一种基于CMOS工艺的欠压保护电路

提出了一种基于标准CMOS工艺的欠压保护电路,能提供高精度的阈值电压和低温度漂移的上升阈值。在标准CMOS工艺中,利用横向PNP中VBE的负温特性与热电压VT的正温特性进行相互补偿,实现低的温度漂移特性。同时,欠压保护电路的阈值主要由电阻之间的比例决定,能获得高精度、高集中度的阈值电压,达到量产要求。     

一种结构简单的新型CMOS欠压保护电路

分析了两种传统欠压保护电路的工作原理及优缺点,在此基础上提出一种新颖的欠压保护电路。电路采用电流比较的方式,不依赖比较器、基准电源等辅助结构,结构简单,具有良好的独立性和稳定性;此外,有源器件中仅使用了MOS管,工艺实现容易,更便于集成。仿真结果表明,当电源电压在2.5V到3V之间变化时,电路欠压保护功能正常,并具有90mV的迟滞,可有效防止电源电压波动引起的误触发。     

一种CMOS欠压保护电路的设计

本文设计了一种CMOS工艺下的欠压保护电路,首先分析了电路的工作原理,而后给出了各MOS管的参数计算,并给出pspice仿真的结果.此电路结构简单,工艺实现容易,可用于高压和功率集成电路中的电源保护.     

一种BiCMOS欠压保护电路的设计

基于0.6μm BiCMOS工艺,设计实现了一种欠压保护电路.该电路结构简单,避免使用电压基准和比较器等辅助模块,工艺实现容易,可用于功率集成电路或单片集成电源.仿真结果表明,该电路能在欠压时输出逻辑信号,且有迟滞功能.     

一种新型欠压锁定电路的设计

针对电源控制芯片中常需用到的欠压锁定功能,提出一种新的欠压锁定电路的设计,采用高稳定基准电压源作为比较基准,成功综合了单门限比较器和迟滞比较器的优点,并改善了逻辑电路的设计,成功实现了电路的预定功能.SPECTRES模拟仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有启动电流小、响应速度快,温度漂移小等特点.     

一种非对称欠压锁定电路设计

传统带隙基准结构的欠压锁定(UVLO)电路存在结构复杂、温漂特性差、功耗高等缺陷。为精准实现低温漂,提出了一种欠压锁定电路结构,该结构基于差分放大器的非对称性产生滞回电压,进而降低了阈值电压的温度敏感性,提高了阈值电压的精度。该欠压保护电路通过反馈控制法产生了上、下门限阈值电压,克服了单个阈值抗干扰能力差的缺点。电路基于0.18μm BCD工艺设计,仿真结果表明：当电源电压高于上门限阈值电压(V_IH)2.2 V时,芯片系统正常工作;当电源电压低于下门限阈值电压2.01 V时,芯片系统被关断;在-55～+125℃温度范围内,该电路的滞回电压为0.19 V,V_IH温漂为0.01 V,滞回电压温漂为0.07 V,且该欠压锁定电路的功耗在3 V电源下为9.54μW。     

一种过压欠压及延时保护电路的设计

在用电设备使用中,会加入相应的保护电路,以保证用电设备在正常的供电状态下使用。当供电线路出现过(欠)压时,如有保护电路进行有效保护,就能确保用电设备安全正常运行。     

一种带高阶补偿的低温漂基准电压源

在0.18 μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8 V、温度范围为-25 ℃~125 ℃时,该基准电压源的温度系数为3.12 ×10–6/℃。     

一种可用于浮动电源的高精度欠压锁定电路

提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表明,该电路可用于浮动电源,所测得的欠压锁定阈值与设计值相吻合。     

基于0.18μm CMOS工艺的低温漂低功耗延时电路

基于0.18μm CMOS工艺设计了一款低温漂延时电路,适用于不能使用锁相环电路又对信号传输精度有要求的低功耗传感检测应用。采用正温度系数的偏置电压,通过电流镜为延时电路提供一个正温度系数的偏置电流,利用偏置电流约束电路的延时温漂,实现温漂粗调。采用数字时间转换器,通过外部输入配置,对粗调后的延时进行动态细调,使得延时电路具有更高的动态稳定性和更低的温漂特性。电路测试结果表明,在3.3 V的电源电压下,-55～125℃内延时电路的温度系数为125×10^-6/℃,静态功耗仅为0.72 mW。     

