared after the irradiation. The possible reaction mechanism under nitrogen-ion irradiation was discussed.     

Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8

We study the Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8 using angle resolved photoemission spectroscopy (ARPES) with a momentum resolution of approximately 0.01 of the Brillouin zone. We show that, contrary to recent suggestions, the ARPES derived Fermi surface is a large hole barrel centered at (pi,pi), independent of the incident photon energy. We caution that the photon energy and k dependence of the matrix elements, if not properly accounted for, can lead to misinterpretation of ARPES intensities.