不同形貌纳米CoWO_4的水热法制备及气敏性能(英文)

以Co(NO3)2·6H2O、Na2WO4·2H2O为主要原料,去离子水为溶剂,利用水热法在不同条件下制备了一系列的纳米CoWO4,用XRD、TEM和比表面分析仪对产品的物相、形貌和比表面积进行了表征。较系统地探讨了水热条件(反应混合物pH值、反应时间、反应温度等)对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌产品对甲醛、乙醇、氨气、苯和丙酮等的敏感性能。结果表明:水热条件对产品的物相和形貌有影响,在不同水热条件下,可成功制备CoWO4纳米颗粒、纳米立方体及纳米棒;以纳米颗粒、纳米立方体及纳米棒样品制成的气敏元件对被试气体有不同程度的响应,其中以纳米颗粒为基的元件在210℃对1 000μL·L-1NH3灵敏度为3.3。     

不同形貌纳米CoWO4的水热法制备及气敏性能

以Co（NO₃）₂·6H₂O、Na₂WO₄·2H₂O为主要原料,去离子水为溶剂,利用水热法在不同条件下制备了一系列的纳米CoWO₄,用XRD、TEM和比表面分析仪对产品的物相、形貌和比表面积进行了表征。较系统地探讨了水热条件（反应混合物pH值、反应时间、反应温度等）对产物物相和形貌的影响,并研究了不同形貌产品对甲醛、乙醇、氨气、苯和丙酮等的敏感性能。结果表明：水热条件对产品的物相和形貌有影响,在不同水热条件下,可成功制备CoWO₄纳米颗粒、纳米立方体及纳米棒;以纳米颗粒、纳米立方体及纳米棒样品制成的气敏元件对被试气体有不同程度的响应,其中以纳米颗粒为基的元件在210℃对1000μL·L^-1NH₃灵敏度为3.3。     

水热法合成纳米氧化铜粉体及其性能表征

氧化铜粉体广泛用于电极材料[1 ] 、玻璃、催化剂 (载体 )等领域。粒子的超细化 ,可以显著的改善氧化铜的应用性能。制备纳米氧化铜的方法有固相合成法[2 ] 、沉淀转化法[3] 和络合沉淀法[4] 。本文采用水热法一步合成了纳米氧化铜粉体 ,所得粉体粒度均匀 ,操作简便 ,易于工业化生产。1　实验部分1 1　样品制备将硝酸铜 (分析纯 ,北京化工二厂 )配成浓度为 1 .0ｍｏｌ·Ｌ- 1 的溶液 ,按物质的量比为 2∶1加入浓度为 1 .0ｍｏｌ·Ｌ- 1 的尿素 (分析纯 ,上海试剂一厂 )溶液 ,然后在 95℃～ 1 2 5℃下加热溶液进行反应。由于水溶液在 1 0 0…     

YBO_3∶Eu荧光粉的水热法制备及形貌控制

用水热法在低于 3 0 0℃成功地制备出具有不同形貌的 YBO3∶ Eu3+ 荧光粉 ,其反应温度比固相反应降低了约 80 0℃ .研究了初始原料、p H值、反应温度、反应溶剂和催化剂等条件对目的产物形貌及粒度的影响 ,得到了具有 Vaterite结构、粒度分布均匀的球形荧光粉的最佳合成工艺 .在 2 5 4nm激发下 ,水热法制备的球形 Y0 .95Eu0 .0 5BO3荧光粉最强发射峰位于 5 98nm处 ,属于 Eu3+ 的 5D0 →7F1 的跃迁 ,是固相反应所得样品的 1 .5倍 .这些结果表明 ,在 PDP和荧光灯等显示和照明用荧光粉的制备中水热法具有潜在的应用前景 .     

不同形貌纳米氧化锌的水热法合成

以氯化锌为锌源,以氢氧化钠为碱源,采用水热法合成了不同形貌的纳米氧化锌;探讨了晶化时间、晶化温度、表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)对纳米ZnO形貌的影响.结果表明:不添加CTAB时,在120℃下反应24h得到的纳米氧化锌为颗粒状,而在160℃下反应24h得到的纳米氧化锌为片状.当添加CTAB后,在120℃可得到片状氧化锌,而在160℃可得到颗粒状氧化锌.     

