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提出了一种新型栅耦合型静电泄放(ESD)保护器件——压焊块电容栅耦合型保护管.该结构不仅解决了原有栅耦合型结构对特定ESD冲击不能及时响应的问题,而且节省了版图面积,提高了ESD失效电压.0.5 μm标准互补型金属氧化物半导体工艺流片测试结果表明,该结构人体模型ESD失效电压超过8 kV.给出了栅耦合型ESD保护结构中ESD检测结构的设计方法,能够精确计算检测结构中电容和电阻的取值.
关键词:
静电泄放
栅耦合
金属氧化物半导体场效应管
压焊块电容 相似文献
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显示屏是人机交互的重要部件,当人体静电放电发生在显示屏表面时,有可能导致软硬故障。为了研究显示屏空气式静电放电实验特性,通过一个自制的装置对显示屏空气式静电放电电流和通过显示屏的位移电流进行了实验测量。研究发现:放电电流峰值随接近速度的增加而增加,上升时间随接近速度的增加而减小。在±10~±12 kV电压范围,受电弧长度的影响,上升时间增大,电流峰值变小。随着测量点与放电点之间距离的增大,位移电流波形峰值减小、上升时间增大,正极性放电峰值更大且扩散范围更广,而负极性放电上升时间增大更加明显。由位移电流波形及其分布可以计算出电荷密度。电荷密度随距离放电位置距离的增大而减小。与正极性相比,尽管负极性放电电流峰值较低,但电荷密度较高,说明负极性放电具有造成更高等级损伤风险的危害。 相似文献
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近年来,与静电放电(ESD)领域相关联的气体放电理论、材料科学和电测技术等新兴学科的不断研究和发展,已逐渐由实验科学阶段走向实际应用阶段。同时,人们也逐渐发现静电放电给人类造成的危害是十分惊人的,它不仅能够影响人类的正常生活,更是限制了自动化生产水平的提高。基于传统静电放电的模拟装置设备单一、功能局限,无法满足静电放电全方位、多用途的实验要求,为解决这一问题,设计和实现了包含电极模拟、方位变换、电路传输的完整的实验模拟装置。该装置主要由底座、支撑架、金属球、放电针、绝缘环、方位表盘等6部分组成,能够满足不同极化方向电磁场条件下的实验要求,同时还能够实现对不同高度、不同位置条件下的电磁场的基本极化方向进行判断识别。该系统具有一定的实验创新性和先进性,能够有效地满足各类电磁实验的需要,为研究电磁诱发静电放电实验提供了有力的硬件支持。 相似文献
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在考虑了电导率调制效应的情况下对深亚微米静电放电(electrostatic discharge, ESD)保护器件的衬底电阻流控电压源模型进行优化, 并根据轻掺杂体衬底和重掺杂外延型衬底的不同物理机制提出了可根据 版图尺寸调整的精简衬底电阻宏模型, 所建模型准确地预估了不同衬底 结构上源极扩散到衬底接触扩散间距变化对触发电压Vt1的影响. 栅接地n型金属氧化物半导体器件的击穿特性结果表明, 所提出的衬底电阻模 型与实验结果符合良好, 且仿真时间仅为器件仿真软件的7%, 为ESD保护器件版 图优化设计提供了方法支持.
