纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al2O3 材料的温度分布及热形变解析分析

分析了纳秒级脉冲激光作用下GaN的激光诱导Zn的掺杂过程.利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al2O3材料温度分布的解析形式,得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系.在激光脉冲作用时,GaN材料表面的温度与辐照时间的平方根成正比.脉冲过后,材料温度分布梯度和热形变分布随深度发生变化,接近表面的温度梯度最大,热形变量也最大.而在连续脉冲作用时表面的温度呈锯齿状不断升高.     

纳秒级脉冲激光诱导Zn掺杂过程中GaN/Al2O3材料的温度分布及热形变解析分析

分析了纳秒级脉冲激光作用下GaN的激光诱导Zn的掺杂过程.利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/Al₂O₃材料温度分布的解析形式,得到了GaN材料表面温度与激光辐照时间的关系以及材料形变与深度的关系.在激光脉冲作用时,GaN材料表面的温度与辐照时间的平方根成正比.脉冲过后,材料温度分布梯度和热形变分布随深度发生变化,接近表面的温度梯度最大,热形变量也最大.而在连续脉冲作用时表面的温度呈锯齿状不断升高.关键词：激光诱导2O₃')\" href=\"#\">GaN/Al₂O₃温度分布热形变     

激光诱导扩散区的温度监控

激光诱导扩散中的曝光区大小为１０μｍ量级,其温度分布的测量是较困难的。本文报道一我中极微小面积的不接触及控制。文中介绍测控原理、实验装置,给出测量结果。     

激光诱导p-GaN掺杂对发光二极管性能改善的分析

采用激光诱导掺锌的方法提高了常规GaN基外延片p-GaN层的空穴浓度,并将它制备成小功率白光发光二极管(LED).对其光电性能做了详细的测量并进行了加速老化实验和分析.结果表明,与常规LED相比,经过激光诱导p-GaN层掺锌LED的光电性能获得了明显改善:正向工作电压VF从3.33V降到3.13V,串联电阻从30.27Ω降到20.27Ω,室温下衰退系数从1.68×10-4降到1.34×10-4,老化1600h后的反向漏电流从超过0.2μA降为不超过0.025μA,器件的预测寿命延长了41%.器件光电性能改善的主要原因是激光诱导掺锌使LED的p-型欧姆接触改善和热阻降低所致.     

激光诱导Al等离子体连续辐射的时间分布

用Ar作环境气体,压强固定在10kPa,每个激光脉冲能量为115mJ,利用时空分辨技术,采集激光烧蚀Al靶产生的等离子体辐射的时间分辨谱。分析了Al等离子体连续辐射特征。简要讨论了激光诱导等离子体连续辐射的产生机理。提出了原子对激光诱导等离子体连续辐射共振吸收理论。激光诱导等离子体的连续辐射的主要机制是轫致辐射和复合辐射,在激光脉冲作用到靶面瞬间,轫致辐射占主导地位;等离子体演化初期,复合辐射和轫致辐射共同产生等离子体连续辐射;等离子体演化后期,连续辐射主要复合辐射产生的。Al原子对连续辐射的共振吸收是选择性的,这是改变连续辐射按波长“平滑”分布的主要机制。     

激光加工过程中激光诱导等离子体的动态过程研究

本文利用高速摄影机对激光加工过程中伴随产生的等离子体在室温大气压下的动态过程进行监测研究．对等离子体持续过程及其随时间的变化进行实验分析,提出等离子体在通道内突然消失的可能机制,并为进一步控制等离子体的形成提供了实验基础。     

激光诱导铝合金E414d等离子体电子温度的空间分布

 采用调Q Nd:YAG脉冲激光诱导铝合金E414d,研究了等离子体的谱线强度、电子温度和电子密度。建立Al (Ⅰ) 256.80 nm、Al (Ⅰ) 308.21 nm和Al (Ⅰ) 396.15 nm的波耳兹曼平面,实验发现距靶面高度1.5 mm处等离子体的电子温度最高。罗仑兹函数拟合Mg (Ⅰ) 285.21 nm得到等离子体的电子密度是1.9×10₁₈ cm_-3,远大于局域热力学平衡所需的电子密度值9.8×10₁₅ cm_-3,证明实验得到的等离子体满足局部热力学平衡。     

