BaLaB_9O_(16)∶Eu,Tb的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了BaLaB9O1 6 ∶RE (RE =Eu ,Tb)等离子荧光体 ,测量了它们的真空紫外激发光谱和 14 7nm激发下的发射光谱。结果表明 ,硼氧阴离子基团基质吸收带位于 15 0nm附近 ,Eu3 电荷迁移带位移 2 5 0nm附近 ,Tb3 的 4f 5d吸收位于 15 0～ 2 60nm的区域内 ,相关数据表明 ,基质与稀土离子之间存在能量传递。     

LaMgAl11O19：R（R=Tb,Mn）的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了LaMgAl11O19:R(R=Tb,Mn)荧光体，测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱，观察到基质吸收带位于170nm附近，Mn^2 离子的吸收位于170－510nm范围，Tb^3 离子的4f-5d吸收位于170－250nm范围，在147nm激发下，它们发射绿光，真空紫外光谱特性的研究表明，其质与激活离子之间存在较好的能量传递。     

LaMgAl11O19∶R(R＝Tb,Mn)的真空紫外光谱特性

采用高温固相反应法合成了LaMgAl11O19∶R (R=Mn, Tb)荧光体, 测量了荧光体的真空紫外激发光谱和相应的发射光谱, 观察到基质吸收带位于170 nm附近, Mn2+离子的吸收位于170～510 nm范围, Tb3+ 离子的4f-5d吸收位于170～250 nm范围. 在147 nm激发下, 它们发射绿光. 真空紫外光谱特性的研究表明, 基质与激活离子之间存在较好的能量传递.     

KMgF3∶Ce3+，Eu2+的溶剂热合成与光谱性质

采用溶剂热法合成了Eu2 ,Ce3 单掺和双掺KMgF3.分析了样品的结构与形貌.结果表明,所合成的样品均为单相,颗粒粒度分布集中.测定了它们的激发和发射光谱,结果显示:在单掺Eu2 的KMgF3中,没有观察到位于420nm附近由微量氧色心引起的宽带发射,只发现峰值位于360 nm附近的锐峰线发射,说明溶剂热合成的KMgF3:Eu中氧含量极低;在KMgF3双掺体系中由于Eu2 和Ce3 争吸收激发能,Eu2 把能量传递给Ce3 ,存在Eu2 -Ce3 能量传递过程.观察到Ce3 的较强的发射带和Eu2 的较弱的线发射,并讨论了能量传递机理.     

Eu~(3+)在RE_2O_3·0.95P_2O_5·0.1SiO_2(RE=La,Gd)中的发光

研究了Eu~(3+)在RE_2O_3·0.95P_2O_5·0.1SiO_2(RE=La,Gd)基质中的发光。它们的激发光谱包括Eu~(3+)的CTS和f—f跃迁引起的吸收,于254nm附近有强的吸收。另外Gd基质试样在274nm处有一锐线吸收,是由Gd~(3+)的~8S→~6I跃迁产生的,表明Gd~(3+)可以把吸收的274nm波长的能量传递给Eu~(3+)。发射光谱只包括~5D_0→~7F_(0,1,2,3,4)跃迁的窄带谱。讨论了Eu~(3+)在La-Gd基质二元体系中的发光。随着Gd~(3+)含量的变化,可引起发射峰相对强度、CTS能量和发光亮度的连续变化。同时本文对Gd基质中Bi~(3+)通过Gd~(3+)的中间作用向Eu~(3+)传递能量进行了初步讨论。     

高密度发光材料BiTaO4：Pr^3＋和BiTaO4的发光特性研究

研究了BiTaO4:Pr^3 ,BiTaO4的光致发光性质，测量了BiTaO4的红外透射和漫反射光谱。BiTaO4的光致发光光谱发射峰位于约420，440，465nm；其激发谱在约330－370nm范围有明显的激发。BiTaO4:Pr^3 的光致发光光谱为Pr^3 的特征发射，主峰为606nm，来自Pr^3 的^3P0→^3H6跃迁；其激发谱由来自于基质的峰值为325nm和范围在375－430nm的宽激发带以及Pr^3 的特征激发组成，325nm,375-430nm的激发带可能分别来自钽酸根团的电荷迁移跃迁和基质的带间缺陷能级的吸收；在BiTaO4:Pr^3 中存在着基质→Pr^3 的能量传递。由于BiTaO4:Pr^3 基质的密度和Pr^3 的发光强度均超过PbWO4，因此BiTaO4:Pr^3 可能是潜在的重闪烁体。     