共沉淀法制备六方相ITO纳米粉体及其光电性能

以金属In、SnCl_4·5H_2O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入(NH_4)_2SO_4,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明:加入(NH_4)_2SO_4后,ITO粉体形貌由类菱面体和类球形混合体转变为类球形;不加(NH_4)_2SO_4时晶型为立方相结构,当(NH_4)_2SO_4与铟的物质的量之比为1∶3.45和1∶1.73时粉体晶型转变为六方相结构,继续添加(NH_4)_2SO_4晶型又转变为立方相结构。立方相ITO粉体的电阻率较低为0.64Ω·cm,六方相ITO粉体在相同激发波长下,发射光强度相对较高。     

水热法合成羟基磷灰石的结构和形貌

羟基磷灰石是一种微溶于水的弱碱性磷酸钙盐 (Ｃａ10 (ＰＯ4 ) 6 (ＯＨ) 2 ,ＨＡ) [1] ,多用于人体硬组织(骨、牙 )的修复替换[2 ] 。与人类骨骼相比 ,致密羟基磷灰石仍然表现出较低的力学性能[3] 。由于针棒状的晶体具有较低的位错密度 ,较高的抗拉性能[4 ] 。近年来 ,针状或棒状羟基磷灰石的合成已引起广泛关注。合成ＨＡ的方法有固态反应法[5] 、液相沉淀法[6 ] 、溶胶 凝胶法[7,8] 及溅射法[9] 等 ,但只有少数几种方法能够对产物的形貌进行控制。虽然采用水热法在 2 0 0℃和 2ＭＰａ下合成了羟基磷灰石晶须[10 ] ,但实验步骤较为复杂 ,…     

共沉淀法制备六方相ITO纳米粉体及其光电性能

以金属In、SnCl₄5H₂O为原料、尿素为沉淀剂,采用共沉淀法加入（NH₄）₂SO₄,制备出六方相ITO纳米粉体。通过XRD、TEM、四探针电阻仪、荧光光谱仪以及XPS,研究了ITO粉体的晶型、颗粒形貌、电性能以及光性能。结果表明：加入（NH₄）₂SO₄后,ITO粉体形貌由类菱面体和类球形混合体转变为类球形;不加（NH₄）₂SO₄时晶型为立方相结构,当（NH₄）₂SO₄与铟的物质的量之比为1：3.45和1：1.73时粉体晶型转变为六方相结构,继续添加（NH₄）₂SO₄晶型又转变为立方相结构。立方相ITO粉体的电阻率较低为0.64 Ωcm,六方相ITO粉体在相同激发波长下,发射光强度相对较高。     

SnO_(2)/ITO光电化学电极制备及性能研究EI北大核心CSCD

采用商品化氧化铟锡(ITO)导电玻璃、纳米SnO_(2)水胶体分散液,通过旋涂法制备了高性能SnO_(2)/ITO电极,考察了SnO_(2)旋涂浓度、旋涂量、Triton X-100浓度、煅烧温度对SnO_(2)/ITO电极性能的影响,并优化了缓冲体系、pH、浓度及偏压条件。结果表明,当SnO_(2)水胶体分散液浓度15%、Triton X-100浓度0.01%、煅烧温度450℃时,制备的SnO_(2)/ITO电极具有较高的热稳定性和光电化学性能;草酸-草酸钠缓冲体系有利于光电流的产生,当草酸浓度为30 mmol/L(pH 6.0)、偏压为0.5 V时,可以产生较高的稳态光电流信号,以Ru(bpy)_(2)(dppz)^(2+)为光电化学信号探针,检测限为10 nmol/L。考察了ITO电极的性能差异性,同一批次及不同批次之间的光电流信号一致性相对标准偏差(RSD)在3.9%~5.6%之间。     

利用水热法制备氧化锌微米球

利用水热法制备出具有特殊形貌的ZnO微米球.利用X射线粉末衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对ZnO进行了表征.     

铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒的制备及表征

以金属In和SnCl₄·5H₂O为主要原料，加入保护剂PVP，利用化学共沉淀法合成了球形的铟锡氧化物(ITO)纳米颗粒。分别对PVP的用量、溶液的pH值、热处理温度等因素对ITO纳米颗粒粒径的影响进行了分析。并且借助透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)对所合成的ITO纳米颗粒进行了表征。XRD分析说明本文合成了金刚砂型结构的铟锡氧化物纳米颗粒，并且其晶型结构随着热处理温度的升高而转变为铁锰矿型。     

利用水热合成方法制备正交氮化硼微晶

利用水热方法制备了正交氮化硼微晶, 于400 ℃时制备的氮化硼结晶质量较高, 主要物相为正交氮化硼(oBN). 在反应原料中加入水合肼和氯化铵都有利于样品结晶质量的改善和产率的提高. 在合成氮化硼反应过程中, 适当减慢反应体系的升温速率有利于提高oBN的结晶质量和产率, 但是当升温速率过慢时, oBN的稳定性有所降低, 立方氮化硼(cBN)的稳定性则在一定程度上得到提高. 此外, 反应过程中的原料配比对样品的物相及其结晶质量也有很大影响.     

Electrochemical Behavior and Its Electrocatalytic Activity of A P—Mo Heteropolyanion Modified ITO Electrode

ITO is a versatile material in the electronic industry because of its special transparent and conductive properties. However, there are a few reports regarding the adsorption of organic or organometallic compounds on the ITO surface1-4. The heteropolyanions are interested in the field of material science, catalytics, biology, and medicine owing to their chemical, structural, and electronic versatility5-7. One of the most important properties of polyoxometalate anions is their ability to a…     

Surface Engineering of ITO Substrates to Improve the Memory Performance of an Asymmetric Conjugated Molecule with a Side Chain

Organic multilevel random resistive access memory (RRAM) devices with an electrode/organic layer/electrode sandwich‐like structure suffer from poor reproducibility, such as low effective ternary device yields and a wide threshold voltage distribution, and improvements through organic material renovation are rather limited. In contrast, engineering of the electrode surfaces rather than molecule design has been demonstrated to boost the performance of organic electronics effectively. Herein, we introduce surface engineering into organic multilevel RRAMs to enhance their ternary memory performance. A new asymmetric conjugated molecule composed of phenothiazine and malononitrile with a side chain (PTZ‐PTZO‐CN) was fabricated in an indium tin oxide (ITO)/PTZ‐PTZO‐CN/Al sandwich‐like memory device. Modification of the ITO substrate with a phosphonic acid (PA) prior to device fabrication increased the ternary device yield (the ratio of effective ternary device) and narrowed the threshold voltage distribution. The crystallinity analysis revealed that PTZ‐PTZO‐CN grown on untreated ITO crystallized into two phases. After the surface engineering of ITO, this crystalline ambiguity was eliminated and a sole crystal phase was obtained that was the same as in the powder state. The unified crystal structure and improved grain mosaicity resulted in a lower threshold voltage and, therefore, a higher ternary device yield. Our result demonstrated that PA modification also improved the memory performance of an asymmetric conjugated molecule with a side chain.     

通过硅烷偶联剂在硅和铟锡氧化物(ITO)表面嫁接寡聚芴分子

通过硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyl-triethoxysilane,APTES)的“分子桥梁”作用,采用两种不同的方法,把修饰后的寡聚芴分子键联到硅表面和铟锡氧化物(ITO)表面上。X射线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和循环伏安(CV)方法等的表征证实了通过硅烷偶联剂在硅表面和ITO表面嫁接寡聚芴分子可行性。     

常压水热法合成玉米棒状In_2O_3及其性能研究

以In(NO_3)_3·4.5H_2O和(NH_2)_2CO为原料,采用常压水热法于95℃反应22 h制得氧化铟(In_2O_3)前驱物氢氧化铟,于600℃煅烧2 h合成了In_2O_3粉体,其结构、形貌及性能经紫外-可见(UV-Vis)光谱、X-射线衍射(XRD)、拉曼光谱和扫描电镜(SEM)表征。以甲基橙为目标降解物,研究了In_2O_3粉体的光催化活性。结果表明:In_2O_3粉体为体心立方晶系方铁锰矿结构和亚稳相刚玉六方结构的混合体,In_2O_3的UV-Vis谱图中出现了明显的蓝移。当In(NO_3)_3·4.5H_2O和(NH_2)_2CO物质的量比为1∶7时,In_2O_3粉体中出现了玉米棒状结构,棒状体长度约为500 nm,直径约150 nm;该棒状结构的In_2O_3对甲基橙有较好的光催化活性,在紫外光照射6.5 h后甲基橙的降解率为69.7%。     