激光诱导铝合金E414d等离子体电子温度的空间分布

采用调Q Nd:YAG脉冲激光诱导铝合金E414d,研究了等离子体的谱线强度、电子温度和电子密度。建立Al (Ⅰ) 256.80 nm、Al (Ⅰ) 308.21 nm和Al (Ⅰ) 396.15 nm的波耳兹曼平面,实验发现距靶面高度1.5 mm处等离子体的电子温度最高。罗仑兹函数拟合Mg (Ⅰ) 285.21 nm得到等离子体的电子密度是1.9×1018 cm-3,远大于局域热力学平衡所需的电子密度值9.8×1015 cm-3,证明实验得到的等离子体满足局部热力学平衡。     

小波变换基线扣除对激光诱导等离子体温度计算的改善

温度是激光诱导等离子体特性研究最重要的参数之一,为降低光谱连续背景对Boltzmann平面法计算等离子体温度的精密度的影响,利用小波变换对等离子体光谱进行分解,并采用软阈值法对代表光谱基线的低频信号进行扣除。选择合适的小波分解层数L及阈值系数α能有效提高Boltzmann图的线性相关度,即有更高的拟合系数R2,从而提高等离子体温度的计算精密度。对低合金钢样品417～445 nm波段LIBS光谱采用db4小波函数进行分解、基线扣除和信号重构,选用12条Fe原子谱线建立Boltzmann图,由Boltzmann图拟合直线的斜率计算得到等离子体温度。对L和α系数进行了优化选择,研究发现,采用8层小波分解时Boltzmann图具有较高的R2,而α的选择与时延t_d有关,t_d≤4.0 μs时,α=0.3可获得最佳R2值,之后随t_d的增大,α逐渐减小; 在t_d≥6.5 μs后,α=0,即光谱低频信号被完全扣除,说明基线对光谱特征谱线的干扰随时延的增加逐渐减弱。基线扣除后各时延的等离子体温度降低约2 000～3 000 K,温度随时延的增加逐渐降低,与等离子体膨胀过程中温度逐渐下降的物理过程相吻合,且变化过程中的波动变小。     

激光加工过程中激光诱导等离子体的动态过程研究

本文利用高速摄影机对激光加工过程中伴随产生的等离子体在室温大气压下的动态过程进行监测研究.对等离子体持续过程及其随时间的变化进行实验分析,提出等离子体在通道内突然消失的可能机制,并为进一步控制等离子体的形成提供了实验基础.     

高功率梯度掺杂增益光纤温度特性理论研究

在高功率光纤激光器中, 增益光纤的热效应是限制激光功率进一步提高的重要因素之一. 为了降低增益光纤的最高温度, 提出了一种通过改变增益光纤的掺杂浓度分布, 分散光纤激光的热效应, 从而提高激光输出功率的方法. 基于速率方程模型和热传导模型, 在光纤激光放大器输出功率大致相当的情况下, 对几种不同掺杂方式下增益光纤中的热分布和放大器的输出功率进行了数值模拟. 研究结果表明: 增益光纤的梯度掺杂可以优化光纤中的温度分布并提高光纤熔接点的稳定性; 同时兼具提高输出光束的光束质量、抑制光纤中非线性效应和模式不稳定的效果, 是提高光纤激光放大器输出功率切实可行的办法. 研究结果可以为高功率光纤激光器中增益光纤的设计提供一定的参考.     

