金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性、金刚石晶体管的结构和工艺。预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下,连续输出功率200W,在100GHz下,连续输出1W。     

射频和微波功率晶体管的发展与建议

本报告是在调查的基础上综合国内外发展的概况，提出我国发展功率管的建议和设想。     

SiGe异质结微波功率晶体管

本文述评了SiGe异质结微波功率晶体管的特性、结构、工艺及研究进展。     

金刚石微波功率晶体管

本文概述了金刚石的材料特性，金刚石晶体管的结构和工艺，预计金刚石微波功率晶体管可在10GHz下，连续输出功率200W，在100GHZ下，连续输出1W。     

RF和微波晶体管功率增益测量

通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。     

“七专”微波功率晶体管筛选条件的选择

本文对“七专“微波功率晶体管在工艺筛选中碰到的具体问题及如何选择全哽的筛选条件，确保筛选质量，提出了应注意的事项。     

一种提高微波功率晶体管高频增益的新方法

利用旁路电容来补偿为了获得器件高可靠性,而引入的大整流电阻所导致的高频增益低落问题.在大于共发射极截至频率fβ的较宽频带内表现出明显的效果.最终使器件具备更高的可靠性,更优的增益特性.     

提高微波功率晶体管击穿电压研究

微波功率晶体管其微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相的。现采取超低浓度深化结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。     

微波功率晶体管的发展与分析

本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT,HFET,MISFET,金刚石、SiC电子器件,真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况。提出了发展微波功率晶体管的几点想法。     

Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计

温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两种加速寿命试验夹具的设计思路,并用于Si微波功率管加速寿命试验,通过步进应力试验和恒定应力试验,获取了该Si微波功率管加速寿命。分体夹具可耐受的试验温度在260℃以上,为加速寿命试验提供了温度应力的提升空间。     

硅微波功率晶体管镇流电阻的设计

从热稳定条件出发，对扩散镇流电阻的设计进行了详细的计算和分析，讨论了在保证器件增益前提下提高器件热稳定性的措施，器件应用显示出了良好的结果，最后提出了一种新的没有热崩现象存在的高可靠器件的设想。     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究

着着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对风匹配网络的功率分特性、带宽特怀，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计，对Ｐ波段百瓦级硅微波功率晶体管的内匹配网络进行了分析和计算并通过了样品试验。     

微波功率晶体管的热失效分析

微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳.针对某型号的微波功率晶体管在进行生产筛选的功率老化试验时出现的热失效问题进行分析与讨论,最终确定器件管壳内用于烧结管芯的氧化铍(BeO)上的多层金属化层存在质量缺陷,使管芯到BeO的热阻增大,因此出现了老化时部分器件失效现象.提出了预防措施,既可避免损失,也能保证微波功率晶体管在使用中的可靠性.     

微波功率SiGe HBT研究进展

Si的热导率比大部分化合物半导体(如GaAs)的热导率高,SiGe HBT在一个较宽的温度范围内稳定,SiGe HBT的发射结电压VBE的温度系数dVBE/dT比Si的小,双异质结SiGe HBT本身具有热-电耦合自调能力,所加镇流电阻可以较小,所有这些使SiGe HBT比GaAs HBT和SiBJT在功率处理能力上占一定优势。文章对微波功率SiGe HBT一些重要方面的国内外研究进展进行评述,希望对从事微波功率SiGe HBT的研究者有所帮助。     

微波功率晶体管的金属气密封装

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征.     

低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管

给出了低电压微波 Si Ge功率异质结双极型晶体管 (HBT)的器件结构和测试结果 .器件结构适于低压大电流状态下应用 .采用了梳状发射极条的横向版图设计 ,其工作电压为 3— 4V.在 C类工作状态 ,1GHz的工作频率下 ,输出功率可以达到 1.6 5 W,具有 8d B的增益 . 3V时可以达到的最高收集极效率为 6 7.8% .