一种高速低功耗的欠压锁定电路

设计了一种高速低功耗的欠压锁定电路。在迟滞比较器的输出级采用轨对轨输入共源放大器电路,检测VUVLO由高电平跳变为低电平的过程,自适应地控制输出级的尾电流源大小,以减小输出建立时间,使得后级电路能够快速响应电源变化。基于华虹0.35 μm BCD工艺进行设计与仿真,结果表明,在输出级的尾电流大小为1.3 μA时,相比传统电路,该电路能减少30%的输出建立时间。这不仅降低了功耗,还提高了电路响应速度。     

一种低温漂的无运放带隙基准电压源

针对传统无运放带隙基准电压源温度特性差的问题,设计了一种低温漂的无运放带隙基准电压源电路。设计中通过电流镜以及环路反馈的方法来代替传统运放对电路进行钳位,避免了运放输入失调电压对带隙基准电压精度的影响。同时基于华虹0.35μm BCD工艺,利用工艺库中温度系数不同的电阻来产生与温度相关的非线性项,从而对三极管负温度系数电压中的高阶非线性项进行补偿,实现了无运放带隙基准的低温漂特性。通过Cadence Spectre对电路进行仿真,仿真结果表明：在-55～125℃温度范围内,输入电压为5.5 V时,带隙基准电压的温漂系数为1.949×10^-6/℃;在10 kHz时,电源抑制比达到71.5 dB,在1 MHz时,电源抑制比达到46.3 dB。     

一种高阶补偿低温漂带隙基准源

基于0.18μm CMOS工艺,设计一种带有高阶补偿结构的低温漂系数带隙基准电路。在传统带隙基准的结构上,利用当三极管的集电极电流工作在不同温度特性下的基极与发射极的电位之差含有的高阶补偿量,对传统结构进行补偿,从而得到一个温度系数极低的带隙基准源。仿真结果表明,所设计电路整体结构简单、易实现,在-55～125℃的温度范围内,温漂系数仅为2.52 ppm/℃,低频时的电源抑制比为-78 dB。     

一种电机驱动芯片的欠压保护电路设计

基于先进的0.35um BCD工艺,对传统欠压保护电路缺点进行分析,设计实现了一种可应用于电机驱动芯片的欠压保护电路。电路结构简单,不需要额外的带隙基准电路,同时也省去了电压比较器电路。特别地,电路考虑了器件的温度特性,减少温度变化对电路的翻转阈值和迟滞量的影响。通过使用Cadence Spectre工具进行电路仿真,结果表明电路工作正常,当电源电压降低到2.7V时,输出低电平,当电压重新上升到2.83V时,输出恢复到高电平,迟滞量为0.13V,具有迟滞功能。     

一款无电压比较器的欠压保护电路

基于双极型晶体管的伏安特性,设计了一款可独立工作的欠压保护电路。该电路工作无需依赖外部模块提供的基准电压和偏置电流,有效的增强了模块保护能力和可靠性。使用华润上华CSMC 0.5um CMOS工艺完成了电路以及版图设计;对电源电压在3.9至4.3V之间仿真,结果表明电路保护功能正常,并具有90mV(可调)的迟滞功能,可有效防止电源电压不稳定引起的输出信号异常跳动。     

PWM控制器欠压锁定电路的实现

文章提出了一种用于集成PWM控制器内部的欠压锁定电路,并详细地分析了工作原理,通过建立晶体管模型,实现了电路的功能设计,并用PSPICE进行了模拟。它具有启动电流小、响应速度快等特点。     

一种超低功耗欠压锁定电路设计与实现

集成电路的低功耗、高集成度已经成为发展趋势.传统的欠压锁定电路需要外部电路提供带隙基准电压和偏置电流,电路结构复杂;同时,当发生欠压锁定,关断芯片时,却要保证带隙基准电路始终正常工作,不利于芯片功耗的降低.针对传统欠压锁定电路结构的缺点,设计了一种基于三极管的欠压锁定电路,不需要外部电路提供基准电压和偏置电流,电路结构...