ScH2及HfH2的电子结构

用自洽LMTO-ASA方法研究了ScH₂及HfH₂的电子结构,毋需在面心晶格的八面体中心位置上加入一个额外的球作为muffin-tin势的修正,关于ScH₂本结果与Peterman及Harmon的计算结果及光电子谱结果十分一致;除去₂¹的位置处在Fermi能级之下,因而在ScH₂中H也可能占据八面体位置。HfH₂状态密度的大致轮廓定性上与光电子谱结果是符合的。H原子带有1.2—1.3个电子电荷。 关键词：     

DV-Xa计算a-SiO2电子结构

关键词：     

MoSi2表面电子结构

利用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法研究了Ｃ１１_b晶体结构的ＭｏＳｉ₂三种（００１）表面电子结构，分别给出了三种不同表面总体态密度和表面层原子局域态密度及分波态密度，与体结构相关原子态密度作了对比，并对费密能级上的态密度作了比较讨论。就表面稳定性而言，以Ｍｏ原子为表层原子的表面结构最不稳定，以单层ｓｉ原子为表面的表面结构最稳定，该结论支持了Ｔ．Ｋｏｍｅｄａ等的实验结果^［１５］。 关键词：     

掺杂对MoS2吸附H2的电子结构影响

本文应用Materials Studio软件对MoS₂分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS₂材料的电子结构的影响。研究发现：稳定性由强到弱依次为：O-MoS2-H₂、MoS₂-H₂、N-MoS₂-H₂、Si-MoS₂-H₂,即O-MoS₂-H₂的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS₂电子结构,MoS₂-H₂、O-MoS₂-H₂、Si-MoS₂-H₂能隙值处于0～2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS₂-H₂能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是...     

高温超导体MgB2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB₂的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB₂是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(E_F)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB₂的超导电性的微观机制不可能是电子声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制 关键词： 高温超导体 电子结构     

NdNi2Ge2化合物的结构和电磁输运性质

利用非自耗真空电弧熔炼法制备了NdNi₂Ge₂化合物样品,采用X射线粉末衍射技术和Rietveld全谱拟合分析方法测定了其晶体结构. 结果显示该化合物的空间群为I4/mmm,点阵参数为:a=4.120(1),c=9.835(0),Z=2,Nd原子占据2a晶位,Ni原子占据4d晶位,Ge原子占据4e晶位. NdNi₂Ge₂化合物呈现顺磁性,应用居里-外斯定律拟合计算得到居里-外斯常数为25.8,居里-外斯温度为6.24 K. 有效势磁矩为3.69μ_B,这与理论计算Nd³⁺的磁矩相符,表明磁矩主要源于Nd³⁺. 电阻率变化范围为0.3 Ω ·μm^-1-1 Ω ·μm,电阻曲线拟合显示NdNi₂Ge₂呈半金属性. 关键词： 2Ge₂')" href="#">NdNi₂Ge₂ Rietveld结构精修 电磁输运     

插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag_1/4TiSe₂及TiSe₂的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag_1/4TiSe₂系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示：Ag以较强的离子性结合于Ag_1/4TiSe₂中.Ag的插入使得半金属性的TiSe_{2关键词： 1/4}TiSe₂')" href="#">Ag_1/4TiSe₂ 电子结构 插层化合物 第一性原理计算     

YFe2B2电子结构的第一性原理计算

基于密度泛函理论,从头计算了具有ThCr₂Si₂型四方晶系的稀土金属化合物Yfe₂B₂体相的物理特性.能量计算结果表明Yfe₂B₂体相处于顺磁金属态;而能带结构、态密度、布居数以及差分电荷　分布的计算结果表明Y原子的5s,5p电子具有很强的局域性;Fe原子的3d电子和B的1s,2s和2p电子强烈耦合,使得最近邻Fe原子与B原子形成了Fe—B共价键;最近邻的两个Fe原子之间由于 关键词： 稀土金属化合物 第一性原理计算 能带结构 态密度     

PuH2分子电子结构的DVM研究

关于钚的氢化物的分子结构和分子光谱公开解密的资料与数据甚少.基于密度泛函理论的全数值自洽场计算方法——离散变分方法(DVM)，数值解相对论的Dirac方程，在自由的钚原子和氢原子波函数的数值基及原子能级基础上计算了全电子的PuH2分子电子结构.得到PuH2分子基态最佳参数为键长Pu—H=0208617nm，键角θ°(H—H)=115.011°，轨道总能量为-19838.6630 a.u.，费米能级EF=-12.571eV. 比较了冻芯与非冻芯全电子计算结果.     

