偏氟乙烯/三氟乙烯铁电共聚物的非晶介电弛豫

用溶液成膜、液氮淬火、熔融慢冷和热处理4种方法制得不同结晶度的VDF/TrFE共聚物试样。在已改进的介电弛豫谱仪(精度由原来的1％提高到2‰)上测得复数介电常数。从结晶度为20％的淬火试样室温以下的介电频率谱中发现了非晶介电弛豫,并由此得到了玻璃化温度与共聚物组分含量的关系。 关键词：     

温度相关的微波频率下氯化钠水溶液介电特性

针对NaCl水溶液(0.001–0.5 mol/L)介电特性, 实验调查了频率(200–6.25 GHz), 温度(293–353 K)、 浓度相关复介电常数. 结果表明: 频率增大的过程中虚部呈逐渐减小的趋势, 高温使离子扰动增大, 破坏了溶液内部水分子四面体结构和氢键构象而使介电常数实部减小. 与纯水相比, 溶液的损耗角正切在高温353 K低频区下降明显. 同时发现2.45和5.8 GHz的复介电常数随温度变化的温度窗效应, 温度窗效应导致微波加热时耗散功率的振荡变化, 温度分布不均匀现象在实验中得以证实. 关键词： 微波 复介电常数 介电特性 高温探头     

PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度和介电性质

研制了新的PT-PEK-c电光聚合物薄膜材料,用准波导耦合m线方法测量了PT-PEK-c电光聚合物薄膜的厚度,并测量了该聚合物薄膜在1×10²Hz到1×10⁷Hz频率范围内的室温介电常数.测量结果为:厚度d=2.328±0.315μm,在10KHz下,介电常数ε_r＝4023±0.063,介电损耗tanδ＝0.003.     

利用普适介电理论对银/氧化锌复合材料介电性能的研究

研究了银/氧化锌复合材料的介电特性,发现其在低频下的频率特性表现出很强的弥散现象,直流电导相对真交流电导也不可忽略.利用普适介电理论,对于频率范围为10^-1—10⁷ Hz, 温度范围为173—473 K的实验结果进行了分析.通过对电导率的标准化处理发现,不同银含量的样品其介电损耗机理相同,均属深能级的电子跳跃.试样的电位梯度E_1mA随银含量的变化可以通过α_lf随银含量的变化关系来反映.实验结 关键词： 普适介电理论 介电特性 氧化锌     

高压下AlN纳米线的介电性质

利用高压X射线衍射和高压原位电化学阻抗谱法研究了AlN纳米线的高压结构和电学性质.研究结果表明:AlN纳米线的电学参数均在22.6 GPa发生了突变,该突变与样品发生了从纤锌矿到岩盐矿的结构相变相关.岩盐相中晶格对电子的散射在电传导中起主导作用;不同于纤锌相中的长程传导,岩盐相中存在短程传导,且其作用随压力增加而增大;纤锌相的介电损耗峰在1Hz且不受压力影响;岩盐相的介电损耗峰随压力减小且向低频方向移动.本研究将为AlN及其相关材料的进一步研究和应用提供实验依据.     

负介电媒质观点下超导边值问题的变分解

给出了对沉积于ＬａＡｌＯ₃（００１）上ｃ轴取向的ＹＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_７－δ薄膜介质谐振器的解析分析方法．在两流模型框架下，提出了负介电观点来表征超导材料电磁特征参量的概念．这使得对超导边值问题的讨论等价于经典电磁场理论中对一般媒质的处理．进一步构造的保角变换，不仅使原问题宜于由变分法求解，而且对诸如超导微带和共面波导结构传播特征的分析也是有益的     

离子导体在直流偏压作用下的介电特性

在我们以前的工作中,发现α-LilO₃在c向直流偏压作用下表观介电常数增加。并把这一现象归结为由离子导电所产生。本文进一步研究了离子导体KLiSO₄和NaCl单晶在直流偏压下的介电特性,也观察到了表观介电常数改变的现象,证实了上述结论的正确性。我们也研究了离子导体的这一特性与温度、频率和样品四周气氛的关系,讨论了它发生的条件。 关键词：     

化学反应溶液介电特性同轴式在线测量装置

 为解决化学反应溶液腐蚀测量探头的问题,提出了一种能实现宽带在线测量且测量探头不直接接触化学反应溶液的测量装置,并用这种测量装置采用全波仿真软件得到了用于重构溶液等效介电系数的散射参量。同时在假定2%测量误差的情况下,采用遗传算法反演溶液的等效介电系数。化学反应溶液等效介电系数的重构结果与文献值吻合较好,其相对误差小于5%,表明该测量装置在化学反应溶液介电系数的宽带在线测量中具有明显优势。     

化学反应溶液介电特性同轴式在线测量装置

为解决化学反应溶液腐蚀测量探头的问题,提出了一种能实现宽带在线测量且测量探头不直接接触化学反应溶液的测量装置,并用这种测量装置采用全波仿真软件得到了用于重构溶液等效介电系数的散射参量。同时在假定2%测量误差的情况下,采用遗传算法反演溶液的等效介电系数。化学反应溶液等效介电系数的重构结果与文献值吻合较好,其相对误差小于5%,表明该测量装置在化学反应溶液介电系数的宽带在线测量中具有明显优势。     