热物理激光测量中的三维温度场重构方法

针对热物理激光测量中的三维温度场重构问题，进行了几种算法的讨论．对双高斯函数形式的温度分布进行了重构计算，对重构算法进行了检验，对实验过程中可能出现的误差进行了模拟，讨论了它们对重构结果的影响．     

利用激光感应瞬态光栅技术测量超短激光脉冲宽度

描述了利用激光感应瞬态光栅技术测量超短脉冲激光的脉冲宽度和相干时间的方法，来自同一光源的两束激光在非线性介质中相干形成积分光栅，测量光栅自衍射强度与两束光脉冲之间的延迟时间关系，利用相干光束的四阶相干函数关系，可以求出光源的脉冲宽度和相干时间。     

MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法InP衬底上成功地制备了GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的分布布喇格反射镜(DBR)结构以及与之相关的四元合金GaxIn1-xAsyP1-y和InP外延层。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、低温光致发光(PL)光谱等测量手段对材料的物理特性进行了表征。结果表明,在InP衬底上生长的InP外延层和四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层77K光致发光(PL)谱线半峰全宽(FWHM)分别为9.3meV和32meV,说明形成DBRs结构的交替层均具有良好的光学质量。X射线衍射测量结果表明,四元合金GaxIn1-xAsyP1-y外延层与InP衬底之间的相对晶格失配仅为1×10-3。GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长的DBR结构每层膜的光学厚度约为λ/4n(λ=1.55/μm)。根据多层膜增反原理计算得出当膜的周期数为23时,反射率可达90％。     

InGaAs/InGaAlAs Strain-compensated Multiple-quantum-well Lasers with Improved Temperature Characteristic

1Intr0ductionSendconductorquanturnwe1l(QW)laserdiodeswokinginthelDngwavelength..reqamll.e.,around1.3mpand1.5pm,arevitalunitSintodny'sfibertaedcatdriSysterns.Moroftenusedmaterial,asdescribedinenormouspublicati0nS,istheInGaAsInPSystem.Anotherfrequenilyad0Ptedmaterial,whichisqulteprondsingandattractive,istheInG~InPsystem.ThesetwokindsofmaterialaredrilarinmanyaspectS:theyhavebasicallysarnbandgaPstructure,carriereffectivemassandrefractiveindexparameters.Themaindifferenceliesintheband0ffSet…     

InGaAs/InGaAlAs Strain-compensated Multiple-quantum-well Lasers with Improved Temperature Characteristic

It is reported on realization of pulsed operation of InGaAs/InGaAlAs strain-compensated multiple-quantum-well lasers at room temperatures. The working wavelength is 1.56 μm;the threshold current density for the stripe waveguide lasers is less than 1.85 kA/cm2;for the ridge waveguide lasers,the threshold current is 35 mA. The incorporation of compensated strain,which makes the multiple-quantum-well design applicable,leads to an obvious improvement on device temperature characteristic.     

激光诱导预分离荧光法窄带及宽带测温实验研究

介绍了激光诱导预分离荧光法测温的原理及实验结果。利用可调谐KrF准分子激光器 ,在常压甲烷 空气火焰内测得了OH自由基的系列荧光谱 ;并对它们的谱线结构进行了分析 ;给出了利用窄带激光和宽带激光两种不同激励条件下测量的温度值。通过选择适当的激励线及激光能量 ,减去背景噪声等途径 ,使两种方法的测量精度均高于 3 %。     

Theoretically study on measurement of velocity distribution by means of laser induced fluorescence

Based on two-level atomic density matrix movement equation and emitting operator, the physical model is established for laser induced moving atomic resonant fluores cence. Theoretically study showsthat the measurement of atomic velocity distribution by means of laser induced fluorescence is only valid when the physical factors, such as atomic natural line width, laser power, laser line width, is suitably selected.     

食用油加热后荧光强度变化的实验研究

食用油经过长时间高温加热后,不仅营养成份破坏,而且生成对健康有害物质.本文报道了几种精炼油加热后的激光诱导荧光强度的变化与加热时间及温度的关系.     

激光准直Cr原子束的实验研究

利用多普勒原理对Cr原子束进行横向准直.应用激光感生荧光技术稳定激光器的频率,把激光器的中心频率稳定在偏离Cr原子共振中心频率-5±0.26MHz的位置.根据理论计算出准直激光束的最小尺寸为13.7mm.根据实验数据选择合适的参数,实现利用多普勒原理横向准直Cr原子束,使原子束的横向分布缩小到原来的1/3.关键词：激光准直激光感生荧光稳频多普勒冷却