氧化亚铜黄系和绿系激子吸收线的应力位移

一、引言 氧化亚铜晶体在可见区域的光谱相当丰富而且颇有规律,它是固体光谱方面研究的极好对象。在这种晶体上已经发现了四个激子系。研究黄系吸收线的塞曼效应与加压效应以及青系和蓝系反射带的加压效应已经获得了关于晶体能带结构的若干知识。关     

氧化亚铜青系和蓝系激子反射带的应力分裂

一、引言 在青蓝光谱区观察到氧化亚铜有两个强的反射带。Γpocc与张光寅还观察到了一些弱带,并认为在青区和蓝区各有一个激子线系,一个叫青系,一个叫蓝系。Γpocc,对一些氧化亚铜单晶,分别沿对称轴C_4,C_2和C_3施以     

激子效应对双曲型量子线中非线性光学吸收率的影响

本文研究了双曲型量子线的三阶非线性光学吸收率,着重研究了激子对其影响,并且利用密度矩阵算符理论导出了三阶非线性光学吸收率的解析表达式。最后,以A1GaAs/GaAs双曲型量子线为例作了数值计算。数值结果表明,当线宽增加时,激子效应对三阶非线性光学吸收率的影响越来越弱,特别是,当线宽接近于扩散长度时,激子效应将显着减弱。     

CdS和ZnO中应力引起的激子分子的发射线劈裂

在1.8K观察到N_2激光器激发的纤锌矿型CdS和ZnO在单轴应力下的自发发射线的劈裂现象。虽然对相对于样品的晶轴C的n个应力取向做了测量,但只在殊特的几何位置C和K∥C观察到发射线的劈裂,图1示     

极性晶体界面附近激子的性质

本文利用么正变换方法计算了极性晶体界面附近激子的基态能量,得到了激子基态能量及倒半径随激子质心距界面距离变化的曲线。发现当晶体在真空中时,表面会出现死层,晶体与金属相接触时,界面附近会出现相变。     

平面晶体谱仪弯曲谱线波长定标方法

为了满足激光等离子体X射线光谱测量的需要,提出了一种利用平面晶体谱仪记录得到的弯曲谱线来进行波长标定的新方法。传统的参考谱线法需要已知两条以上谱线的确切波长才能进行波长标定,而利用弯曲谱线可以在不知道任何谱线信息的情况下进行波长标定。通过对实验中所获得的铝等离子体Heα自发射谱线弯曲图像的分析,得到在目前所使用的谱仪条件下,该方法的波长定标精度可以达到2×10-4 nm。     

平面晶体谱仪弯曲谱线波长定标方法

为了满足激光等离子体X射线光谱测量的需要,提出了一种利用平面晶体谱仪记录得到的弯曲谱线来进行波长标定的新方法。传统的参考谱线法需要已知两条以上谱线的确切波长才能进行波长标定,而利用弯曲谱线可以在不知道任何谱线信息的情况下进行波长标定。通过对实验中所获得的铝等离子体He自发射谱线弯曲图像的分析,得到在目前所使用的谱仪条件下,该方法的波长定标精度可以达到210-4 nm。     

极性晶体中极化子效应对界面强耦合激子性质的影响

在Huybrechts关于强耦合极化子的模型基础上,采用LLP变分法研究了极性晶体中激子与IO声子强耦合、与LO声子弱耦合体系的基态能量,推导出了激子的自陷能和诱生势的表达式,并以AgCl/AgBr晶体为例进行了数值计算,结果表明,激子的自陷能不仅与激子的坐标z有关,而且电子-空穴间距离ρ对激子自陷能的影响也十分显著;激子的诱生势不仅与电子-空穴间距离ρ有关,而且激子距离晶体界面的位置z对诱生势的影响也十分显著.     

考虑晶体应力情况下的单块非平面环形腔分析

简要分析了单块非平面环形腔单频激光器的基本原理,并采用琼斯矩阵计算了单块单向行波非平面环形腔内的本征偏振态。深入分析了磁场强度、输出面偏振反射系数、入射角、非平面角及腔内其它参量对各本征偏振态的损耗及两本征偏振态间损耗差的影响,并且指出如何选择各参量以降低本征偏振态的损耗且增大两本征偏振态间的损耗差。最后还通过计算晶体应力在两个本征偏振态方向引起的相位差,讨论了应力作用方向以及应力双折射系数对腔内本征偏振态的损耗和两本征偏振态间损耗差的影响。     

论极性晶体中Wannier激子的稳定性

本文中用作者之一过去得到的极性晶体中激子的有效哈密顿量,计算了Wannier激子的基态能量,从而得出结论:只有当电子、空穴的有效质量比在一定范围时,激子相对于离解为自由电子和空穴是稳定的。 关键词：     