F掺杂SnO2电子结构的模拟计算

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法对SnO₂:F体系的电子结构进行了第一性原理模拟计算.用广义梯度近似方法优化SnO₂:F体系的晶胞结构，计算了体系基态总能.通过确定F掺杂对O的优先替代位置，计算了SnO₂:F的能带结构、态密度、分波态密度.分析了F掺杂对SnO₂晶体的电子结构和晶体性质及光学吸收边的影响，从理论上得出光学吸收边发生蓝移.对不同掺杂量的体系电子结构进行了分析. 关键词： F掺杂 2')" href="#">SnO₂ 电子结构 态密度     

用LMTO方法研究ThMn12型硬磁材料NdFe10Mo2的电子结构与磁性

简要介绍了线性Muffin-tin轨道(LMTO)方法,并对NdFe₁₀Mo₂以及掺N原子后材料的电子结构作了计算,从而得到态密度的变化,求出了对应的磁矩;分析了掺N原子后磁矩变化的机理;并将其结果与M?ssbauer谱的数据作了比较;指出了填隙N原子后,8j位磁矩有最小值.     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

3Cu(IO3)2·2H2O晶体的电子结构研究

本文测定了3Cu(IO₃)₂·2H₂O球晶的电子吸收光谱,吸收峰位于9140cm^-1和15250cm^-1。首次观察到了高达6110cm^-1的低对称晶场分裂。吸收曲线经Gauss分解可得到八个Gauss型吸收峰,分别位于8590,10690,10870,12190,13500,14510,15330和16500cm^-1。测量其EPR谱可得g=2.141±0 关键词：     

ELECTRONIC STRUCTURE STUDIES OF THE C60 FILM CONDENSED ON 2H-MoS2(0001) SURFACE

The electronic structure and vibrational spectrum of the C₆₀ film condensed on a 2H- MoS₂(0001) surface have been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ul-traviolet photoelectron spectroscopy (UPS), Auger electron spectroscopy (AES) and infrared high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS). AES analysis showed that at low energy side of the main transition, C₆₀ contains a total of three peaks just like that of graphite. However, the energy position of the KLL main Auger transition of C₆₀ looks like that of diamond, indicating that the hybridization of the carbon atoms in C₆₀ is not strictly in sp²- bonded state but that the curvature of the molecular surface introduces some sp²pz- bonded character into the molecular orbitals. XPS showed that the C 1s binding energy in C₆₀ was 285.0eV, and its main line was very symmetric and offered no indication of more than a single carbon species. In UPS measurement the valence band spectrum of C₆₀ within 10eV below the Fermi level (E_F) shows a very distinct five-band structure that character-izes the electronic structure of the C₆₀ molecule. HREEL results showed that the spectrum obtained from the C₆₀ film has very rich vibrational structure. At least, four distinct main loss peaks can be identified below 200 meV. The most intense loss was recorded at 66 meV, and relatively less intense losses were recorded at 95, 164 and 197meV at a primary energy of electron beam E_P = 2.0eV. The other energy-loss peaks at 46, 136, 157 and 186meV in HREEL spectrum are rather weak. These results have been compared to infrared spectrum data of the crystalline solid C₆₀ taken from recent literatures.     

PrBa2Cu3O7-δ的制备和电子结构

采用固相反应法制备了正交单相PrBa₂Cu₃O_7-δ样品.运用标准直流四引线法测量了该样品的电阻,发现它随温度的变化呈半导体行为.通过XPS测量表明,样品中明显合有Pr⁴⁺.最后从能带结构讨论了PtBa₂Cu₃0_7-δ不超导的原因. 关键词：     

O2的化学吸附对2H—MoS2(0001)清洁表面和离子溅射表面电子结构的影响

利用低能N⁺(0.5keV)离子轻微轰击2H-MoS₂(0001)清洁表面,从UPS(HeⅠ,HeⅡ)得到d电子峰向E_F移动,价带顶出现明显的“肩膀”或带尾,它随轰击时间的增加而增强,同时使d_(z²)带变宽。UPS的结果表明,这种表面在室温下有明显的O₂吸附活性,O₂吸附后这个肩膀明显下降。结合XPS,AES和LEED的研究,我们认为这个“肩膀”态与次表面原子层的Mo原子的d电子的暴露和最外表面原子层s原子空位缺陷的产生有关。这些新的表面电子态与加氢脱硫(HDS)催化活性中心有密切的关系。 关键词：     

Fe2O3纳米微粒的电子结构特征及对其光学特性的影响

本文用电子态表征手段研究Fe₂O₃纳米微粒的电子结构特征,并讨论了对其光学性质的影响。实验结果与近年来的理论计算结论一致。 关键词：