用X射线旋进照相研究(Bi_(2-x)Pb_x)Sr_2CuO_y(0.1≤x≤0.6)晶体结构

关键词：     

Bi_2Sr_2CuO_y晶体中电子局域化

测量了不同Bi_2Sr_2CuO_y晶体ab平面内的电阻率-温度变化关系.发现在体系从金属到绝缘体的变化过程中,电子导电首先表现出低温下的二维弱局域化行为,然后逐渐过渡到强局域化的变程跳跃传导行为.依据实验结果对氧化物超导材料在低载流子浓度下的金属—绝缘体转变进行了讨论. 关键词：     

X射线衍射研究Bi_2Sr_（2－y）M_yCuO_（6＋δ）（M＝La，Pr）

作者报道了用Ｘ射线衍射法对Ｂｉ２Ｓｒ２－ｙＭｙＣｕＯ６＋δ（Ｍ＝Ｌａ，Ｐｒ，０．０≤ｙ≤１．０）系列单晶样品进行结构研究的结果．根据晶体结构的不同性质，我们将掺杂区分为三个区域．第一个区域的掺闭量在０．０≤ｙ≤０．１０之间，在此区域中晶体的平均结构为单斜结构，其调制波矢具有两个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋γ１ｃ．第二个掺杂区的掺镧量在０．１０＜ｙ≤０．６０之间，晶体的平均结构由单斜转变为正交结构，调制波矢具有单个非公度分量ｑ１＝β１ｂ＋ｃ．第三掺杂区的掺镧量在０．６０＜ｙ≤１．０之间，晶体的平均结构转变为另一单斜结构，在这一区域有两类调制结构共存．第一类调制结构与第一、第二掺杂区的调制结构类似；第二类调制结构的调制调幅沿α轴方向极化，调制波矢β分量约为第一类调制结构的二分之一．对于Ｂｉ２（Ｓｒ１．２Ｌａ０．８）ＣｕＯ６＋δ单晶，其第二类调制波矢为ｑ２＝０．１２２ｂ＋０．４３ｃ．     

X射线辐照下BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）的热释发光性质

本文研究了在不同温度下，经互射线辐照后ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：ＥＵ２＋的热释发光性质．给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系，讨论了两种温度辐照下，ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋（Ｘ＝０．９０，…，１．１５）热释发光产生差异的原因．     

共振X射线衍射研究高温超导Sr_2CuO_(3.4)晶体中的调制结构

为了进一步研究Sr_2CuO_(3.4)高温超导样品中调制结构与超导电性关系,本文对其调制结构形成机制提出了一种新的解释.采用同步辐射共振X射线衍射技术在Cu K边附近探测调制结构随入射光能量的变化,探测到Cu~(2+), Cu~(3+)变价有序,并用于解释Sr_2CuO_(3.4)高温超导样品中调制结构的形成机制.实验结果表明,氧空位既占据顶角位置又存在于CuO_2面内,氧空位的有序排布造成变价铜离子有序,这种有序结构与其超导电性相关.     

Bi_（2．2）Sr_（1．8）Ca_（1．05）Cu（2．15－x）NaxO_

本文介绍了用熔融法制备Ｂｉ２．２Ｓｒ１．８Ｃａ１．０５Ｃｕ２．１５－ｘＮａｘＯ８＋ｙ（ｘ＝０，０．４～０．８）样品，发现诸样品零电阻温度都在９０Ｋ左右，其小ｘ＝０．７．Ｔｃ０达到９２，５Ｋ．在８１Ｋ较高温区，该类样品仍然表现出良好的超导电性，其临界电流密度还达到１０３Ａ／ｃｍ２量级．     

Bi_（1．6）Pb_（0．4）Sr_2Ca_（2－x）（Nd_（0．75）Ce

本文通过Ｘ射线衍射、差热分析和超导电性测量等手段对Ｂｉ１．６Ｐｂ０．４Ｓｒ２Ｃａ２－ｘ（Ｎｄ０．７５Ｃｅ０．２５）ｘＣｕ３Ｏｙ体系的相结构和超导电性进行了研究．该体系中，在８１０—８４０℃空气中烧结４０小时样品的Ｔｅ随着ｘ增加而降低．研究了在７５０－８２０℃烧结样品的超导电性与组成的关系．ｘ＝１．６—２．０，在７５０—８２０℃空气中烧结４０小时样品的超导转变温度为１９—２１Ｋ．这种超导电性可能是由于部分被稳定的Ｂｉ－２２２２相所致．     

Bi_2Sr_（1．8）La_（0．2）Cu_（1－x）MxOy（M＝Ni，Z

本文利用Ｘ射线衍射、电子衍射和拉曼散射对Ｂｉ２Ｓｒ１．８Ｌａ０．２ＣＵ１－ｘＭｘＯｙ（Ｍ＝Ｎｉ，Ｚｎ）体系的微结构进行了研究．实验表明，随着掺杂量的增加，掺Ｚｎ体系的结构畸变明显大于掺Ｎｉ体系的结构畸变．由此看来，非磁性杂质Ｚｎ之所以比磁性杂质Ｎｉ对Ｔｃ具有更大的抑制作用，应该归因于Ｚｎ掺杂造成材料中严重的结构畸变．     

Bi_（2－x）Fe_xTi_4O_（11）体系的拉曼光谱研究

Ｂｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）体系的拉曼光谱研究赵明旭，孟进芳（长春教育学院物理系长春１３００６１）（河南大学物理系开封４７５００１）ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｆＲａｍａｎＳｐｃｔｒａｉｎＢｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）...     

