中子管非中子产物性质

采用两只经过标定的ST401闪烁探测器,测量了脉冲中子管的中子产额,在其中一只探测器前端增加铅板屏蔽,1 cm的铅屏蔽使探测器输出减少了18.20%,在加速器中子源上进行的类似实验表明,0.5 cm的铅使探测器的输出减少了2.90%。对两个中子源上测量的情况进行了蒙特卡罗模拟,加速器实验与模拟符合较好,脉冲中子管实验差别较大。对实验和模拟的情况进行了分析,结果表明:中子管除产生中子外,还会产生数量较多的轫致辐射X射线,这些X射线对准确测量中子管中子产额将造成不良影响。     

一种新型密封中子管的实验分析

带有伴随a粒子探测器的密封中子管是一种具有特殊性能的新型中子管．它不仅由一般中子管所必备的离子源、加速系统、气压调节系统、靶和绝缘瓷壳组成，而且还具有能探测伴随产生的a粒子的装置．因此对它在结构上的设计，桌面的综合实验研究就极为重要；而离子源和引出加速系统是中子管的核心，加上对这两部分的特殊要求，本文就这两部分典型的桌面实验分析作以介绍．1实验分析实验在中子管桌面实验台上进行，装置如图豆所示．图11．高压电极2．玻璃钟罩3．橡胶密封圈4．离子源电源引线5．真空泵组6．引出电极7．离子源图中通人H。的针间还…     

中子中子碰撞产生超高能中子问题模拟

ICF的聚变靶丸中,高能中子相互之间发生碰撞将导致超高能中子的产生,推导中子中子碰撞与超高能中子产生的关系,研究利用蒙特卡罗方法确定碰撞后中子速度的方法,通过求解非线性中子输运方程及对DT聚变小球中的中子输运问题进行数值模拟,研究中子与中子碰撞产生超高能中子及其与聚变中子源强的关系问题.     

中子的发现

文章回顾了中子发现以前关于中子存在的假说，科学家们因无“目的”探索而错失良机；介绍了查德威克发现中子的过程以及这一伟大发现的深远意义．     

中子管微波离子源的微波吸收效率

在强流中子管微波离子实验系统中,通过实验确定了微波吸收效率与磁场分布及气压的关系,当微波源输出功率在300－500W最佳状态时,微波吸收效率都在90％以上,最高达到100％。     

脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应

为了获得脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应，编制了适合裂变中子测量探测系统灵敏度能响的一系列专用程序，研究了相应的实验标定技术，采用理论计算和实验验证相结合的方法，对几套探测系统中子灵敏度能量响应进行了研究，初步解决了标定需要的“单能、脉冲、高强度、多个不同能量的中子源”问题，使不确定度大大提高，满足了测量的要求。     

中子准直实验装置设计

设计了以中子发生器为源的中子准直实验装置,分别做了不同材料准直器的厚度、准直孔大小改变时,从准直孔和孔周围不同位置射出中子的实验,并将实验中得出的数据与理论值相比较,从而确定该实验装置的使用可行性.     

中子单色化新方法

提出了中子单色化的新想法，并从理论上给出了具体的处理方法．以石墨、硅及锗为例演示了新方法的应用，并得到满意结果．将新方法与三组双晶法作了比较，二者效果相差无几，但是新方法简单易行且节省费用 关键词：     

氧化镁中子过滤器研究

核电厂反应堆乏燃料水池格架材料在生产和使用过程中需要对其中子吸收性能进行监测和检测,针对这两方面需求,研制了乏燃料水池格架B₄C_Al材料的中子吸收性能检测设备。为了降低检测过程中超热中子本底的影响,考虑采用氧化镁超热中子过滤器滤除超热中子。对10 和5 cm氧化镁单晶的中子透射率与宏观总截面进行了理论计算,对慢化体表面中子成分进行蒙特卡罗模拟计算并开展实验测量。实验结果表明,10 cm氧化镁对采用8 cm聚乙烯慢化后的252Cf中子源的中子透射率为60.16%,相对镉比值比未加10 cm氧化镁时提高了93.85%,证明常温下采用氧化镁单晶做B₄C_Al检测装置的超热中子过滤器是可行的。     

以核能为中心的中子工作

本文简要地介绍并评述了中国原子能科学研究院现在正在进行的和将要进行的与核能相关的、特别是与聚变能相关的中子实验工作． Neutron expertrients related to the development of nuclear energy, especially fusion energy,in CIAE at Ptesent and in the near future are briefly introduced and reviewed.     

