蚕丝蛋白的NMR研究Ⅲ.天蚕茧层固态13C CP-MASNMR研究

本文分别测定了东北天蚕茧和龙蛓天蚕茧各内,中,外三层茧层的固态¹³C CP-MASNMR波谱,对其谱峰进行了归属,估算了谱峰区主要谱线在该区所占的比例,还计算了各个茧层丝蛋白中无定形状态所占的百分含量。谱图显示了东北天蚕茧层与龙(蛓)天蚕茧层丝蛋白结构的差异。     

红外光谱法测定天蚕茧层丝蛋白结构

本文用红外光谱法测定了天蚕暗层丝蛋白结构,发现新的天蚕茧某种程度被氧化,且河南天蚕茧比东北天蚕茧氧化更甚些。确认龙蚝天蚕不同于东北及河南天蚕茧层丝蛋白结构,而是一种新的蚕丝蛋白。用柞蚕茧氧化实验证明了东北及河南天蚕茧１５３０ｃｍ＾－１谱峰强度降低的原因及其１３２０ｃｍ＾－１和７７０ｃｍ＾－１两谱峰的由来,并对后面两个谱峰给予了归避。     

白色柞蚕茧层的光谱研究

本文用红外光变和紫外光谱研究了近年培育成功的白色柞蚕茧层，发现该白茧与传统黄褐色柞蚕茧层丝蛋白一级结构２的主体相同，白茧还残留着少量的龙胆酸与丝蛋白的交联物，交联物的残留量越少其白度越好，其中有一种白度最好，几乎与白色桑蚕茧层没有差异。     

蚕丝蛋白的NMR研究——Ⅰ.桑蚕及柞蚕的液体高分辨NMR研究

本文在Bruker AM-500 NMR谱仪上,测试了河南桑蚕、辽宁柞蚕(黄茧和人工白茧)丝素在三氟乙酸溶液中的~1H和~(13)C NMR谱,归属了丝蛋白中主要氨基酸的NMR谱线。实验结果显示了桑、柞丝素中氨基酸含量的差异,但柞蚕黄茧和人工白茧丝素的NMR谱图相近。     

蚕丝蛋白的NMR研究Ⅰ.桑蚕及柞蚕的液体高分辨NMR研究

本文在Bruker AM-500 NMR谱仪上,测试了河南桑蚕、辽宁柞蚕(黄茧和人工白茧)丝素在三氟乙酸溶液中的¹H和¹³C NMR谱,归属了丝蛋白中主要氨基酸的NMR谱线。实验结果显示了桑、柞丝素中氨基酸含量的差异,但柞蚕黄茧和人工白茧丝素的NMR谱图相近。     

蚕丝蛋白的NMR研究Ⅱ.桑、柞蚕丝及其丝素的13C CP-MAS NMR研究

本文在Bruker AC-250和MSL-400谱仪上,首次测试了河南桑蚕茧、丝素及柞蚕黄茧、人工白茧和丝素的固态¹³C CP MAS NMR谱,归属了¹³C NMR谱线,并揭示了白茧和黄茧二级结构的差异。     

蚕丝蛋白的NMR研究——Ⅱ.桑、柞蚕丝及其丝素的~(13)C CP—MAS NMR研究

本文在Bruker AC-250和MSL-400谱仪上,首次测试了河南桑蚕茧、丝素及柞蚕黄茧、人工白茧和丝素的固态~(13)C CP MAS NMR谱,归属了~(13)C NMR谱线,并揭示了白茧和黄茧二级结构的差异。     

CdSe单晶的双注入、负阻效应和场致发光

我们已发现绝缘CdSe单晶的S型负阻效应。在液氮温度和室温下,这种效应还伴有场致发光发射。这种场致发光光谱在下列波长有6个谱峰:6770(?)、7075(?)、8100(?)、8600(?)、和10000(?)。其中第一个谱峰多半是由电子和空穴的带到带的直接复合所致,其余的谱峰是由无意掺杂的杂质或者由于Cd的空位所致。实验结果与M.A.Lampert的双注入理论完全吻合。     

δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管AlGaAs/InGaAs/GaAs结构的光谱研究

报道δ掺杂赝形高电子迁移率晶体管结构Al(?)Ga(?)As/In(?)Ga(?),As/GaAs的综合光谱研究结果。采用光致发光光谱,平面光电流谱和光致发光激发光谱方法,并与理论计算相对比,确认了光致发光谱上n=1电子子带n=2电子子带到n=1重空穴子带间的强发光峰,对弱峰C的研究表明它是n=1电子子带到n=1轻空穴子带复合跃迁的发光峰。由于费密能级高于第二电子子带,没有发现文献中曾报道过的属于费密边的发光峰;平面光电流谱和光致发光激发光谱观察到n=1重空穴子带到n=1,2,3电子子带的三个激子跃迁峰。 关键词：     

单层纳米碳管振动模的拉曼光谱研究

测量了单层纳米碳管的一级、二级拉曼光谱.在40—3300cm^-1范围内观测到18条一级拉曼谱线和7条二级拉曼谱线,理论所预言的谱线几乎全被观测到,谱峰位置和理论值符合得很好.通过和理论值的对照,对这些谱线作了初步标定.所观测到的单层纳米碳管的拉曼激活振动模数目及二级拉曼谱线条数都是迄今最多的. 关键词：     

基于数字图像处理的蚕茧表面积计算方法

介绍了基于数字图像处理的蚕茧质量无损智能检测方法,通过对被检茧进行图像采集、数据分析处理和计算,应用软件自动推算出各项评级指标并综合评级,最后得出评级结果。根据蚕茧质量无损智能检测方案,主要论述了其中重要参数的测量方法——基于图像处理技术的蚕茧表面积测量计算方法,介绍了建立蚕茧茧壳表面积计算的数学模型和测量方法。并对测量结果进行分析,本检测方法误差小,简便可靠,有很好的实际应用价值。     

用通用X—射线荧光光谱仪进行铬的形态分析

本文用通用Ｘ－射线荧光光谱仪和一套自行设计的谱分析程序对一些含铬物质的Ｋβ发射谱进行了形态分析。谱强度数据经过处理后，得到了谱形和谱峰参数（峰位、峰高、半峰宽和非对称因子等）和形态之间的一些定性、定量关系。并利用所得出的规律分析了化学镀铬层和不锈钢中的铬元素的形态分布，分析结果的相对误差在１０％以内。     

Pt/Si界面的椭圆偏振光谱研究

本文应用椭圆偏振光谱法,研究未经热处理的Pt/(n-Si)界面.在350O(?)～650O(?)的光谱范围内,对椭圆偏振光谱的测量数据进行分析计算,以确定界面的光学响应.结果表明,Pt/(n-Si)界面存在着一界面层,其厚度d_2-30±1(?).本工作同时得到了该界面层的表观光学常数谱和介电函数谱.应用有效介质理论对界面层的介电函数谱进行拟合分析,结果指出,界面层存在着富硅的氧化物(其平均效果是SiO_(1.54)),界面区是Pt、Si和富硅氧化物的物理混合和化学混合区.     

SVM自助重加权采样的蚕茧雌雄特征波长选择

使用近红外光谱鉴别蚕茧雌雄设备成本较高,挑选有用特征可以减少成本.雌雄蚕茧的近红外光谱存在着共线性的关系,因此提出了一种包裹式的特征选择方法,基于支持向量机的自助重加权采样(BRS-SVM)的特征选择方法.使用NirQuest512近红外光谱仪采集了蚕茧的漫透射近红外光谱.用试验集的全波段建模得到特征重要度热图,并通过...     

SiN插入层对GaN外延膜应力和光学质量的影响

研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应力得到了一定的释放。同时,GaN薄膜的缺陷密度降低一倍,晶体质量得到了极大的改善。研究表明,位错密度的降低在GaN薄膜中留存较大的残余应力,补偿了降温过程中所引入的张应力。同样,随着SiN插入层的应用,低温PL谱的半峰宽降低,薄膜光学质量提高。最后研究了PL谱发光峰与应力的关系,得到了一个-13.8的线性系数。     

