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讨论了4GHz GaAsFET低噪声集成放大器的直流及微波电路设计,介绍了不同的直流偏压电路和微波电路结构。最后给出了用国产CX51型GaAsFET制作的4GHz(4.1~4.4GHz)低噪声放大器的测试结果。这种两级放大器的噪声系数NF≤2.5dB(包括内部微带隔离器),功率增益Ga≥20dB。 相似文献
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两端二极管器件可用于毫米波频率,而现在的FET可达100GHz,甚至更高。 相似文献
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<正> 据报导,日本NEC公司开始出售两种高性能的超低噪声GaAsFET,型号为2SK406、407,作为大量生产的GaAsFET来说,其截止频率是世界上最高的,为60GHz。采用0.3μm的栅长,实现了低噪声化,在12GHz下,标准噪声为1.4dB,超过了现在的世界最高水平(1.7~1.8dB)。在1dB压缩时的输出功率为25mW。工艺上采用了“三层连续外延层形成技术”,形成高浓度低阻的GaAs漏源区,实现了器件的高性能化、性能均匀化和廉价化。此外,在 相似文献
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本文介绍已用于卫星通信地面接收小站,取代常温参放作为前置低噪声放大器的4GHz低噪声AaAsFET放大器的研制情况。文中分析FET放大器的噪声模型;阐明FET放大器的噪声与频率及温度的关系;提供放大器电路的设计与调整方法;最后给出由两级FET组成的放大器的实测性能:增益G>20dB,平坦带宽B>500MHz,整机噪声温度Ter≤150K(含输入波导隔离转换及接收机后级的影响),增益波动△G<±0.5dB,增益斜率△G/△f≤±0.2d B/50MHz,群时延τ_(P-P)≤0.4ns/任意50MHz,1dB增益压缩点的输出功率P_(out)=+4dBm,三次交调产物与载波比I/G≤55dB,工作环境温度t=-40℃~+50℃。 相似文献
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低噪声接收机系统的性能因受连接接收机和天线的传输线噪声影响而降低。因此,接收机的性能在一定程度上受射频放大器频带内天线阻抗变化的影响。本文描述能使放大器外部影响减至最小的L波段前端。这种设计使直接连接天线的波导法兰盘产生最小的接收机等效 相似文献
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研制了5.3~5.9GHzGaAsFET低噪声集成放大器。小批量生产后达到的指标是:典型值:增益=22dB;噪声系数<3.5dB;带内增益起伏<±0.75dB;最佳值:增益=24dB,噪声系数≤2.94dB(噪声系数值均含外接隔离器约0.3dB的插入损耗),带内增益起伏<±0.5dB。测量了高电平射频脉冲信号对GaAsFET放大器的影响,为放大器用于收发公用天线的系统中对防护器件的要求提供了初步依据。 相似文献
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1GHz 0.5μm CMOS低噪声放大器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
从低噪声放大器(L NA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用L NA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC0 .5 μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的L NA功耗小于15 m W,增益大于10 d B,噪声系数为1.87d B,IIP3大于10 d Bm,输入反射小于- 5 0 d B.可用于1GHz频段无线接收机的前端 相似文献
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从低噪声放大器(LNA)的设计原理出发,提出并设计了一种工作于1GHz的实用LNA.电路采用共源-共栅的单端结构,用HSPICE软件对电路进行分析和优化.模拟过程中选用的器件采用TSMC 0.5μm CMOS工艺实现.模拟结果表明所设计的LNA功耗小于15mW,增益大于10dB,噪声系数为1.87dB,IIP3大于10dBm,输入反射小于-50dB.可用于1GHz频段无线接收机的前端. 相似文献
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研制出一台全固态低噪声连续单频Nd∶YVO_4-LBO双波长激光器,通过优化三硼酸锂(LBO)的匹配温度,获得了波长为1.06μm的激光功率为3.8 W、波长为532 nm的激光功率为7.8 W的连续单频双波长激光输出,并有效降低双波长激光的强度噪声和相位噪声。实测的1.06μm和532 nm波长激光的强度噪声均在分析频率大于3.5 MHz时达到散粒噪声极限,相位噪声均在分析频率大于5 MHz时达到散粒噪声极限。当采用Pound-Drever-Hall锁腔技术锁定激光器的腔长时,1.06μm波长激光在1 h内的频率漂移小于±0.8 MHz。实测的1.06μm和532 nm波长激光在5 h内的功率波动分别小于±0.63%和±0.47%,光束质量因子分别为1.04和1.12。 相似文献
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《电子工业专用设备》2011,(2):62-63
CMOS成像技术领域的领先创新厂商Aptina目前宣布,该公司将在2011年世界移动通信大会上展示其新型1.1μm和1.4μm背照式(BSI)图像传感器,此次人会将在西班牙巴塞罗那举行。 相似文献
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采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超外差接收机的高线性度、低噪声系数下变频混频器,基于经典基尔伯特混频器架构,该混频器采用共栅结构跨导级提高线性度,引入电容交叉耦合技术增加跨导增益及降低噪声系数,并通过电流注入技术同时降低开关级和跨导级的噪声贡献,在1.8V电源电压下,后仿真结果显示,该混频器消耗功耗12mW,取得噪声系数10.75dB,输入1dB压缩点1.45dBm.达到了预期的高线性度、低噪声系数性能要求。该混频器占用面积为650μm× 655μm。 相似文献
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随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50Hz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能,越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0.35μmCMOS工艺实现的2.9GHz单片低噪声放大器,放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成。在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB. 相似文献
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实现了一种能运用于光传输系统SONET OC-192的低功耗单级分接器,其工作速率高达12Gb/s. 该电路采用了特征栅长为0.25μm的TSMC混和信号CMOS工艺. 所有的电路都采用了源极耦合逻辑,在抑制共模噪声的同时达到尽可能高的工作速率. 该分接器具有利用四分之一速率的正交时钟来实现单级分接的特征,减少了分接器器件,降低了功耗. 通过在晶圆测试,该芯片在输入12Gb/s长度为231-1伪随机码流时,分接功能正确. 芯片面积为0.9mm×0.9mm,在2.5V单电源供电的情况下的典型功耗是210mW. 相似文献
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采用电子束曝光技术刻制栅电极及减小源栅寄生电阻的方法,发展了0.25μm 栅低噪声 GaAsFET。18GHz 下,噪声系数为1.9dB,相应增益为7dB(漏电流为10mA 时),最大有用增益为11dB(漏电流为30mA 时)。30GHz 下,噪声系数为4dB,相应增益为5dB,最大有用增益为8dB。测得的噪声系数是迄今所报导的最好值。本工作证明,GaAsMESFET 能够在毫米波范围工作。 相似文献
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介绍了一种基于0.35μm CMOS工艺的4位最大采样速率为1GHz的全并行结构模数转换器的设计.因为在高采样率的情况下,比较器的亚稳态问题降低了模数转换器的无杂散动态范围,在本次设计中对其进行了优化.后仿真结果表明,输入信号为22.949MHz,在1GHz采样率的情况下,信噪比达到25.08dB,积分非线性和微分非线性分别小于0.025LSB和0.01LSB,无杂散动态范围达到32.91dB.芯片采用具有两层多晶硅的0.35μmCMOS工艺设计,总面积为0.84mm2. 相似文献
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