对影响内引线键合可靠性的因素的分析与对策

简述了半导体器件内引线键合的机制及如何检测内引线的键合质量,分析了影响内引线键合质量的因素,重点分析了半导体器件最常见的失效模式－－键合点脱落的因素,并提出改进键合质量的几点措施。     

等离子氮化硅应力的研究

氮化硅的应力严重制约着它的应用，但常见资料对氮化硅应力的分析颇略。本文较详细地介绍了ＰＥＣＶＤＳｉｘＮｙ，薄膜应力大小与制备工艺的关系，从而揭示了以能效地抑制ＳｉｘＮｙ应力的工艺叙述。文中给出了大量数据，对许多实际问题进行了讨论。     

深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备

介绍了深亚微米（０．３５／－．２５／０．１８μｍ）半导体器件制造的最新工艺及设备，包括新一代ＣＭＯＳ工艺、ＦＯＮＤ工艺、ＰＳＭ技术、电子束光刻工艺、Ｘ射线光刻工艺、Ｃｕ互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。     

光刻术的发展趋势

光刻术是把超小花样刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术，目前这些半导体电路正促使信息爆炸。这一技术是今天经典光学设计和制造的需求量最大的应用之一。光刻技术的进展对半导体工业的显著增长也有一定的贡献。半导体集成电路对现代生活的影响怎么评估都不会过分。从计算机到通信，从娱乐到教育，由半导体芯片进展而获得加速的电子技术的增长是显而易见的。这种影响如此深刻，以致现在常常被认为是理所当然的。消费者已惯于预期日益复杂的电子产品价格会越来越低。光刻术在这种趋势中的作用过去是、并将继续是至关重要的。半导体技术…     

21世纪的半导体光刻技术

２１世纪的半导体光刻技术东立摘编根据美国半导体工业协会（ＳＩＡ）的预测，进入２１世纪，逻辑ＩＣ使用的晶体管数将达６千万个以上，金属引线达６层，时钟速率超过１ＧＨｚ。因此，更小尺寸器件和更快速度电路向ＩＣ工业提出了严峻的挑战。在本世纪末，半导体行业的工...     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.     

烘焙工艺条件对厚胶光刻面形的影响

采用厚层正性光刻胶AZ P4620进行光刻实验,考察了在前烘和坚膜阶段不同的工艺参数条件下的光刻胶浮雕面形的变化.实验表明,完全显影后光刻胶的浮雕面形受前烘工艺参数的影响很小,但其显影速率有一定差别;当坚膜烘焙后,不同前烘条件下的浮雕面形差别较大;当前烘条件相同时,坚膜参数的变化对光刻胶的浮雕面形影响较大.由此得出,在前烘阶段应采取较高温度、较短时间的烘焙,而在坚膜阶段应采取较低温度、较长时间的烘焙,这样可提高厚胶光刻面形的质量.     

半导体器件的可焊性镀锡

介绍了半导体器件的可焊性电镀工艺及装置，采用ＳｎＳＯ４－Ｈ２ＳＯ４体系的酸性光亮镀锡，以自行研制的叶片式滚轮为主夹上人的专用装置，通过挂－滚镀相结合形式实现对多种半导体器件的镀覆。讨论了影响质量的重要因素，镀层经电子探针扫描结果：厚度均匀性好，镀层与基体紧密，加速老化后进行润湿力测定，其结果，实际润湿力可达理论值的２／３以上。     

进入转折点的光刻技术

进入转折点的光刻技术ＰａｕｌＣａｓｔｒｕｃｉ，ＷｏｒｔｈＨｅｎｌｅｙ，ＷｏｌｆｇａｎｇＬｉｅｂｍａｎｎ著，ＰａｕｌｃａｓｔｅｕｃｃｉａｎｄＡｓｏｃｉａｔｅｓＩｎｃ，Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，ｍａｓａｃｈｕｓｅｔｓ立文译在更小图形尺寸和更大片子直径的不断驱动...     

