研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技最新推出的AAT4910支持电压高达28V，其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司近日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V,额定工作温度范围是-40℃到＋85℃,采用2mm×2．1mm、8引脚SC70JW封装,其MOSFET驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。     

半桥MOSFET驱动器

AAT4910采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。当驱动降低,启动输入随之将驱动器关闭,将运行电流降低至1μA以下。快速开关频率有助于将外部元件的成本和尺寸最小化。     

研诺推出2A闪光驱动器芯片AAT1282

研诺逻辑科技有限公司推出AAT1282 2A闪光发光LED驱动器芯片,它使白色发光二极管可提供高亮度照明。新款器件将1个高频升压转换器与固定输入电流限制、双输出稳流槽、12C控制集成在一起,采用1个超级电容提供所需的高峰值电流,为带有分辨率可达5M或更高拍照功能的手机提供高亮度闪光,同时保护电池。这款新型驱动器芯片配备了内置温度管理系统,     

一种抗辐射高压MOSFET驱动器的设计

在航天和核物理技术中对抗辐射高压功率电路的需求也越来越强烈。介绍了一种抗辐射高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器的设计,该电路基于0.5 μm双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体(BCD)工艺研制,采用特殊的线路结构,并通过版图设计对闩锁效应、场区和电参数进行抗辐射加固,抗总剂量辐射效应可达到300 krad(Si)。同时,该电路工作电压可达40 V,兼容逻辑门电路(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)输入,输出峰值电流1.5 A,可广泛用于航天、核物理实验装备等功率驱动部位。     

AAT4910：半桥MOSFET驱动器

Analogic Tech宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。     

安森美推出创新架构的MOSFET驱动器

安森美半导体推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器NCP4330，能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。     

研诺推出新型4通道LED驱动器

电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司推出AAT3104和AAT3195两款新型4通道、电荷泵LED驱动器,它们可在简化功能的手机和便携系统中用于更大屏幕LCD显示器。采用紧凑的2mm×21mm封装方式,这些器件在一个节省空间的占板内为设计者提供16步进、32步进或脉宽调制电流控制。与竞争对手的解决方案相比,AAT3104和AAT3195驱动器采用1倍和2倍模式的高效电荷泵,减少外部组件数量达25％。为了在相邻的LED之间提供统一的亮度和完美匹配,AAT3104提供用于共阳极结构的通用型电流吸入器,而AAT3195支持用于共阴极结构的共源。     

凌力尔特推出100V高速同步N沟道MOSFET驱动器

凌力尔特公司（Linear Technology）推出LTC4444/-5的H级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压（100V）、同步MOSFET栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET而设计。     

麦瑞推出新型85V半桥MOSFET驱动器

正2014年1月8日,高性能线性和电源解决方案、局域网以及时钟管理和通信解决方案领域的行业领导者麦瑞半导体公司(MicrelInc.)推出一款85V半桥MOSFET驱动器MIC4605,该驱动器具有自适应停滞时间和击穿保护功能。     

IR2101带有欠压封锁的半桥MOSFET驱动器

本文介绍了美国IR公司专为驱动半桥逆变器同桥臂的两个MOSFET或IGBT而生产的高压高速驱动器，文中讨论了其引脚排列、各引脚的名称、功能和用法、主要设计特点和参数，剖析了它的内部结构及工作原理，探讨了它的应用技术，并给出了应用实例。     

100V半桥栅极驱动器

与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaNFET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaNFET的优势。     

凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4447,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这个驱动器加上功率MOSFET和一个凌力尔特公司的DC/DC控制器,就可组成一个完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。     

Allegro推出新款全桥式MOSFET预驱动器IC

Allegro Micro Systems公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式MOSFET预驱动器IC，扩展其现有全桥式控制器系列。AllegroA4940采用超小型封装，提供灵活的输入接口、自举监控电路、     

国半推出两款可驱动大功率MOSFET的门极驱动器

美国国家半导体公司近日推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，分别是LM5111双通道门极驱动器及LM5112单通道门极驱动器。新产品适合驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及用于交流/直流与直流/直流转换器、马达驱动系统及工业控制系统.     

同步正向MOSFET驱动器无需信号变压器

正凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高效率副边MOSFET驱动器LT8311,该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311采用独特的预测模式,通过在副边检测信号以控制同步整流,无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。LT8311在3.7V至30V输入电压范围内工作,并与LT3752/-1等主端IC一起使用。完整的正向转换器可在至的输入电压范围内工作,     

Maxim推出H桥变压器驱动器 用于隔离电源设计

Maxim推出具有宽输入电压范围的H桥变压器驱动器MAX13256,用于隔离电源设计。工程师可以利用该方案在短时间内轻松完成高效（高达90%）、隔离DC-DC转换器的设计。MAX13256采用8V～36V直流电源供电,为变压器原边绕组提供高达300mA的电流驱动,用于构建功率高达10W隔离电源。用户可自主选择变压器匝数比,以设定输出电压,从而产生任意电压的隔离输出。较宽的电压范围省去了外部稳压源。