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相似文献
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1.
外腔式可调谐半导体激光器的光谱法求解   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈建国  吴正茂 《光学学报》1997,17(3):87-292
利用由射线法求得的光谱表达式,分析了外腔式半导体激光器的输出谱,并以此求得了普遍情况下阈值载流子密度的解析表达式,结合光谱表达式与载流子速率方程,求得了不同电流下腔内载流子密度与阈值的差值,从而可以不必诸光子数速度方程而获得外腔式半导体激光器的自洽解。  相似文献   

2.
In this work we describe a simple external-cavity laser diode equipped with a feedback control system, in which a high-resolution position-sensitive detector detects the slight misalignment of the light within the cavity. Our system not only provides a stable wavelength that can be tuned within a maximum scanning range of 1.87 nm, but also allows for faster scanning, through precise control of the reflection angle within the cavity. The simultaneous controls on the rotation-angle of the external mirror and the injection current enabled us to realize continuous wavelength-tuning.  相似文献   

3.
用于全光波长转换的外腔半导体激光器的注入电流选择   总被引:1,自引:0,他引:1  
实验研究了注入光对光纤光栅外腔半导体激光器阈值电流的影响,给出了可同时获得高消光比和高转换速率的注入电流范围。采用载流子消耗机抽对实验结果进行了实性分析。  相似文献   

4.
In this paper, the performance of the wavelength conversion based on a tunable external cavity semiconductor laser (ECL) was studied. The static wavelength conversion was achieved in the tunable wavelength range of the ECL. The dynamic wavelength conversions of 155 Mb/s and 622 Mb/s nonreturn to zero (NRZ) signals were realized. The simulation of the ECL output characteristics using modified compound cavity rate equation shows that the higher bit rate wavelength conversion can be realized by increasing the relaxation oscillation frequency of the ECL. When the modulated bit rate is much lower than the relaxation oscillation frequency, under a fixed input signal power, there is an optimal bias current for the wavelength converter based on ECL.  相似文献   

5.
NewApproachtoInvestigationofTunableExternalCavitySemiconductorLasers¥LUHongchang;LUOBin(SouthwestJiaotongUniversity,Chengdu61...  相似文献   

6.
光纤光栅外腔分布布拉格反射激光器中的波长转换   总被引:23,自引:4,他引:19  
陈高庭  瞿荣辉 《光学学报》1998,18(3):57-261
报道了一种新型的基于光纤光栅外腔分布布拉格反射激光器的波长转换技术,获得了8nm的波长转换间隔,对注入信号的灵敏度、转换信号之间的反相特性等进行了测量研究。讨论了波长转换的机理和该技术的特点和优点。  相似文献   

7.
程控宽带连续调谐外腔半导体激光器特性分析   总被引:10,自引:2,他引:8  
对宽带调谐外腔半导体激光器进行了理论及实验研究,分析了其最大调谐范围和连续调谐条件,为宽带可调谐激光器的设计提供了依据。完成了实用化的程控宽带连续调上腔激光器,该器件调谐范围超过75nm,波长重复性精度为1nm,分辨率为0.01nm。  相似文献   

8.
强反馈光纤光栅外腔半导体激光器   总被引:5,自引:0,他引:5  
安宏林  林祥芝 《光学学报》1997,17(12):609-1613
在理论上对强外腔反馈情形的半导体激光器线宽压窄效应进行了分析,对消反膜剩余反射率,外腔反射率,外腔腔长对线宽压缩的影响进行了研究,在实验上采用光纤光栅作为反馈元件,与一端镀有消反膜的1.5μm波段的常规多纵模交导体激光器耦合,构成强反馈光纤光栅外腔半导体激光器,得到单频窄线宽的激光输出,静态下边模抑制比大于30dB,线宽小于120kHz。  相似文献   

9.
针对移频激发拉曼光谱测试系统的小型化需求,在Littrow结构中,采用商用的785nm大功率激光二极管作为增益器件,构建了一款便携式光栅外腔可调谐半导体激光器。该激光器通过采用一种新型的波长调谐方法,即以改变半导体增益器件相对于准直透镜的水平位置来实现波长的连续调谐,实现了尺寸为140mm×65mm×50mm的小型化结构设计。相比于传统的旋转衍射光栅改变光线在光栅上的入射角来实现波长调谐的方式,该方法有效地缩减了增益器件的平移距离,从而有利于便携式外腔激光器波长的快速宽带调谐。实验结果表明,该激光器具有较宽的波长调谐范围,在340~900mA注入电流下均可实现10nm以上的波长调谐,尤其在900mA大注入电流下,其波长调谐覆盖779.40~791.07nm,调谐范围可达11.67nm,且激射线宽小于0.2nm,单波长输出功率最高可达280mW,放大的自发辐射抑制比大于25dB,呈现出较优异的输出性能,满足移频激发拉曼光谱检测系统对光源的基本要求。此外,该激光器可采用一微型压电陶瓷驱动器来实现波长的电动调谐,实验获得了1.35nm的波长调谐范围,证实了所制785nm便携式光栅外腔可调谐半导体激光器适合作为便携式移频激发拉曼光谱检测系统的光源用于减除原始拉曼光谱中的荧光背景。  相似文献   

10.
选频元件谱线宽度对可调谐外腔半导体激光器的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈建国  周小红 《光学学报》1998,18(10):417-1421
在可调频外腔半导体激光器(ECLD)中,选频元件的响应函数具有一定的频谱宽度,本文研究了该宽度对外腔半导体体激光器的影响,导出了为实现外腔半导体激光器的连续调谐所需的该宽度上限的表达式,求得了该响应的峰值频率与振荡频率之间的差别。  相似文献   

