铝箔交流侵蚀过程的计算机监测(1)

在铝箔交流侵蚀反应进程中，用计算机、Ａ／Ｄ转换器和编制的软件监测并记录铝箔对应的Ｅ－ｔ曲线形态以及峰峰电位的大小，是实验室研究和工业应用的一种快速现场监测处理方法和直观的监测手段。并以碱洗预处理中ＮａＯＨ浓度对铝箔比容的变化，讨论Ｅ－ｔ曲线的响应，对于不同的碱洗条件，在Ｅ－ｔ曲线上均有不同的特征反映。     

中高压电容器铝箔扩孔液中缓蚀剂的作用

研究高纯铝箔在盐酸直流电侵蚀时高分子缓蚀剂对隧道蚀孔密度和侵蚀箔比电容的影响,扩孔使用缓蚀剂后,孔密度增加,孔径减小,失重减少,中高压电容器铝箔的比电容约提高23%。     

中高压电容器铝箔隧道孔初始生长速度和形貌

研究了电解电容器用铝箔于混合酸中在直流电侵蚀条件下,初始隧道孔的生长速度和形貌。试验条件下侵蚀初期隧道孔的初始生长速度约为5.8 mm / s,隧道孔极限长度L是47~50 mm。     

前处理和侵蚀对阴极箔比容的影响

碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随 Na OH浓度和 Na3PO4浓度的增大 ,侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加 ,侵蚀箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为 0 .85 mol/ L 时侵蚀箔比容达到极大值。侵蚀液温度过低和过高 ,侵蚀箔比容都低。温度为 90℃时侵蚀比容较高。通过试验得出了较好的前处理和侵蚀条件。     

表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响

改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。     

提高铝箔比电容的新途径——引入高介电常数金属(陶瓷)氧化物

介绍国外在高扩面倍率η、低介质膜厚度ｄ的铝电解电容器中引入具有高εｒ值的其他阀金属（如Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ）氧化物和陶瓷，以期进一步提高铝箔比电容的新方法。根据有关专利文献归纳为三种主要方法：物理、化学及合金化方法。这些思路表征着铝电解电容器用铝箔正面临一场新的技术革新     

通讯论坛(2)

回顾：上一期通讯方式的技术论坛主题《固体片式铝电解电容器产业化》（本刊第10期第55页），受到了业内同仁的积极响应，厦门信达电子博士后工作站的汪斌华先生、广东步步高电子的黄春旺先生等分别来电索取论坛发言稿，同时提出了他们对论坛的宝贵意见，在此表示衷心感谢。     

《铝电解电容器专辑》(六)诚邀合作

<正>《铝电解电容器专辑》一至五辑,在过去几年,受到业内人士欢迎,在此特向关心此专辑的读者表示谢意。《铝电解电容器专辑》(六)已在进行组稿,欢迎相关专业作者投稿,相关企业广告投入。联系人:曾革Tel:028-81872522,84391569E-mail:zengge0001@163.com     

低压铝箔腐蚀的碱洗工艺

对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。     

电极布置对电容器铝箔失重和比容均匀性的影响

研究了ＨＣｌ中５０ Ｈｚ交流电侵蚀下,电解槽电极布置对电解电容器用高纯铝箔的侵蚀均匀性的影响。结果表明, 随电解槽导电石墨电极浸入深度的增加,侵蚀铝箔的失重和比容趋于不均匀分布。随铝箔电解槽石墨间距增大, 侵蚀铝箔的失重和比容趋于均匀分布。直接通电侵蚀铝箔的失重和比容分布均匀性优于铝箔电场通电, 在理论上分析了原因。     

阳极铝箔交流腐蚀发孔对比容的影响

采用５０Ｈｚ交流电腐蚀发孔和进一步腐蚀阳极铝箔，在腐蚀箔表面形成透明钝化型腐蚀膜且蚀孔孔径较大。在交流电腐蚀过程中不产生发黑、掉粉和减薄现象。另外，该工艺对盐酸浓度和硫酸添加剂浓度的适应范围很宽。     

铝阳极箔化成技术

介绍了铝阳极箔的化成方法及其发展动态，对化成工艺和设备作了简单的分析。认为：用非水体系如γ丁内酯化成液，代替水体系化成液，用铝箔导电与溶液导电组合供电化成来代替单一供电化成法，都会取得降低化成耗电量、降低化成箔漏电流、提高化成箔比容及提高化成效率等效果。     

铝电解电容器用阳极化成箔的选用

阳极化成铝箔的质量直接影响铝电解电容器的性能。介绍化成箔的主要性能参数 ,如升压时间、氧化膜稳定耐压值、比容及散差、抗拉强度和折弯强度、表面氯离子残留量等的正确选用。正确选用阳极化成箔对提高电容器产品的质量、降低成本十分重要。     

MEMS器件各向异性腐蚀过程中的Al连线保护

微电子机械系统 ( MEMS)器件制造过程中的各向异性腐蚀工序 ,会引起硅片正面的 Al连线被腐蚀 ,造成器件的失效。本文论述了使用一种环氧树脂和聚酰胺调配的胶体将器件正面电路密封起来的方法 ,使 MEMS器件在 85℃ ,浓度为 3 3 %的 KOH溶液里进行各向异性腐蚀 ,可以成功地保护 Al连线。这种方法的使用 ,为 MEMS器件的制作完成奠定了技术基础     

降电压铝箔在缩体产品中的应用

从分析国内外铝箔的质量和特点出发，对制约铝电解电容器体积的铝箔比容作了初步探讨，提出了提高铝箔比容的方法。     

硫酸/盐酸比例和Al~(3+)含量对铝箔隧道孔生长的影响

研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al3+可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。