VDF（52）／TrFE（48）铁电共聚物的非晶介电弛豫

用液氮淬火和热处理方法制得结晶度相差较大的铁电共聚物ＶＤＦ（５２）／ＴｒＦＥ（４８）试样。介导弛豫研究提示室温以下共聚物的频率谱由低频和高频两部分组成。低频部由非晶区被冻结分子链段的微布郎运动贡献。符合ＷＬＦ方程；高频部由晶区分子链段较小尺度的局域运动产生，遵从Ａｒｒｈｅｎｉｕｓ规律。分峰拟合结果得到共聚物的玻璃化转变温度为－２４℃，局域弛豫活化能为４６．１ｋＪ／ｍｏｌ．     

介电函数虚部与电导率的关系

在明确介电函数定义及其虚部意义的基础上,比较分析函数ε'(ω)与复介电函数ε(ω)的不同,建议函数ε'(ω)不要称为"复介电函数"或"复电容率",以免与复介电函数ε(ω)混淆.     

聚合物介电弛豫的温度特性

运用极限的概率模型和Ngai的耦合概念,导出了聚合物介电弛豫的KohlrauschWilliamsWatts(KWW)方程(t)=exp[-(tτ)β],证明了弛豫的能量势垒为Ngai的活化能量E.由β的温度关系推出了适用于聚合物的WilliamsLandelFerry方程和过冷液体的VogelTammannFulcher方程,特别是提出了由聚合物的β(T)可导出弛豫时间的温度函数.认为KWW行为由单个衰减单元产生,幂律行为由局部区域内多个衰减单元的协同衰减造成.将活化能量E引入热刺激电流公式,得到了可通过改变升温速率测量β(T)的公式. 关键词： 介电弛豫 聚合物 极限概率模型 KWW方程     

静水压下锆锡钛酸铅铁电陶瓷相变和介电性能研究

研究了铌掺杂锆锡钛酸铅铁电陶瓷Pb_0.99Nb_0.02[(Zr_0.90Sn_0.10)_0.96Ti_0.04]_0.98O₃(PZST 90/10-4-2Nb)在静水压(0-300 MPa)下的电荷释放量和介电性能. 对压力诱导的低温铁电三方(F_R(LT))→反铁电正交(A_O)相变进行了研究. PZST 90/10-4-2Nb铁电陶瓷分为未极化、极化和压力去极化三种. 极化PZST 90/10-4-2Nb陶瓷F_R(LT)→A_O相变过程中,电荷释放量为29.3 μC/cm²,相变压力为140 MPa. 介电性能表明:极化PZST 90/10-4-2Nb陶瓷相变压力为136 MPa,而未极化陶瓷相变压力为104 MPa,压力去极化陶瓷未表现出明显的相变特征. 关键词： 静水压 铁电陶瓷 相变 介电     

弛豫铁电体介电可调性的研究

无铅弛豫铁电体具有较好的介电可调性,在顺电相有较大的介电常数和极小的损耗,因较大的优值而被广泛地用于微波器件.根据现有的介电可调性理论,通过参量的适当修正,对介电可调性的表达式做了合理的探讨,结论适用于处理实验结果.比较发现,在电场作用下顺电相保持不变的近似得出的结论与实验结果差距较大,而转化为铁电相与实验结果完全吻合.考虑外加电场和自发极化对弹性吉布斯自由能的修正,导出了高电场对介电常数的修正关系,与实验结果相符.提出了介电可调度的概念与计算公式,能够定量表示掺杂对介电可调性的影响.     

射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明，在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前，薄膜性能已被破坏，发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态——初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理，建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法. 关键词： BST薄膜 介电击穿 漏电流     

ZnO压敏陶瓷的介电谱

在-160℃-200℃温度范围内、0.1 Hz-0.1 MHz频率范围内测量了 ZnO压敏陶瓷的介电频谱, 发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程, 获得的Schottky势垒高度为0.77 eV. 基于背靠背双Schottky势垒模型, 提出当存在直流偏压时, 势垒高度将随直流偏压线性增大. 基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小, 进而计算出晶粒平均尺寸为6.8 μm, 该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内. 可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征, 还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.     

介电体围绕下绳束状碳纳米管的场发射特性(英文)

在周边环绕玻璃薄片介电体的作用下,绳束状碳纳米管宏观体的场发射电流发生异常跃迁,同时伴随有场发射电子光斑的横向扩展,导致跃迁后的场发射电流明显高于正常情况。所有观察到的现象均与介电体存在下的电场重新分布和电子轨迹偏离有关。理论分析及随后的场发射测试检验了介电体几何尺寸、间距、介电常数等因素对场发射I-V性能的影响。研究结果提供了一种控制Spindt型场发射体电子发射性能的新的可行途径。     

光吸收介质的吸收系数与介电函数虚部的关系

讨论了相对介电函数虚部和消光系数与光吸收的关系,指出吸收系数与消光系数成正比,而吸收系数与相对介电函数虚部成正比是有条件的.