KMgF3∶Ce^3＋,Eu^2＋的溶剂热合成与光谱性质

采用溶剂热法合成了Eu^2＋,Ce^3＋单掺和双掺KMgF3。分析了样品的结构与形貌。结果表明,所合成的样品均为单相,颗粒粒度分布集中。测定了它们的激发和发射光谱,结果显示：在单掺Eu^2＋的KMgF3中,没有观察到位于420nm附近由微量氧色心引起的宽带发射,只发现峰值位于360nm附近的锐峰线发射,说明溶剂热合成的KMgF3∶Eu中氧含量极低;在KMgF3双掺体系中由于Eu^2＋和Ce^3＋竞争吸收激发能,Eu^2＋把能量传递给Ce^3＋,存在Eu^2＋→Ce^3＋能量传递过程,观察到Ce^3＋的较强的发射带和Eu^2＋的较弱的线发射,并讨论了能量传递机理。     

La2CaB10O19：Eu^3＋的VUV—VIS范围光谱的研究

研究了La2CaB10O19:Eu^3 红色发光材料的高分辨发射光谱和UV－VUV激发光谱，根据发射光谱和荧光寿命，认为进入晶格的Eu^3 占据了两种格位，一种Eu^3 占据了与O^2-离子十配位的La^3 的格位，另一种Eu^3 则占据了与O^2-离子八配位的Ca^2 的格位，又从激发光谱的分析中，得到Eu^3 的电荷迁移带（CTB）是峰值位于244mm的带，而位于130－170nm之间的成份复杂的宽带包括硼酸盐基质的吸收带和Eu^3 的f-d跃迁的结论。     

La2CaBl0O19：Ce3＋在VUV-Vis范围的发光性质研究

通过研究La2CaB10O19:Ce3 在VUV-Vis范围的光谱，发现Ce3 在La2CaBl0O19中共有两种格位．分别取代了十配位的La3 和八配位的Ca2 ．从而发射光谱中没有出现特征的双峰。而出现了峰值约位于307．330和356nm的3个发射峰．由于在低对称性晶体场中d轨道的分裂．激发光谱中位于194，224,243,260,274和318nm的峰是由两个格位的Ce3 的f-d跃迁引起的．Ce^3 占据两个格位．可以通过以Eu3 为荧光探针的发射光谱中出现的两个5Do-7Fo跃迁得到验证．峰值位于162nm的激发谱带是基质吸收带．与基质禁带宽度相对应．通过计算．不排除其中包含O2-→Ce3 的电荷迁移带的可能性．     

高密度发光材料BiTaO4∶Pr3+和BiTaO4的发光特性研究

研究了BiTaO4∶Pr3+, BiTaO4的光致发光性质, 测量了BiTaO4的红外透射和漫反射光谱. BiTaO4的光致发光光谱发射峰位于约420, 440, 465 nm; 其激发谱在约330～370 nm范围有明显的激发. BiTaO4∶Pr3+的光致发光光谱为Pr3+的特征发射, 主峰为606 nm, 来自Pr3+的3P0→3H6跃迁; 其激发谱由来自于基质的峰值为325 nm和范围在375～430 nm的宽激发带以及Pr3+的特征激发组成, 325 nm, 375～430 nm的激发带可能分别来自钽酸根团的电荷迁移跃迁和基质的带间缺陷能级的吸收; 在BiTaO4∶Pr3+中存在着基质→Pr3+的能量传递. 由于BiTaO4∶Pr3+基质的密度和Pr3+的发光强度均超过PbWO4, 因此BiTaO4∶Pr3+可能是潜在的重闪烁体.