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<正>——本文概述了近年来Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的外延,特别是有关电外延,金属有机化合物和分子束外延的国内外发展动态及其应用;同时也简要地介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物外延的物理化学. 相似文献
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本文概述了离子注入Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的离子纯度,非晶/再结晶的机理,并讨论一些离子在GaAs、InP、GaInAs及四元化合物中的分布以及衬底对注入层特性的影响。 相似文献
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Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展 总被引:2,自引:0,他引:2
Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述 相似文献
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沃新能 《激光与光电子学进展》1964,1(6):25
发展得最完整的Ⅲ-Ⅴ族半导体光激射器为GaAs p-n結二极管,其运转波长,于室温时为9000埃,77 °K时为8400埃,于4.2时能连续运转。 相似文献
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GaAS、Inp等Ⅲ-Ⅴ族化合物华寻体材料广泛地用于制备光电二极管、激光器、太阳电池、传感器、微波器件和集成电路等.在制备中外延工艺常常是不可少的.尤其在一些新型器件诸如HEMT器件、HBT(异质结双极晶体管)、量子阱激光器和超晶格器件的研制中更是如此.目前,除采用传统的VPE、LPE工艺进行Ⅲ-Ⅴ族半导体的薄膜生长外,更多地注意应用一些外延新工艺进行生长,以便获得新型器件研制所要求的超薄层和多层的组合材料. 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1993,(1)
<正>据《Semiconductor World》1992年第11期报道,日本三洋电机公司研究一种新的杂质扩散技术,形成了良好的n型和p型导电层。 新技术采用等离子CVD法,在Ⅲ-Ⅴ族片上生长氧化硅膜(下层)和氮化硅膜(上层),通过短时间热处理形成n型和p型导电层。淀积SiO_x膜的气体为SiH_4,和N_2O,淀积Si_xN_y,膜的气体为SiH_4,NH_3,N_2。下层SiO_x膜中的Si和O的比为1:2,上层膜的组分控制要防止晶体中 相似文献
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体红外光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究利用傅里叶变换红外光谱仪,在中红外至远红外范围测量了GaAs、InP的红外反射光谱,在测量范围内均观察到两个反射极小值.用计算机对理论模型进行了数值计算.由计算曲线和实验光谱很容易确定载流子浓度和迁移率. 相似文献
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陈兆铮 《固体电子学研究与进展》1993,(4)
<正>据日本《电子材料》1992年第11期报道,日本三洋电机公司在世界上率先开发新的杂质扩散技术,即在GaAs为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体上,在低温及短时间内重新形成n型和p型导电层。该技术在半导体上用等离子体CVD法沉积氧化硅膜和氮化硅膜,这种片子经过短时间热处理,把SiO_x中的Si扩散到半导体中,在高浓度下重新形成薄的导电层(n型和p型)。可在片子的整个表面和凹凸部(腐蚀孔)等处,在不同形状(亚微米图形到大面积图形)下,任意选择形成导电层。该技术可控制膜的折射率和腐蚀速度,其措施如下;(1)SiO_x下层膜,硅和氧的比例超过1:2,富含Si(2)Si _xN_y上层膜,使晶体中的As等Ⅴ族原子不向外界扩散。 相似文献
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薛舫时 《固体电子学研究与进展》1987,(1)
使用分区变分法计算了GaAs、GaP、AlAs和AlP的能带。运用三个势场调整参数所算出的能带和实验结果基本吻合。在个别能级次序方面得到了同以往理论不同的结果。用所得的晶体势进一步计算了GaAs_xP_(1-x)、AlAs_xP_(1-x)、Ga_xAl_(1-x)As和Ga_xAl_(1-x)P的合金能带。在带边随组分而改变的关系中得到了一些新的结构。 相似文献
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基于平面波展开法,以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体,并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙,形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大,f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙,AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。 相似文献
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应用平面波展开法研究Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成光子晶体能态密度特性,得到填充率f随品格半径a之间的变化对应的能态密度分布,当f=0.2a时归一化频率存在最大光子带隙。通过比较化合物半导体材料为AIP、AJAs、AISb和GaP构成二维方形光子晶体得出GaP有较宽的光子禁带,随着填充率的增加光子晶体带隙增加。研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。 相似文献
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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一,硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法,文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。 相似文献
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利用Ⅲ-V族化合物半导体量子阱材料的量子限制Stark效应制作的电吸收型光调制器具有调制电压低,调制速度快、器件尺寸小、结构简单并易于同半导体激光器集成等优点,适于进行高性能、高速度的信息编码和处理,在光通信、光计算和光互联中具有广泛的应用前景。本文以光通信为主要应用背景,论述了量子阱调制器的开关比和调制电压、插入损耗、调制带宽、频率啁啾等各项技术指标,指出了量子阱调制器存在的工作波长范围窄和饱和吸收等主要问题并讨论了可能的解决途径,最后讨论了量子阱调制器在光电子集成,主要是半导体激光器和量子阱调制器单片集成方面的应用、发展情况和存在问题。 相似文献
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90年代初Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的实和化似乎还很遥远,但是自从蓝光GaN/GaInNLED研制成功之后这个领域发巨变。目前,GaN成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中,基于GaN材料的激光器,HV探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。 相似文献
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本文用热电势和直流电导变温测量相结合的方法,研究了离子束轰击单晶GaAs、GaP和Inp得到的薄层非晶态化合物半导体材料的电学行为。结果表明,离子轰击非晶化是研究和了解非晶化合物半导体基本特性的一种良好手段。 相似文献
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本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金属复盖度的增加而增加的模型进行理论计算,计算结果与实验曲线相吻合。 相似文献