关键词:
栅接地n型金属氧化物半导体器件
静电放电
衬底电阻模型 相似文献
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《中国物理 B》2015,(10)
Developing an electrostatic discharge(ESD) protection device with a better latch-up immunity has been a challenging issue for the nanometer complementary metal-oxide semiconductor(CMOS) technology. In this work, an improved grounded-gate N-channel metal-oxide semiconductor(GGNMOS) transistor triggered silicon-controlled rectifier(SCR)structure, named GGSCR, is proposed for high holding voltage ESD protection applications. The GGSCR demonstrates a double snapback behavior as a result of progressive trigger-on of the GGNMOS and SCR. The double snapback makes the holding voltage increase from 3.43 V to 6.25 V as compared with the conventional low-voltage SCR. The TCAD simulations are carried out to verify the modes of operation of the device. 相似文献
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Ming Chang Wang Gun-Sik Park 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》1997,18(6):1187-1198
An analysis of the high voltage power supply removing the Pulse Forming Line (PFL) is presented in this paper. This is an
important improvement to make a desktop free electron laser with about one meter length instead of an original device length
of 5.5 meters and to realize other applications of the new beam source of pseudospark discharge at high voltage of 200kV and a current of 2kA. 相似文献
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系统级静电放电(ESD)效应仿真可以在电子系统进行测试之前进行有效的静电放电效应防护,缩短研发周期。根据传输线脉冲测试(TLP)结果,对瞬态电压抑制(TVS)二极管和芯片引脚进行spice行为建模,结合ESD脉冲源的等效电路模型,PCB板的S参数模型,采用场路协同技术完成了系统级静电放电效应的仿真。针对一个典型的电子系统,在IEC 61000-4-2 ESD应力作用下,完成了一款开关芯片防护电路的仿真,并对电路进行了加工、放电测试,仿真与测试芯片引脚的电压波形吻合良好,验证了该仿真方法的有效性。 相似文献
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针对飞行器全球卫星导航系统接收机易受静电放电干扰的问题,研究了机体表面电晕放电与机务维修火花放电对接收机的干扰效应。分析了静电放电的时频域特征,使用针球电极与高压源组成的模拟器开展了电晕放电对接收机的前门耦合实验,证明了电晕脉冲产生的辐射场对接收机无明显干扰效应。基于人体金属ESD模型开展了火花放电对接收机的干扰效应实验,发现浪涌电流易导致接收机串口转换芯片电位波动,读写程序主循环卡死,应针对串口端进行静电阻抗器防护。 相似文献
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研究了低电压的人体模型(HBM)静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在失效。分别从CB结和EB结对2SC3356晶体管施加低电压HBM的ESD应力,结果表明:从CB结施加低电压的ESD电应力,所产生的潜在失效的几率要高于从EB结施加低电压的ESD电应力产生的潜在失效几率,即CB结比EB结对低电压的ESD应力引入的潜在失效更为敏感。高温(≥125 ℃)寿命实验有退火效应,从而缓解了低电压的ESD应力使器件产生的潜在损伤,使静电放电过程中引入的潜在损伤自恢复。 相似文献
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随着器件尺寸的不断减小,集成度的逐步提高,功耗成为了制约集成电路产业界发展的主要问题之一.由于通过引入带带隧穿机理可以实现更小的亚阈值斜率,隧道场效应晶体管(TFET)器件已成为下一代集成电路的最具竞争力的备选器件之一.但是TFET器件更薄的栅氧化层、更短的沟道长度容易使器件局部产生高的电流密度、电场密度和热量,使得其更容易遭受静电放电(ESD)冲击损伤.此外,TFET器件基于带带隧穿机理的全新工作原理也使得其ESD保护设计面临更多挑战.本文采用传输线脉冲的ESD测试方法深入分析了基本TFET器件在ESD冲击下器件开启、维持、泄放和击穿等过程的电流特性和工作机理.在此基础之上,给出了一种改进型TFET抗ESD冲击器件,通过在源端增加N型高掺杂区,有效的调节接触势垒形状,降低隧穿结的宽度,从而获得更好的ESD设计窗口. 相似文献
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Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress 下载免费PDF全文
The comprehensive understanding of the structure-dependent electrostatic discharge behaviors in a conventional diode-triggered silicon controlled rectifier(DTSCR) is presented in this paper. Combined with the device simulation, a mathematical model is built to get a more in-depth insight into this phenomenon. The theoretical studies are verified by the transmission-line-pulsing(TLP) test results of the modified DTSCR structure, which is realized in a 65-nm complementary metal–oxide–semiconductor(CMOS) process. The detailed analysis of the physical mechanism is used to provide predictions as the DTSCR-based protection scheme is required. In addition, a method is also presented to achieve the tradeoff between the leakage and trigger voltage in DTSCR. 相似文献
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使用2种静电放电模拟器,在空气放电模式下以任意速度向靶运动并进行放电,同时测量瞬时放电电流波形,考察放电电流上升时间与峰值电流的关系.结果发现,峰值电流和充电电压的比值与放电电流的上升时间存在着指数关系:Iptr^ξ/Vc=const.. 相似文献
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The widespread use of gas discharge tubes (GDTs) and avalanche diodes for transient voltage suppression (TVS) in many cases results in their exposure to ionizing radiation. The aim of this paper is to investigate the influence of irradiation on these TVS devices’ characteristics, by exposing them to a combined neutron/gamma radiation field. Experimental results show that irradiation of TVS diodes causes a lasting degradation of their protective characteristics. On the other hand, GDTs exhibit a temporary change of performance. The observed effects are presented with the accompanying theoretical interpretations, based on the interaction of radiation with materials constituting the investigated devices. 相似文献