Level structure of 110in from the 110cd(p,nγ)110in reaction

γ-ray and γγ-coincidence spectra of the ¹¹⁰Cd(p, nγ)¹¹⁰In reaction were measured with Ge(Li), Ge(LEPS), and Ge(HP) spectrometers at 6 MeV bombarding proton energy. Energies (E_γ) and relative intensities (I_γ) of 95 ¹¹⁰In transitions (including 70 new ones) have been determined. The electron spectrum of the reaction was measured with a combined magnetic plus Si(Li) spectrometer at E_p = 6 MeV. Internal conversion coefficients of 41 transitions in ¹¹⁰In have been determined for the first time. The angular distribution of γ-rays was measured at 5.2, 5.6, and 6 MeV bombarding proton energies. A new, more complete level scheme of ¹¹⁰In has been deduced. On the basis of the internal conversion coefficients of transitions, Hauser-Feshbach analysis of (p, n) reaction cross sections, γ-ray angular distribution (and other) results unambiguous spin and parity assignments were made to 11 excited ¹¹⁰In levels. The energies of several ¹¹⁰In proton-neutron multiplets were calculated on the basis of the parabolic rule derived from the cluster-vibration model. The comparison of experimental and theoretical results provided identification of about 20 p-n multiplet states in ¹¹⁰In.     

尝试合成110号元素

在目前的超重元素研究中,合成110号元素是最激动人心的课题之一。本文以如何探索合成110号元素为线索,讨论了核质量和稳定性、由实验和理论得到的启示以及尝试合成它的最新实验。     

发现111号和110号新元素

发现１１１号和１１０号新元素德国重离子研究中心ＧＳＩ的Ｓ．Ｈｏｆｍａｎｎ和Ｐ．Ａｒｍｂｕｓｔｅｒ等人组成的国际合作研究组（成员有ＧＳＩ，俄罗斯杜布纳核研究所，斯洛伐克的Ｃｏｍｅｎｉｕｓ大学和芬兰Ｊｙｖａｓｋｙｌａ大学），于１９９４年１２月１７日（ＧＳ...     

GaAs(110)面的电子结构

本文研究GaAs(110)面旋转弛豫的电子结构,采用一个原子集团来模拟GaAs(110)面,在其内边界上用一些“类Ga”和“类As”原子来钝化伸向体内的悬挂键,以消除由于有限模型而引起的多余边界效应。用EHT方法计算集团的总能量,由能量极小定出GaAs(110)面最稳定的弛豫位置为表面旋转角ω=18°,表面Ga原子向体内下降0.33?,As原子上升0.13?,这与Pandey等人从光电子部分产额谱所得的结果基本一致。本文还计算了理想和弛豫的GaAs(110)面的态密度,发现对于理想的(110)面禁带中确实存在一个空的表面峰。弛豫后,该峰向上移动进入导带,禁带中不再出现表面峰,与实验结果相符。 关键词：     

北京大学建校110周年物理人物图书系列

在北京大学建校110周年暨北京大学物理学院校友会成立之际,北京大学出版社相继推出了三本人物图书,它们是:<名师风范——忆黄昆>、<胡宁传>和<严谨与简洁之美——王竹溪一生的物理追求>．     

单轴[110]应力硅电子迁移率

基于k·p微扰法研究单轴[110]应力作用下硅的导带结构,获得单轴[110]应力硅的导带底能量及电子有效质量.在此基础上,考虑电子谷间、谷内及电离杂质散射,采用弛豫时间近似计算单轴[110]应力硅沿不同晶向的电子迁移率.结果表明：单轴[110]应力作用下硅的电子迁移率具有明显的各向异性.在[001]、[110]及[110]输运晶向中,张应力作用下电子沿[110]晶向输运时迁移率有较大的增强,由未受应力时的1 450 cm²·Vs^-1提高到2 GPa应力作用下的2 500 cm²·Vs^-1.迁移率增强的主要原因是电子有效质量的减小,而应力作用下硅导带能谷分裂导致的谷间散射几率的减小对电子迁移率的影响并不显著.     

诺贝尔物理学奖110 年知识竞答(Ⅲ)

编者按：在诺贝尔物理学奖颁发110 年之际,《现代物理知识》编辑部举办“诺贝尔物理学奖110 年知识竞答”活动,从2011 年第3 期起,杂志连续刊登竞答题目。本期为是非题,要求在判断对错的同时,能指出错误并改正。希望本刊的新老读者积极参与,请将问题答案寄到：北京918 信箱《现代物理知识》编辑部(邮编：100049),或发送电子邮件到mp@mail.ihep.ac.cn。答题同时,欢迎大家将自己在阅读诺贝尔物理学奖相关资料时的体会(如诺贝尔物理学奖获得者事迹对个人工作、学习上的激励,个人对某个获奖学科领域的了解、认识等)一并发来,本刊将择优刊登。     

北京大学建校110周年物理人物图书系列

在北京大学建校110周年暨北京大学物理学院校友会成立之际,北京大学出版社相继推出了三本人物图书,它们是：《名师风范——忆黄昆》、《胡宁传》和《严谨与简洁之美——王竹溪一生的物理追求》。     

北京大学建校110周年物理人物图书系列

在北京大学建校110周年暨北京大学物理学院校友会成立之际,北京大学出版社相继推出了三本人物图书,它们是:《名师风范--忆黄昆》、《胡宁传》和《严谨与简洁之美--王竹溪一生的物理追求》.【书名】名     

诺贝尔物理学奖110年知识竞答（Ⅱ）

在诺贝尔物理学奖颁发110年之际,《现代物理知识》编辑部举办“诺贝尔物理学奖110年知识竞答”活动,从2011年第3期起,杂志连续刊登竞答题目。希望本刊的新老读者积极参与,请将问题答案寄到：北京918信箱《现代物理知识》编辑部（邮编：100049）,或发送电子邮件到mp@mail．ihep．ac．cn。答题同时,欢迎大家将自己在阅读诺贝尔物理学奖相关资料时的体会（如诺贝尔物理学奖获得者事迹对个人工作、学习上的激励,个人对某个获奖学科领域的了解、认识等）一并发来,本刊将择优刊登。