石墨烯/硫复合正极材料的一步水热法制备与电化学性能

将硫代硫酸钠（Na₂S₂O₃）与氧化石墨烯（GO）的混合溶液,在酸性条件下经过一步水热反应制备还原氧化石墨烯/硫（RGO/S）复合正极材料. 实验探索了水热温度、反应时间、碳硫质量比例对材料的影响. 通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和恒电流充放电对材料进行分析. 结果表明在180 ℃下,碳硫质量比为3：7时,水热12 h得到的RGO/S复合材料具有优异的循环性能,首次放电比容量为931 mAh·g^-1,50次循环之后其比容量还保持在828.16 mAh·g^-1;RGO/S复合材料的充放电库仑效率在95%以上;同时RGO/S复合材料的倍率性能相比于单质硫有很大提高. 一步水热法能够使硫分子均匀分布在石墨烯片层结构中,同时加强了石墨烯表面基团对硫分子的固定作用.     

石墨烯/硫复合正极材料的一步水热法制备与电化学性能

将硫代硫酸钠(Na2S2O3)与氧化石墨烯(GO)的混合溶液,在酸性条件下经过一步水热反应制备还原氧化石墨烯/硫(RGO/S)复合正极材料.实验探索了水热温度、反应时间、碳硫质量比例对材料的影响.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和恒电流充放电对材料进行分析.结果表明在180°C下,碳硫质量比为3:7时,水热12 h得到的RGO/S复合材料具有优异的循环性能,首次放电比容量为931 mAh?g-1,50次循环之后其比容量还保持在828.16 mAh?g-1;RGO/S复合材料的充放电库仑效率在95%以上;同时RGO/S复合材料的倍率性能相比于单质硫有很大提高.一步水热法能够使硫分子均匀分布在石墨烯片层结构中,同时加强了石墨烯表面基团对硫分子的固定作用.     

Liquid crystal-gold nanoparticle composite-modified indium tin oxide (ITO) substrates and their electrochemical characterisation

A simple efficient strategy for the simultaneous synthesis and anchoring of liquid crystal (LC)-stabilised gold nanoparticles (NPs) on indium tin oxide (ITO) substrate is described. A monolayer of 3-mercaptopropyltrimethoxy silane (MPS) compound was formed on ITO and quality of the monolayer was assessed using electrochemical techniques namely cyclic voltammetry (CV) and electrochemical impedance spectroscopy (EIS). Gold NP preparation was carried out on this monolayer-modified substrate (and on bare ITO), in a single-step reaction, simply by drop-casting a solution containing an appropriate amount of chloroauric acid and a LC compound possessing a terminal amino group, on the MPS monolayer-modified substrate and heating (70degree) for 2-3 min.. The LC compound served as a reducing agent as well as a capping ligand. LC-capped NPs were chemically anchored onto the ITO substrate through bonding to thiol moiety of the MPS. The CV and EIS analysis of the MPS monolayer showed a complete blocking behaviour for the electron transfer across the electrode/electrolyte interface confirming the formation of a high-quality dense compact monolayer. On the other hand, upon immobilisation of LC-gold NP composite on self-assembled monolayer-modified ITO substrates, both CV and impedance studies showed a small current indicating the gold NP-mediated electron transfer, thus confirming the successful immobilisation of NPs.     

水热法制备掺杂铁离子的TiO2纳米粒子及其光催化反应研究

以TiCl⁴为前驱体,采用水热法制备了掺杂铁离子的TiO₂纳米粒子,利用XRD对不同条件下制备的产物进行了表征,探讨了反应温度、胶体溶液pH值和反应时间对水热反应的影响.考察了所制备的Fe³⁺-TiO₂纳米粒子光催化降解罗丹明B的催化性能,实验发现,制备的掺杂0.1%Fe³⁺-TiO₂纳米粒子与纯TiO₂相比,具有更好的催化活性.