Bi－2201单晶调制结构的X射线衍射观测

本文用Ｘ射线的方法对Ｂｉ－２２０１大片超导单晶的调制结构进行了研究．在衍射谱中，除了００１的主衍射峰外，还出现了一系列卫星峰．由这些卫星峰的位置可以得到这种单晶的调制波矢ｑ＝０．２０８ｂ＋０．３６ｃ．这与用电子显微镜观测的结果基本一致．     

Sr_3Ga_2Ge_4O_（14）晶体中Cr~（3＋）和Cr~（4＋）吸收光谱

采用提拉法生长了掺Ｃｒ的Ｓｒ３Ｇａ２Ｇｅ４Ｏ１４低温石榴石结构型单晶，测量了它的吸收光谱及其偏振特性，系统描述了该晶体在可见和近红外波段各吸收带的特征，指出Ｃｒ在此晶体晶格中主要存在两种价态Ｃｒ３＋和Ｃｒ４＋，Ｃｒ４＋在近红外的吸收将影响到Ｃｒ３＋的发光。     

BaFCl_（x）Br_（1－x）：Sm~（2＋）中_（5）D_2→~（7）F_

本文以ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率随ｘ变化为中心对ＢａＦＣｌｘＢｒ－１－ｘ：Ｓｍ２＋体系４ｆ５ｄ带的激发光谱、５Ｄ２→７Ｆ０跃迁的荧光衰减随温度的变化特性、５Ｄ２→７Ｆ０的跃迁几率等进行了研究．从而得出结论：在ＢａＦＣｌｘＢｒ１－ｘ：Ｓｍ２＋中，随Ｂｒ含量的增大，４ｆ５ｄ带与５Ｄ２能级更加接近，使７Ｆ０→Ｄ２的吸收截面增大，从而可能提高在５Ｄ２：能级烧孔的效率．     

Bi_（1．8）Pb_（0．2）Sr_2Ca_2Cu_3O高温超导体的I－V特性

我们测量了Ｂｉ１．８Ｐｂ－．２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ高温超导体在磁场下不同温度的等温Ｉ－Ｖ曲线．观测到在等温ｌｇＩ－ｌｇＶ曲线上会同时存在正曲率和负曲率．这是通常的Ａｎｄｅｒｓｏｎ－Ｋｉｍ磁通蠕动模型和涡旋玻璃态的标度理论Ｖ∞ｅｘｐ［－（Ｊ－／Ｊ）Ｈ］所不能解释的．我们在蠕动模型的基础上，考虑到磁通运动时的耗散对激活能会有一个动力学的贡献，对上述现象进行了解释，并与实验进行了对比．     

KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．     

Bi_2Sr_2CuOy掺La－和掺Pb－样品的磁性质

研究了掺Ｌａ－和掺Ｐｂ－的Ｂｉ２２０１样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３和５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度的关系．样品包括了从欠掺杂到过掺杂区域．实验结构表明，当增加空穴浓度时，从欠掺杂区域到开始发生超导转变区域，居里项的贡献逐渐减弱；而在超导区和金属区，居里项随着空穴浓度的增加而增加．除金属区外，居里项随着外加磁场的增加而增加．这表明在费米面附近存在一个窄能带．在低温下对于非理想超导体，其磁矩冻结且有序化，而在高场下（５Ｔ）则被抑制．在金属区，高温下是Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为，但居里常数不随外场而变化．我们对这种反常磁性行为提出了一种解释．     

发光体Mg_2Y_（8－x－y）（SiO_4）_6O_2：Eu_x~（3＋），B

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ方法首次在比较低的温度下制备了具有氧磷灰石结构的发光体Ｍｇ２Ｙ８－ｘ－ｙ（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ，Ｂｉ（ｘ，ｙ≥０），利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＧ－ＤＴＡ三种手段研究了发光体的形成过程。室温（２９３Ｋ）和液氮温度（７７Ｋ）的荧光光谱表明Ｅｕ３＋和Ｂｉ３＋在这种基质中分别发射红光和蓝光，每ｍｏｌ基质中其最佳掺杂浓度分别为０．１４ｍｏｌ和０．０３ｍｏｌ，并且其发光都存在温度猝灭。Ｅｕ３＋的激光感生荧光光谱中存在两条５Ｄ０－７Ｆ０跃迁线，表明Ｅｕ３＋同时进入４ｆ格位和６ｈ格位。在Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋共掺杂的发光体中，观察到了Ｂｉ３＋→Ｅ３＋的部分能量传递。     

用X射线光电子能谱确定2KIO_3·HCl晶体的化学结构

一、引 言 碘酸盐晶体作为非线性光学材料引起人们广泛的关注[1-4];因2KIO3·HCl晶体有其特殊的倍频效应和压电效应,所以被人们用来作为非线性光学和压电材料应用的研究.然而对其结构的研究至今未公开报道,在研究该晶体的生长中,文献[5]曾把它的化学结构式写为KIO3·KCl·HIO3,显然这种结构式表达了晶体中存在不等同晶格位的K和I原子. 人们知道,近年发展起来的X射线光电子能谱(XPS)广泛用于化合物结构的研究中,其化学位移效应用于区分固体物质中处于不等同晶格位的给定元素的原子,这已成为该技术的基本功能之一[6,7].为此,我们对2K…     

用光学信息量定量评价散乱射线对x射线照相底片的影响

文章介绍了用光学信息论的熵方法，在固定条件下，通过定量计算同一被摄物，在散乱射线不同的情况下，ｘ射线照相底片的信息量。而有效地评价散乱射线对底片象质影响。