铁磁-高Tc氧化物超导结中的粗糙界面散射效应对隧道谱的影响

考虑到铁磁层中的磁交换作用,以及界面的粗糙散射效率,利用推广的Blonder-Tin-kham-Klapwijk理论模型,计算铁磁－高Tc氧化物超导结中的隧道谱,研究表明：（1）铁磁层中的磁交换能能压零偏压电导峰的高度,并能感应出零偏电导凹隐;（2）粗糙界面散射除了高有压低零偏压电导峰,还有使零偏压凹隐处感应出一中心峰,该结果能较好地解释最近的两篇关于La2/3Ba1/3MnO3/DyBa2Cu3O7与La2/3Ba1/3MnO3/YBa2Cu3O7-δ结中隧道谱的实验报道。     

铁磁-d波超导结中的粗糙界面散射和自旋反转效应对隧道谱的影响

考虑到铁磁层中的自旋极化效应、以及界面的粗糙散射和自旋反转效应,利用推广了的Blonder Tinkham Klapwijk理论模型,计算铁磁d波超导结中的自旋极化隧道谱.研究表明1)自旋反转效应能使零偏压电导峰变得尖锐;2)粗糙的界面散射除了能压低零偏压电导峰的高度,还能使零偏压凹陷处感应出一中心峰.结果能定性地解释最近的两篇关于La_2/3Ba_1/3 MnO₃/DyBa₂Cu₃O_{7关键词： 自旋极化效应 自旋反转效应 粗糙界面散射效应 隧道谱}     

铁磁绝缘层对正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/p波超导结隧道谱的影响

在正常金属/铁磁绝缘层/正常金属/自旋三重态p波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,研究了铁磁绝缘层对隧道结微分电导的影响.研究表明:(1)对于px波,粗糙界面散射和磁散射都能使零偏压电导峰变低,能隙处凹陷升高;随着磁散射的增强,谱线的尖锐峰消失,宽峰逐渐变为凹陷;(2)对于py波,粗糙界面散射和磁散射都能使零能凹陷上移,能隙峰变低,随着粗糙界面散射的增强,两能隙峰间距减小;随着中间正常金属层厚度的增加,能隙内电导随外加偏压呈现振荡行为,能隙外电导仅与普通势垒有关;(3)对于px+ipy波,随着粗糙界面散射的增强,零偏压电导峰被压低,双凹陷处的值逐渐增大为小的能隙峰,而磁散射并不改变谱线中各凹陷处的电导值.     

铁磁半导体/d波超导结的自旋极化输运

考虑到铁磁半导体和d波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配,运用推广了的B londer-Tinkham-K lapw ijk(BTK)理论模型,研究了铁磁半导体/d波超导隧道结的电导谱。研究表明:(1)铁磁半导体和d波超导体中空穴的有效质量和费米速度错配对系统的微分电导影响显著;(2)铁磁半导体的磁交换能对Andreev反射有抑制作用。     

铁磁-超导隧道结中粗糙界面散射对直流Josephson电流的影响

通过求解Bogoliubov—de Gennes(BdG)方程得到铁磁超导共存态(FS)的自洽方程，在考虑结界面的粗糙情形下，由推广的Furusaki—Tsukada(FT)的电流公式计算了铁磁超导态／绝缘层／s波超导体(FS／I／S)结的直流Josephson电流，讨论了FS/I／S结的直流Josephson临界电流随磁交换能、温度的变化情况．研究表明：铁磁超导态中磁交换能和结界面的粗糙势垒散射均对FS／I／S结的直流Josephson电流有抑制作用．     

正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱

利用Blonder-Tinkham-Klapwijk理论,计算了正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱.结果表明:(1)在正常金属/铁磁绝缘层/p波超导体结的隧道谱中存在零偏压电导峰、零偏压电导凹陷;(2)在Px波结的隧道谱中,磁散射能导致零偏压电导峰的劈裂,而界面的粗糙散射却可以阻止其劈裂;(3)界面的势垒散射,磁散射及其与粗糙散射的共同作用对px、py波结零偏压电导的影响是不同的.     

铁磁-p波超导结中的自旋极化隧道谱与散粒噪声

考虑到界面的势垒散射和铁磁层中的磁交换作用，依照Sr2RuO4超导体具有自旋三重配对态的p波对称结构，研究铁磁-p波超导结中的自旋极化隧道谱与散粒噪声，研究表明：1.对于幺正配对态，随着铁磁层中磁交换劈裂增强，隧道谱与散粒噪声都减少；2.对于非幺正配对态，隧道谱与散粒噪声都依赖于铁磁层的磁化轴方向，当磁化轴平行于非幺正配对态的自旋轴时，在低偏压下磁交换作用能使隧谱与散粒噪声增强，而当磁化轴反平行于自旋转轴时，其结果相反。     

