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相似文献
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1.
SiO2薄膜的液相沉积及特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
将基片浸入到低温SiO2过饱和的六氟硅酸(H2SiF6)溶液中,在其表面上沉积SiO2薄膜。这种新的生长工艺称之为液相沉积(LPD)。本文着重介绍LPD工艺及LPD SiO2薄膜的特性。  相似文献   

2.
采用提拉法在硅基底上制备了多孔溶胶凝胶SiO2膜,用椭偏法测量薄膜的厚度与折射率,考察了提拉速度和胶体浓度对膜层厚度与折射率的影响。对厚度与提拉速度的关系进行线性与幂函数拟合,并比较分析两种拟合的关系及其对工艺流程的作用。比较了不同浓度胶体所得到的同一厚度薄膜的折射率变化规律。结果表明:对于同一胶体浓度下薄膜厚度与提拉速度的正相关关系,线性拟合相比幂函数拟合可以更好地解释实验结果的规律性。同时,折射率在一定范围内也会随着提拉速度的增加而减小。镀同一厚度膜时,浓度大的胶体膜层折射率大。通过对提拉速度和胶体浓度的控制可以得到理想的薄膜厚度与折射率。  相似文献   

3.
利用传输矩阵法设计了由SiO2、TiO2组成的多层膜高透射率光子晶体结构,并分析了其透射谱特性,根据等效层原理改变多层膜一维光子晶体的自身结构来提高通带内特征波长附近的透射率,获得了最佳结构参数。研究结果表明,当晶格参数为150nm,填充比为0.346,周期数为6时,400nm波长附近吸收带处的透射率最低也可达96.5%,并且不论是TM模式还是TE模式,入射角在0°~45°范围内仍保持高的透射率,该结构可望用于空气净化装置以提高SiO2、TiO2光催化剂的光催化效率。  相似文献   

4.
刘华松  季一勤  姜玉刚  王利栓  冷健  孙鹏  庄克文 《物理学报》2013,62(18):187801-187801
SiO2薄膜是重要的低折射率材料之一, 针对离子束溅射(IBS)和电子束蒸发(EB)的SiO2薄膜, 采用红外光谱反演技术获得在400–1500 cm-1波数内的介电常数, 通过对介电能损函数的分析获得了两种薄膜在横向和纵向光学 振动模式下的振动频率和Si–O–Si键角.研究结果表明, 在EB SiO2薄膜短程有序范围内, SiO4的连接方式主要是类柯石英结构、3-平面折叠环和热液石英结构的SiO4连接方式; 在IBS SiO2薄膜短程有序范围内, SiO4的连接方式复杂主要是类柯石英结构、3-平面折叠环、 4-平面折叠环结构和类热液石英结构. 关键词: 2薄膜')" href="#">SiO2薄膜 离子束溅射 电子束蒸发 短程有序  相似文献   

5.
朱开贵  石建中  邵庆益 《物理学报》2000,49(11):2304-2306
对镶嵌在SiO2薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究.与大块InAs晶体相比,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征,即由纵光学声子模和横光学声子模组成,但是散射峰宽化并红移.用声子限域效应解释了散射峰的红移现象,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异. 关键词: 2薄膜')" href="#">SiO2薄膜 InAs量子点 Raman散射  相似文献   

6.
为了实现在GaSb衬底上获得低应力的SiO2薄膜,研究了等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在晶格失配较大的GaSb衬底上沉积SiO2薄膜的应力情况。通过改变薄膜沉积时的工艺条件,如反应温度、射频功率、反应压强、气体流量比,并基于曲率法模型,对镀膜前后的曲率半径进行了实验测量,利用Stoney公式计算相关应力值并绘制应力变化曲线。详细讨论了PECVD工艺条件的改变对SiO2薄膜应力所产生的影响。同时通过在Si衬底上沉积SiO2薄膜,对比分析了导致薄膜应力产生的因素及变化过程。实验结果表明,在沉积温度为300℃、射频功率为20 W、腔体压强为90 Pa、气体流量比SiH4/N2O为125/70 cm3·min-1的工艺参数下,PECVD法在GaSb衬底上沉积的SiO2薄膜应力相对较小。  相似文献   