中子学实验近期进展

文章作者采用核活化法和核裂变法实验研究了加速器D-T中子、D-D中子以及~(252)Cf自发裂变中子在纯水泥体上的反射中子,获得了反射中子引起的6种高阈能活化箔的活化反应率以及~(235)U(包镉)和~(238)U裂变反应率.采用反冲质子法测量了4种厚度(4.5,9,18,27cm)聚乙烯板的角度中子谱.获得了聚乙烯铁铍组合壳体内距装置中心0,9.7,12.8和17.3cm 4个位置1MeV以上的中子能谱.采用铝核素标准截面相对测量法,获得了~(175)Lu、~(89)Y核素的(n,2n)反应截面.文章还分析了实验的不确定度.     

中子小角散射讲座：第一讲中子小角散射

中子小角散射是通过分析长波长中子(0.2—2 nm左右)在小角度内的散射强度来研究大小在几十到几千埃范围内的物质结构的一种专门的测量技术. 现在我们考虑波长为 0.1—1nm的一束中子,通过准直,使其发散度尽可能在 10-2ad以下.当这样的中子束照射在一样品上时,穿透样品的中子束强度衰减,同时在透射束的周围(大约为5°以下的角度范围内),出现了强度连续变化的散射中子,并没有产生通常的中子衍射图案,这种现象称为中子小角散射.它能给出比中子波长大几十、几百乃至上千倍大的尺度上的有关物质结构的信息. 散射样品中散射密度的不均匀,会产生中子…     

中子相衬层析成像方法

介绍了中子相衬和中子层析的工作原理，提出了中子相衬层析成像方法.这种方法兼备了相衬和层析的各自优点，不采用干涉术，能高分辨率地重构待测样品的三维空间位相分布，能测试和分辨吸收系数非常相近样品的空间结构. 关键词： 相衬 层析 中子相衬 中子层析     

光电倍增管中子直照灵敏度响应

 光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响。分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理。中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子。在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线。结果表明：中子能量由低到高变化时,光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大;两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×10²~2.74×10²,该值与其相应的增益比量级一致。     

中子活化分析原理及应用简介

介绍了中子活化分析的基本原理,详细给出中子活化方程的推导过程．概述其主要特点．通过实例对其应用进行了说明。     

利用~3He中子监测仪对中子管产额进行实验监测

以自主研制的ZFD-1型中子发生器为例,研究了在不同加速高压下D-D型中子管中子的轴向分布情况,以及影响3He中子监测仪探测性能的一些主要因素.根据所得实验数据拟合图线,可对中子管产生中子的轴向分布进行标定.     

时空中子倍增公式解法研究

通过将空间概念引入中子倍增公式, 建立了时空中子倍增公式, 针对时空中子倍增公式计算时间效率过低的缺点, 对时空倍增公式的计算方法进行了研究, 新解法在保证精确性的基础上, 又提高了计算效率。新的计算方法可以应用于研究反应堆反应性发生动态变化的情况, 例如反应堆启堆或停堆以及变功率运行的过程, 对具有很强机动性要求的小型反应堆的安全分析有一定的理论意义和实用价值。 The space time neutron multiplication formula was established by introducing the concept of space time to the neutron multiplication formula. Because of the rather long computing time by using the formula, the solution of space time neutron multiplication formula is optimized which is efficient and accurate. The new method can be used to study the reactor with dynamic change in reactivity. It can be also used for studying the process of startup, outage and power drawn operation, which is of great importance to the safety analysis of the mini nuclear reactor.     

中子管用潘宁离子源氢负离子产生机理及实验研究

为了克服目前潘宁(PIG)离子源中子管引出正离子所带来的诸多不利因素,使用PIG型氢负离子源作为中子管的离子源,研究了氢负离子产生的机理,以期在中子管中获得应用。给出了PIG离子源结构,根据氢负离子产生的方式和条件,结合CST软件仿真实验,确定在对阴极和引出孔附近区域存在氢负离子,而且是氢负离子密度比较大的区域。实验中,通过负离子源产生系统证实了氢负离子的存在及分布规律,中子监测仪测量自成靶50mm负离子源陶瓷中子管,中子产额较传统正离子中子管高出一个数量级以上。