11.
使用半导体制冷块,通过优化设计两级制冷系统,并结合隔离、密封等措施,将LD的温度冷却到-20 ℃,使室温下输出波长为789 nm的激光器工作在780 nm附近,改变了约9 nm.结合外腔光栅反馈技术,可以使激光器的输出波长稳定在Rb原子的D2线上.自制了一个简单的电路,能够以适当的比例同时调谐光栅压电陶瓷的电压和激光器的驱动电流,使激光器可以连续调谐1O GHz以上而不跳模.  相似文献   

12.
1IntroductionNarowlinewidthtunablesinglefrequencysemiconductorlasersarenedforapplicationsincoherentcommunication,coherentde...  相似文献   

13.
We developed a simple method of continuous wavelength sweep using a commercial laser diode (LD) without antireflection (AR) coating. A 630 nm AlGalnP LD was installed in a Littrow-type external cavity. In this cavity, the LD has the same effect as an etalon, and its free spectral range can be controlled easily by the LD drive current. By scanning the grating angle of the external cavity and LD drive current simultaneously, we obtained single-mode oscillation and continuous wavelength sweep of over 22 GHz without mode hopping. This technique is simple and inexpensive because it does not need AR coating on its output facet, and does not use a servo system which requires apparatuses such as a lock-in amplifier and local oscillator.  相似文献   

14.
ExperimentalStudyonSingleFrequencySemiconductorLaserswithFiberBraggReflectorExternalCavity¥ANHonglin;LINXiangzhi;YANHong;CUIX...  相似文献   

15.
向望华 Yano  Y 《光学学报》1997,17(12):770-1772
给出利用光注入分布布拉格反射激光二极管实现2.5Gbit/s的波长变换的实验结果。本结果实用于超高速光通信。  相似文献   

16.
半导体激光器实现波长转换的理论模型分析   总被引:15,自引:1,他引:15  
赵同刚  任建华  李蔚  赵荣华 《光学学报》2003,23(9):071-1075
作为自动交换光网络中的核心器件,全光波长转换器的研究是目前的热点。提出了基于半导体激光器实现波长转换的理论模型,采用小信号分析方法,利用速率方程求解了波长转换的频率调制响应特性。并初步研究了不同半导体激光器工作电流、码速、输入信号光功率、增益吸收系数条件对波长转换性能的影响。这对于优化基于半导体激光器的全光波长转换器有一定的参考价值。  相似文献   

17.
给出利用光注入分布布拉格反射激光二极管实现2.5Gbit/s的波长变换的实验结果。本结果实用于超高速光通信。  相似文献   

18.
设计并研制了一种基于复合腔结构的波长可调谐、瓦级连续输出的橙红色激光器.该激光器是由半导体激光侧泵Nd∶GdVO_4晶体产生p-偏振1 062.9nm基频光的谐振腔和使用周期性极化晶体MgO∶PPLN(三个极化周期为29.0μm、29.8μm和30.8μm)的单共振光学参量振荡器组成.在两个谐振腔的重叠区域,利用Ⅱ类临界相位匹配KTP晶体对s-偏振信号光与p-偏振1 062.9nm基频光进行腔内和频.通过对MgO∶PPLN晶体进行三个不同极化周期的调谐和30℃~200℃范围内的温度调谐,在三个波段(613.4~619.2nm@29.0μm、620.2~628.9nm@29.8μm和634.4~649.1nm@30.8μm)获得了波长可调谐的橙红色激光连续输出,并在相应波段(3 980.0~3 758.5nm@29.0μm、3 714.2~3 438.3nm@29.8μm和3 278.0~2 940.2nm@30.8μm)获得了波长可调谐的中红外闲频光的连续输出.在30℃最低调谐温度,通过改变晶体的极化周期,在613.4nm、620.2nm和634.4nm处测得最大连续输出功率分别为1.52 W、2.21 W和3.03 W,对应的三束闲频光最大连续输出功率分别为2.36 W@3 980.0nm、3.17 W@3 714.2nm和4.13 W@3 278.0nm.  相似文献   

19.
体布拉格光栅外腔半导体激光器光谱特性研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
用体布拉格光栅(VBG)作为反馈元件与瓦级半导体激光器(LD)以及快轴准直柱透镜构成一个可以将半导体激光器的工作波长稳定在体布拉格光栅布拉格波长处的外腔激光器。测量了体布拉格光栅外腔激光器的波长稳定性与其工作电流、热汇温度、激光束准直装置等因素的关系。分析了波长稳定效果与半导体激光器增益谱特性、外腔结构参量等因素的关系。研究表明,在相同的工作电流、热汇温度下,当准直柱透镜直径为0.4 mm时的波长稳定效果较好;在此情况下,当热汇温度控制在30℃,工作电流从0.5 A增加到1.5 A的测量范围内,以及当工作电流固定在1.5 A,热汇温度从20℃增加到35℃时,测得的光谱特性表明,半导体激光器的工作波长可以很好地稳定在体布拉格光栅的布拉格波长处。与该激光器在同样条件下自由运转的光谱比较,可以看到,自由运转激射波长与体布拉格光栅的布拉格波长差值小于2.6 nm情况下,可以获得很好的波长稳定效果。实验也表明,当该值大于4.8 nm时波长稳定效果变差。  相似文献   

20.
基于半导体光纤环形腔激光器的四波混频型可调谐全光波长转换器的宽带理论模型,从理论上研究了输入信号光功率、注入电流、两个耦合器的耦合比、激射光波长和半导体光放大器有源区长度对转换光频率啁啾的影响.结果表明:转换光的频率啁啾随着输入信号光峰值功率、注入电流以及SOA有源区长度的增大而增大,随两个耦合器耦合比的增大而减小.  相似文献   

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