极性晶体中慢激子极化势的性质

本文讨论极性晶体中慢激子极化势的性质,把作者过去的工作推广到电子和空穴质量不相等的情形。采用微扰法,在忽略反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用后,计算了二级近似的波函数。由此进一步计算了慢激子的极化电势,发现:激子的极化电势受到纵光学声子的屏蔽,其屏蔽长度与纵光学声子的频率、激子的质量的平方根成反比;极化电势和电子、空穴质量有关,在电子、空穴质量比等于1时最小。 关键词：     

晶体电子在外场作用下的Bloch振荡和散射对电流的影响

通过对晶体周期势场中电子在直流外场作用下的Ｂｉｏｃｈ振荡的分析，指出晶体在外场作用下的电流是由于电子受到散射的结果；没有散射作用，电子在外场作用下的运动为Ｂｌｏｃｈ振荡，不产生电流。     

BSO晶体中光折变增益与入射面情况的依赖关系

用两波混频方法在514.5nm(氩离子激光器)对BSO晶体中光折变增益与入射面情况的依赖关系进行了研究,由于BSO晶体围绕<110>轴旋转时受主能级状态的影响,从而光折变增益将取决于衍射效率的改变。     

SO和LO声子对GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中激子束缚能的影响

本文考虑了电—声子耦合作用,应用么正变换方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs量子阱中的激子束缚能;得到了激子束缚能随阱宽变化的曲线。当考虑激子声子相互作用后,激子相对于电子极化子和空穴极化子的第一子带底的束缚能小于相应的裸激子的束缚能量。     

外加电场对掺杂KNSBN晶体空间电荷场的影响

利用掺铈KNSBN晶体,在633nm下观察和测试了外加电场对晶体内部空间电荷场的基频和高阶分量的记录和擦除特性的影响,并对所得实验结果进行了分析。 关键词：     

FURTHER STUDY OF SEVERAL PHYSICAL EFFECTS ON THE CALCULATION OF ANGULAR DISTRIBUTION BASED ON EXCITON MODEL

In order to understand angular distribution deviation betweep the calculation based on conventional exciton model of the preequilibrium and equilibrium decays and the experimental data,especially the underestimate of angular distribution by the theory at backward angles, an exact closed form solution to the time-integrated master.equation of the exciton model by including the effects of the Fermi motion, the Pauli principle, the finite nuclear size and the refraction of the incident wave at the nuclear surface is applied to the calculation of the angular distribution, In this paper the neutron inelastic scattering cross sections.for 34 elements at 19.6 MeV have been calculated and compared with experimental data measured by Hermsdorf et al.The results show that because the influence of several: physical effects mentioned above has been taken into account the theory can explain the presently available experimental data and is especially suitable for solving the problem of the double differentia1; cross section for emitted neutrons with higher energy at backward angles.     

线相干效应对测量重叠谱线线参数的影响

利用环形腔掺钛宝石激光自动扫描系统、公里级怀特池系统和信号探测系统，我们对氧分子Ａ带重叠谱线区（１３１６２．８５～１３１６５．３３ｃｍ￣（－１））进行了高分辨吸收光谱测量，给出了８条谱线的线宽、线强的实验值。同时通过对测量数据的分析，首次证明在谱线重叠区，谱线之间的线相干效应不仅影响谱线之间的吸收率，而且同样影响线参数测量值的精度。在０．１ＭＰａ与光程为１ｋｍ时，它对线强、线宽的测量值和透过率的最大影响分别可达８．８％、１６．６％和８．３％。     

低温偏硼酸钡(BBO)单晶包裹物的X射线形貌衬度

本文叙述低温相偏硼酸钡β-BaB₂O₄(BBO)单晶包裹物的两套等三角锥形X射线形貌衬度,并且讨论了其衬度的主要来源。 关键词：     

动载下剪应力对硫化镉单晶相变影响的实验研究

 动载下剪应力对相变起始压力有无影响，长期以来一直是一个未解决的问题。Duvall和Graham建议用硫化镉（CdS）晶体来作为判断材料。本文采用前后压电石英传感器方法系统地研究了高速平面撞击下的c轴CdS单晶试样中剪应力对相变起始压力的影响。实验测得其轴向相变起始应力为σ_T=(3.25±0.1) GPa，对应的平均压力p_T=(2.29±0.07) GPa，与静高压值2.3 GPa相比在实验误差范围内很吻合，这时相应的剪应力τ_T=0.72 GPa，高达平均压力的31.5%。这一结果表明，相变机制可以假定为仅与临界平均应力或临界热力学状态有关，剪应力对相变起始压力的影响可以忽略。