快速热处理对于0.25μm工艺技术的必要性

集成电子技术的进步要求开发具有灵活性的制造工艺。芯片的复杂度每年增长一倍，引起芯片尺寸的增大和特征尺寸的缩小，以提高芯片的功能。目前大多数半导体生产工厂工作重点是０５～０３５μｍ的技术，许多公司正在开发研制０２５μｍ工艺，估计１９９７年将可投产。但０２５μｍ技术正面临着许多工艺挑战。最大制造方面的挑战在于离子注入后浅结的形成与激活，生长高质量的薄氧化层，通过流动／回流接触提高具有高纵横比的金属阶梯覆盖面，而不扩散到已形成的源结和漏结，使用难熔金属作为金半接触避免金属须穿透浅结。０２５μｍ技术的结深大约为０１５μｍ，薄氧化层厚７０～８５ｎｍ用作金半接触的难熔金属为钛，它与氧有很高的亲和力。如果采用快速热处理（ＲＴＰ）技术，其单片环境，短时和精确的温度控制，将简化工艺的复杂度。本文将讨论ＨＥＡＴＰＵＬＳＥＴＭ设备及其应用优点，如浅结注入激活，薄氧化，ＢＰＳＧ回流和硅化钛的形成。     

表面涂层对多孔氮化硅天线罩电性能影响分析

多孔氮化硅天线罩表面涂层会对天线罩电性能产生重要影响.文中评估了表面涂层对多孔氮化硅材料介电性能的影响,通过对带/不带涂层天线罩的测试,比较了涂层喷涂前后天线罩透过率的性能,并在后续设计天线罩初始壁厚时,矫正掉涂层影响.通过对带涂层的多孔氮化硅天线罩测试,结果表明频带内透过率性能得到提高.     

采用逐场调平和总体对准技术的0.54NAi线片子步进机

ｉ线片子步进机正在逐渐成为主流的加工设备，用于实现亚半微米电路图形的转印。因此它就成为批量生产１６Ｍ位ＤＲＡＭ器件，且有可能成为在远紫外设备未引入生产线之前的第一代６４Ｍ位ＤＲＡＭ器件制造的必然选择。然而对于亚半微米的分辨率，就必须具有大数值孔径和大视场的透镜。本文主要介绍了新一代家族的片子步进机。该机采用了一种新设计的机架和模块式结构，它可以接纳同一家族的大视场ｉ线镜头和远紫外镜头。最后叙述了０５４ＮＡ和２５５ｍｍ象场直径的镜头。为克服片子加工中可能出现的焦深问题，设计引入了逐场调平技术，从而保证了使所有象场均处于最佳焦面。用这种选择所面临的问题就是工作台步进和片子工作台灵活调平时对准精度将受到影响。本文介绍的步进机设计思想是为了出片率不受影响，因而在逐场调平后的对准中未采用逐场对准。为此设计了一种新的计量系统并改进了对准精度，从而使总体对准方式的最终套刻精度达到了８５ｎｍ以下，并实现了每小时处理８０枚１５０ｍｍ（６英寸）圆片的生产效率和１级以上的局部环境控制，达到了加工２００ｍｍ（８英寸）圆片的环境净化要求     

高速沉积氮化硅薄膜对其化学键及性能的影响

采用等离子增强型化学气相沉积法(RF-PECVD),源气体为NH3/SiH4/N2的混合气体,在330℃的温度下沉积a-SiNx∶H薄膜。研究表明在反应气体流量一定的情况下,反应腔气压对薄膜沉积速率影响最大。采用Fourier红外吸收光谱技术分析a-SiNx∶H薄膜中化学键结构,随着沉积速率的提高,薄膜的化学键结构发生变化,N—H键含量和氮含量增大,Si—H键含量和氢含量降低。薄膜沉积速率是影响薄膜物理和光学性质的重要工艺参数。禁带宽度(E04)主要受薄膜中氮原子含量的调制,随着沉积速率增大,氮原子含量增大。另外,介电常数和折射系数则随之增大。最后得到满足薄膜晶体管性能要求的最佳工艺参数。     

绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响

基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同组合的叠层结构。仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiN_x绝缘层结构的TFT性能更优;对SiN_x/HfO_2/SiN_x栅绝缘层叠层结构TFT,HfO_2取40nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优。本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用。     

基于氮化硅陶瓷毛细芯的低温回路热管研究

利用氮化硅陶瓷多孔材料作为毛细芯设计了一种以乙烷为工质的低温回路热管样机, 并对其降温及传热性能进行了研究。试验结果表明,通过在蒸发器上施加4 W的热量, 这种低温回路热管能够在常温下实现启动,并能顺利实现降温;在降温过程中,通过不断增大加热功率,可以加快低温回路 热管的降温;当蒸发器的温度为190 K时,该样机可以稳定传输30 W的热量。     

氮化硅干法刻蚀工艺设备模型的试验与测量

通过对氮化硅薄膜干法刻蚀工艺实验结果的测量,得到硅片表面非均匀性分布的具体测量数据,并对这种现象的成因进行了定性的理论分析,为下一步建立刻蚀工艺设备模型准备了充足的实验数据.     

衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响

采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响.结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%.