用通用X-射线荧光光谱仪进行铬的的形态分析

本文用通用Ｘ－射线荧光光谱仪和一套自行设计的谱分析程序对一些含铬物质的Ｋβ发射谱进行了形态分析。谱强度数据经过处理后，得到了谱形和谱峰参数（峰位、峰高、半峰宽和非对称因子等）和形态之间的一些定性、定量关系。并利用所得出的规律分析了化学镀铬层和不锈钢中的铬元素的形态分布，分析结果的相对误差在１０％以内。     

硒对钝顶螺旋藻氧化损伤的拮抗作用的光谱学特性及机制

研究了亚硒酸钠预处理对H2O2氧化胁迫下钝顶螺旋藻(Spirulina platensis)的生长、藻丝体形态、谱学特性以及细胞内活性氧(ROS)水平的影响,探究硒拮抗氧化胁迫保护螺旋藻的机制。结果显示,H2O2氧化胁迫明显抑制螺旋藻的生长,藻丝体严重受损,可见光吸收440nm峰增强,620和680nm峰降低;荧光发射和激发光谱特征峰强度明显降低,藻胆蛋白特征发射峰由660nm蓝移至650nm;红外光谱透射峰没有发生位移,蛋白质和多肽的特征谱带酰胺Ⅰ带和酰胺Ⅱ带相对强度降低;细胞内ROS相对含量显著性升高。硒预处理24h呈剂量效应地减轻由H2O2胁迫引起的氧化损伤,有效地抑制胞内ROS的过度累积,提高螺旋藻的抗氧化能力,缓解了氧化胁迫对光能捕获和传递等重要生理功能的影响。     

诺氟沙星与卵清蛋白相互作用的研究

应用荧光光谱法和紫外光谱法研究了诺氟沙星(NRF)与卵清蛋白(OVA)的相互作用,计算了诺氟沙星与卵清蛋白之间的结合常数和结合位点数。实验发现卵清蛋白的最大发射峰位于338 nm,当向该溶液中滴加诺氟沙星时,该发射峰强度明显减弱,且向长波长方向稍有移动。实验表明：随着温度升高,卵清蛋白的猝灭曲线斜率降低,证实了诺氟沙星与卵清蛋白的相互作用为单一的静态猝灭过程,同时随着溶液pH值的增大,诺氟沙星对卵清蛋白的猝灭程度逐渐降低。根据热力学参数确定了诺氟沙星与卵清蛋白之间主要以静电作用力相结合。最后利用紫外光谱法证明了诺氟沙星对卵清蛋白构象产生了影响。     

一维向列相液晶光子晶体的研究

从理论和实验相结合的角度,研究了一维液晶光子晶体透射谱特性.实验给出了不同液晶缺陷层电压下的透射谱,电压范围在0～10 V内,透射峰的相对透过率变化为48%～18%,禁带宽度290 nm调谐范围88 nm,透射峰半峰全宽7 nm.理论计算和实验结果比较接近,这些特性可以使一维液晶光子晶体用于调谐光滤波器和光开关.     

Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶低温光致发光谱研究

采用熔体法生长Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶时,不同的生长条件及热经历过程会导致生长态晶体材料中,占主导的点缺陷类型存在较大的差异,进而影响了晶体的物理性能及器件的使用。低温光致发光(PL)谱作为一种无损检测方法,可以用于研究不同条件下生长的Ⅱ-Ⅵ族碲化物体单晶中的点缺陷和杂质的能级状态。对比富Te条件下生长的未掺杂ZnTe和CdTe晶体在8.6 K下的PL谱可以发现,电阻率较低的p型ZnTe晶体,其PL谱中,电子到中性受主复合发光峰(e, A0)强度高于施主-受主对复合发光峰(DAP),而高电阻率阻n型CdTe晶体则刚好相反,这可能是由于生长速率及降温过程的热经历不同导致占主导的本征点缺陷类型不同造成的。按化学计量比生长的未掺杂CdZnTe晶体,其PL谱中自由激子发光峰(D0, X)占主导,而(e, A0)峰强度高于DAP峰,变温PL谱测试表明当温度高于15 K时,(e, A0)峰与DAP峰逐渐叠加在一起。In掺杂导致在富Te条件下生长的CdZnTe晶体的PL谱中产生明显的A中心复合发光峰,与导带的能量差约为0.15 eV,主要与In补偿Cd空位形成的复合体[In+_CdV2-_Cd]-有关,且其强度与In掺杂元素的含量成正比。