铁磁-d波超导结中的自旋极化隧道谱

考虑到铁磁层中准粒子输运的自旋极化效应以及 d波超导表面时间反演对称态的破缺效应 ,在 Blonder-Tinkham-Klapwijk散射理论框架下 ,研究铁磁 -d波超导隧道结中的隧道谱 ,所得结果能展示一些新奇特征 ,并能解释一些实验现象     

正常金属-铁磁绝缘层-dx2-y2+idxy混合波超导结中的磁散射对隧道谱的影响

在正常金属铁磁绝缘层dx2-y2 idxy混合波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的磁散射和界面的粗糙散射效应,运用BogoliubovdeGennes(BdG)方程和BlonderTinkhamKlapwijk(BTK)理论,计算了隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.研究表明:(1)磁散射和界面粗糙散射均可以压低电导峰,其中磁散射能使电导峰滑移,而粗糙界面散射却能阻止这种滑移,且两散射的共同作用可抑制由混合波两序参数的幅值比不同所导致的电导峰滑移;(2)随铁磁层离超导表面距离的增加,隧道谱在零偏压处由凹陷变成了零偏压电导峰,继而又演化为凹陷中的中心峰;(3)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能级谐振峰.     

薄膜界面粗糙对双晶摇摆曲线的影响

用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In_0.53Ga_0.47As(85?)/Al_{0.4 关键词：}     

具有铁磁绝缘层超导体结的直流Josephson电流

在s波超导体/铁磁绝缘层/s波超导体Josephson结（S/FI/S）中，考虑结界面铁磁绝缘层的磁散射和粗糙散射情况下，运用Bogoliubov-de(BdG)方程和Furusaki-Tsukada(FT)的电流公式计算准粒子的输运系数及S/FI/S结的直流Josephson电流与温度T，结两侧的相位差之间的关系，研究表明：结界面的磁散射和粗糙散射均抑制结中准粒子的Andreev反射，降低了流过S/FI/S结的直流Josephson电流。     

正常金属-d波超导隧道结中杂质和界面散射对微分电导的影响

考虑到正常金属区域的杂质散射和界面粗糙的散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Bolonder-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论模型,计算正常金属-d波超导隧道结的微分电导.计算发现：隧道谱强烈地依赖电子的入射角和超导体晶轴方位,并能展示零偏压电导峰的存在;此外,杂质散射能使隧道谱的凹陷分裂出两个小凹陷,而界面粗糙能抹平和压低零偏压电导峰和能隙电导峰.这些结果都将很好地解释高T_c超导隧道谱的实验现象. 关键词：     

具有铁磁绝缘层的双层f波超导体结的直流Josephson电流

通过计算具有铁磁绝缘层的双层f波超导体结中铁磁绝缘层的磁散射对直流Josephson电流的影响,研究了f波超导体(fS)/铁磁绝缘层(FI)/f波超导体(fS)结的直流Josephson电流与温度和结两侧相位差((?))之间的关系.研究表明:fS/FI/fS结界面的粗糙散射和磁散射总是抑制结中准粒子的Andreev反射,降低流过fS/FI/fS结的直流Josephson电流,且结的直流Josephson电流随相位差的变化曲线强烈依赖于f波超导体的晶轴方位角(α).     

正常金属-铁磁绝缘层-d波超导结中的磁散射对量子输运的影响

在正常金属-铁磁绝缘层-d波超导隧道结中,考虑到铁磁绝缘层的粗糙界面散射和磁散射效应,运用Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程和Blonder-Tinkham-klapwijk(BTk)理论模型,计算隧道结中的准粒子传输系数和微分电导.计算表明：1)粗糙界面散射和磁散射都能压低零偏压电导峰,其中磁散射能使零偏压峰滑移,而粗糙界面却能阻止零偏压峰的滑移,且随着两种散射强度的逐渐增大,又能使零偏压电导峰渐渐变为凹陷;(2)当铁磁层离开超导表面有若干相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰. 关键词：     

稀磁半导体Zn0.7Mn0.15Co0.15O 中的铁磁行为

用固相反应法在不同温度下制备了名义组分为Zn0.7Mn0.15Co0.15O的Mn、Co共掺杂ZnO块状样品,并研究了烧结温度(Ts)对其结构和磁性质的影响。结构研究表明:掺杂样品除ZnO纤锌矿结构外还存在第二相,且第二相与Ts有关。磁测量表明,所有样品低温(约低于50K)下呈现铁磁行为,但其行为在Ts≤700℃和Ts>700℃时表现出明显的不同。对低温烧结的样品,磁有序程度随Ts增加而增强,而对较高温度烧结的样品,磁有序程度随Ts增加而减弱。结合结构分析,文中就这些观察的可能起因进行了讨论。     

金属中表面和界面散射的量子力学处理

通过建立量子力学散射模型，运用格林函数的解析方法，分别研究电子在两种金属模型中的传播机制，并相应得到电子在粗糙界面处的透射系数、镜面反射系数及在粗糙表面处的镜面反射系数．