7.
以1064 nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形貌特征和损伤生长阈值等特性。实验结果表明:分层剥落初始损伤结构的横向尺寸随激光能量密度的增加呈分段线性增长,破斑沿纵向拓展的损伤生长阈值是沿横向拓展的损伤生长阈值的2倍以上,初始损伤结构横向尺寸的生长率与能量密度呈指数关系,且生长阈值随着辐照次数的增加显著降低。  相似文献   

8.
以1064 nm波长作用下的HfO2/SiO2高反射薄膜为研究对象,研究了高反射薄膜在损伤生长过程中分层剥落初始损伤结构的变化规律、损伤形貌特征和损伤生长阈值等特性。实验结果表明:分层剥落初始损伤结构的横向尺寸随激光能量密度的增加呈分段线性增长,破斑沿纵向拓展的损伤生长阈值是沿横向拓展的损伤生长阈值的2倍以上,初始损伤结构横向尺寸的生长率与能量密度呈指数关系,且生长阈值随着辐照次数的增加显著降低。  相似文献   

9.
SiO2气凝胶薄膜常压制备与强化研究   总被引:10,自引:0,他引:10       下载免费PDF全文
采用溶胶凝胶技术,结合碱性催化和低表面张力溶剂交换以及非活性CH3基团置换修饰,在常压条件下成功地制备了孔隙率为77%、折射率为1.12纳米多孔SiO2气凝胶薄膜.采用氨和水蒸气混合气体热处理技术提高薄膜的耐磨性、附着力等力学特性.使用透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)分别观察了溶胶的颗粒结构和薄膜表面形貌.应用傅里叶转换红外光谱仪(FTIR)研究了薄膜经表面基团修饰前后的红外吸收光谱以及后处理对薄膜红外ω4(TO3)吸收峰位置和半宽度的影响.采用椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率.耐摩擦和附着力测试表明: 关键词: SiO_2气凝胶薄膜 溶胶凝胶技术 纳米多孔结构  相似文献   

10.
采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变.SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论 关键词: 2(Eu)薄膜')" href="#">SiO2(Eu)薄膜 XANES  相似文献   

11.
采用提拉法在硅基底上制备了多孔溶胶凝胶SiO2膜,用椭偏法测量薄膜的厚度与折射率,考察了提拉速度和胶体浓度对膜层厚度与折射率的影响。对厚度与提拉速度的关系进行线性与幂函数拟合,并比较分析两种拟合的关系及其对工艺流程的作用。比较了不同浓度胶体所得到的同一厚度薄膜的折射率变化规律。结果表明:对于同一胶体浓度下薄膜厚度与提拉速度的正相关关系,线性拟合相比幂函数拟合可以更好地解释实验结果的规律性。同时,折射率在一定范围内也会随着提拉速度的增加而减小。镀同一厚度膜时,浓度大的胶体膜层折射率大。通过对提拉速度和胶体浓度的控制可以得到理想的薄膜厚度与折射率。  相似文献   

12.
在室温条件下,对Eu^3+:Y2SiO5晶体的透射光谱和457.9nmAr^+激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Eu^3+离子在Y2SiO5晶体中占据两种最低对称性C1格位。利用透射光谱和荧光谱对Eu^3+离子的最低激发态^5D0的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在^5D0态两种格位谱的谱宽只有0.1nm左右,其峰间隔约为0.18nm。另外,文中还测量了Eu^3+离子的基态^7FJ  相似文献   

13.
The reflectance of a high-reflectance dielectric multilayer coating mirror tuned to a monochromatic laser wavelength was estimated from its transmittance which was measured with 0.4 ppm accuracy. The transmittance was calculated from its theoretical formula including three parameters (refractive indexes of low and high refractive films (nL, nH) and a number of layer units composed of a pair of one low and one high refractive film (N)) which were estimated from the incident beam angular dependence curve of the transmittance. This calculated transmittance agreed with that measured as a ratio of the laser beam power before and after the mirror with 6 ppm difference.  相似文献   

14.
利用离子辅助电子束沉积方法在LiB3O5基底上镀制了不加SiO2内保护层和加SiO2内保护层的倍频增透膜,测量了两类薄膜在波长1 064 nm多脉冲辐照下的激光损伤阈值,获得了两种不同的损伤形貌,并对损伤原因作了初步探讨。实验结果表明:保护层的加入把由基底膜层界面缺陷吸收所决定的阈值改变到由HfO2膜层内缺陷吸收所决定的阈值,显著提高了倍频增透膜的抗激光损伤能力。  相似文献   

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