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使用激光分子束外延,在SrTiO3 (100)单晶衬底上成功生长了一系列c轴取向的,具有原子量级控制精度的BaTiO3/SrTiO3超晶格. 利用晶格失配导致的薄膜表面台阶密度的周期性变化,讨论了反射式高能电子衍射(RHEED)强度在BaTiO3层和SrTiO3层中的周期性调制. 系统研究了二阶非线性光学极化率同超晶格结构的关系. 实验测量和理论拟合结果表明,BaTiO3/SrTiO3超晶格的二阶非线性光学极化率显著增强,其最大值比BaTiO3体单晶提高一个数量级以上. 从应力导致的晶格畸变和极化增强出发,讨论了二阶光学非线性增强的物理机制. 相似文献
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利用高分辨透射电子显微镜对高Tc YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO2面的二维超导电性时,临界温度Tc和临界电流密度Jc的变化不仅与二维CuO2面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。 相似文献
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采用2450MHz微波源、TE103单模腔的加热方式合成电子工业广泛应用的BaTiO3,探讨微波合成的加热机制,其主要影响因素包括合成体系的介电性质和保温结构,研究合成体系的介电性质及它们对材料加热的影响。在低温阶段,TiO2和BaCO3对合成体系的升温速率的贡献相接近;在高温阶段,TiO2的贡献大,同时产物对升温有较大的影响。微波加热与常规合成加热方式有明显的不同。采用微波合成在1 100℃保温3min即可使合成反应完全,且产物的颗粒细小,粒度分布窄,结晶度好,对微波合成工艺对产物相结构,显微结构的影响进行详细研究。 相似文献
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系统研究了在LaAlO3 ,SrTiO3 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 . 相似文献
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利用活化气体做氧源,使生长气压比普通脉冲激光沉积方法(PLD)低2~3个数量级,用激光分子束外延在SrTiO3(100)衬底上制备出临界转变温度Tc0=85~87K,临界电流密度Jc≥1×106A/cm2的高质量YBCO超导薄膜.原子力显微镜(AFM)测得表面无明显颗粒,均方根粗糙度约为7.8nm.在这种薄膜基础上制备的Josephson量子干涉器件(DC-SQUID)具有良好的温度循环稳定性. 相似文献
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薛其坤 厉建龙孙牧 陆华T. Hashizume Y. Ling Y. Hasegawa K. Ohno Z.Q. Li Y. Kawazoe T. Sakurai H. Kamiyama H. Shinohara 《中国科学A辑》2000,30(6):529-536
利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaals C60 膜在室温下较之C60 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C60分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C60分子上 .有趣的是 ,该固态C60 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C60膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C60薄膜的晶体生长 相似文献
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在有40nm厚的PrBa2Cu3O7过渡层的(100)SrTiO3基片上生长了YBa2Cu3O7超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa2Cu3O7超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa2Cu3O7过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系. 相似文献
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采用直流磁控溅射法在NdGaO3 ( 110 )衬底上制备了La2/3Ca1/3MnO3-δ外延单晶薄膜 .在 0~8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度TC 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H2 ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。 相似文献
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在不同磁场H下 ,在 300~ 77K范围内测量了外延La2 /3 Ca1/3 MnO3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/Ms)2 + βexp(-E0/kBT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E0为磁极化子热激活能 ,约等于1 160kB,Ms 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论. 相似文献
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在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大. 相似文献
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在室温至液氦温区内,对良好(100)择优取向的La2/3Ca1/3MnOz薄膜的磁电阻作了实验研究.发现零场下未退火样品的电阻约在Tp=72K处出现一峰值,当外加磁场后,其电阻降低,而峰值所对应的温度Tp要往高温方向移动,然而其磁电阻变化值MR=δR/RH=(R0-RH)R_H的极大值却发生在25K附近,而且该值基本上不随外磁场的大小而改变.当样品在700℃t氧气中退火30min后,零场下电阻峰值往高温方向移动到230K附近,表明薄膜的Curie温度升高了. 相似文献
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本文给出了Oh点群表象中的d2,8(C3v*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX3:Ni2+(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl3晶体中的Ni2+杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv0)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质作出了统一的理论解释。 相似文献
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