金刚石薄膜的低温合成技术

本文综述了国内外低温和室温合成金刚石薄膜的发展现状和动态，介绍了几种典型的低温和室温合成金刚石薄膜的方法及工艺特点，给出了低温合成金刚石薄膜的一些基本规律。     

用CVD法合成金刚石薄膜

金刚石是很有名的轴承材料,具有很多极其重要的特性,如极高的硬度、很高的导热性、很高的透光性、很高的电阻率,若掺杂适当,人造金刚石将成为很有用途的半导体材料.在机械、电子、光学等方面,都有极其广泛的应用.几年来,制造人造金刚石的材料,仅限于氢、碳氢化合物,如甲烷、乙炔、已炔等.这些材料的生长速度很慢,约0.2～1μm/h.     

燃烧火焰法合成金刚石薄膜

本文给出了利用氧一乙炔燃烧火焰在Si(111)衬底上高速率（-80um/h)生长金刚石薄膜的方法，对合成的金刚石薄膜进行了扫描电子显微镜、Raman光谱和X-光衍射分析，并对其结果进行了简要的讨论。实验研究表明这种方法是可行的，且设备简单，成本低廉。     

金刚石薄膜和类金刚石薄膜

本文介绍了金刚石薄膜和类金刚石薄膜的制备与薄膜性能分析方法,也介绍了它们的应用前景。本文给出了华北光电所研究类金刚石薄膜的结果。     

火焰法合成金刚石薄膜的电镜表征

火焰法合成金刚石薄膜的电镜表征陶景光罗慧倩廖兆曙（华中理工大学，武汉４３００７４）金刚石膜由于具有极其优异的性能和广泛的应用，受到国内外的重视。除高温高压人工合成金刚石工艺外，已发展有多种常压气相合成方法，如热丝法、等离子法等。但这些方法大多需要真空...     

用XPS对合成金刚石薄膜的评价

金刚石薄膜有极高的硬度,是一种高耐磨的材料。在机械、冶金、钻探等方面有广泛的应用前景,可作为切削刀具、钻头等工具涂层;金刚石薄膜对可见、红外光透明,高导热,可作为大功率激光窗口材料;对金刚石薄膜进行特定的掺杂,可制得具有优良特性的P型和N     

热丝CVD法分解丙酮合成金刚石薄膜

本文采用热丝CVD方法，在丙酮和氢气系统下，用Si和Mo片作衬底进行了合成金刚石薄膜的研究。Raman谱、X射线衍射以及扫描电镜的分析结果表明，制备的金刚石薄膜是多晶金刚石薄膜，当丙酮量为1.1%时，晶粒尺寸约为1-1.7微米。生长速率约为0.4um/h，并讨论了金刚石薄膜质量与实验条件的关系。     

火焰法合成大面积金刚石薄膜的初步研究

本文给出单喷嘴移动火焰在大气条件下合成大面积金刚石薄膜的初步试验结果。用喇曼光谱、扫描电镜分析了膜的结构和形貌。试验表明，移动火焰法能合成大面积高质量的金刚石薄膜，薄膜的质量、均匀性强烈取决于沉积温度。     

微波等离子体CVD合成金刚石薄膜的生长特性

本文研究了微波等离子体合成金刚石薄膜的工艺参数对成核和生长过程的影响。讨论了表面过程机理,找出了较佳工艺条件,合成出直径为φ23毫米晶形完整、均匀致密的金刚石薄膜。     

金刚石薄膜发展前景

金刚石薄膜发展前景崔万俊近年来，合成金刚石薄膜已经成为世界科技先进国家研究开发的最热门的新材料之一。据日本的有关专家预测：到２０００年，由于半导体领域的大量需求，其市场贸易额将会达到９８０多亿美元。由此可见，金刚石薄膜将会成为下一代电子元器件重要的新...     

金刚石薄膜半导体器件

介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相对于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。     

金刚石薄膜成份和结构的评价方法

本文描述了低压气相淀积生长金刚石薄膜样品的成份、结构、化学键等的测试、分析手段，讨论了这些分析技术所提供信息的可靠性、以及存在的一些问题。     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所遇到的问题，研究了热丝ＣＶＤ（ＨＦＣＶＤ）方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备腹晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响．     

金刚石薄膜半导体器件

介绍了金刚石薄膜的性质、当今金刚石薄膜半导体器件的技术、水平和性能。分析了金刚石薄膜作为半导体器件的优异性能、金刚石相地于硅的半导体器件性能的改善和存在的问题中，并指出实现金刚石薄膜半导体器件的障碍。     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题，研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。