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相似文献
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1.
通过对内对间相关能的计算,发现Cl,Cl-及其化合物中的K电子层的对内相关能基本上是一常数,而且Cl的K,L层电子层内相关能和它们之间的层间相关能也变化很小.另外,所研究的MCl系列化合物中Cl价电子对相关能的贡献是跟MCl的离子性有关,即随着化合物离子性的增加而增加,但其相关能最大不大于Cl-离子的,最小不小于Cl原子的.这些规律对人们考虑一些化合物的相关能,以至化学反应能量很有参考意义.  相似文献   

2.
众所周知,电子相关能问题是量子化学的瓶颈问题‘’‘.为了更深人地了解和认识电子相关能的轨道本质,建立P。St-HF理论校正模型,JS等”-”应用电子对内对间电子相关模式,指出国际著名量子  相似文献   

3.
无机过氧化合物作为活性氧源在有机合成反应中显示了独特的催化氧化性能,特别是过氧多酸的应用倍受重视.  相似文献   

4.
在MP2水平下对被定义为"电荷转移复合物(CTC)"的苯(C6H6)-卤素分子X2(X=F, Cl, Br, I)相互作用体系进行了量子化学研究. 在优化所得C6H6-X2(X=F, Cl, Br, I)复合物的平衡几何结构中, 卤素分子X2接近垂直指向苯环上碳-碳双键的中心. 自然键轨道(NBO)分析结果表明, 苯-卤素体系中电荷转移的数量很少. 对称性匹配微扰理论(Symmetry-adapted perturbation theory, SAPT) 能量分解结果显示, 在4个复合物体系中, 静电作用的贡献相对较小(只占总吸引作用的20%左右), 对于C6H6-F2体系, 色散作用是其主要吸引作用, 对于C6H6-Cl2, C6H6-Br2和C6H6-I2 体系, 诱导作用则是其主要的吸引作用, 从F到I, 色散作用逐渐减弱, 诱导作用逐渐增强, 表明在电子相关水平上将苯-卤素体系称为"电荷转移复合物"的说法并不确切.  相似文献   

5.
基于密度泛函理论(DFT) M06L方法对一系列单锰取代的Keggin型POM吸附大气小分子X(X=H2O,N2,O2,NO,N2O,CO和CO2)配合物的分子几何,电子结构和成键性质进行了系统研究。由于POM的多阴离子性质,铯盐Cs4[PW11O39MnH2O]被用来考虑抗衡离子效应。DFT-M06L计算表明,当改变4个Cs抗衡阳离子的位置时,多酸阴离子的几何结构和电子结构参数几乎没有变化。当不考虑抗衡离子效应,在气相和溶液中单独优化多酸阴离子([PW11O39MnH2O]4-)时,其主要几何和电子参数没有显著变化。比较不同自旋态的能量表明[PW11O39MnX]4-(X=H2O、N2、N2O、CO和CO2)的最低能量态是高自旋五重态,[PW11O39MnO2]4-为三重态,而[PW11O39MnNO]4-则为双重态。这些大气小分子在类卟啉POM配体上的吸附能量按照以下顺序增加:N2 < N2O < CO≈CO2 < O2 < H2O < NO。POM-Mn-NO配合物具有较大的吸附能。Mulliken布居分析表明,NO配体与多酸中Mn中心的相互作用主要来自于中间自旋态的Mn中心与NO·分子之间的反铁磁性耦合相互作用。  相似文献   

6.
张建平  杨春  周家宏 《化学学报》2012,(14):1555-1560
以CoIIIW11和有机硅烷为原料,在pH=1,乙醇-水(体积比=2∶1)的混合溶剂中,首次合成了Keggin型有机硅取代的钨钴酸盐[CoIIIW11O40(SiR)2]5-(CoIIIW11(SiR)2,R=CH=CH2,OH).这里,乙醇作为共溶剂增加硅烷在溶液中的溶解度,使CoIIIW11在转化为饱和结构之前能够快速与硅烷相遇并反应.产物的组成和结构用IR,UV-Vis,NMR,TG-DTA,元素分析等技术进行了全面表征.结果显示,两个SiR基团进入了CoIIIW11的空位,并形成Si—O—Si桥,得到与先前报道的硅取代钨硅酸盐和钨磷酸盐相似的结构.还运用此条件成功合成了以往需要在固-液相转移条件下合成的[PW11O40(SiR)2]3-[PW11(SiR)2,R=CH=CH2,OH],进一步证明了此方法在合成有机硅取代的多金属氧酸盐方面的可行性和通用性.  相似文献   

7.
用柠檬酸硝酸盐法制备高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10, 0.15)固溶体, 加入摩尔分数为5%的Mo, 研究了Mo掺杂对烧结温度、结构及电性能的影响. 通过X射线衍射、电感偶合等离子体和场发射扫描电镜等手段对氧化物进行了结构表征, 采用交流阻抗谱测试其电性能. 柠檬酸硝酸盐法制备的前驱体经1450 ℃烧结24 h得到致密度大于96%的陶瓷材料; 加入5%Mo, 在1250 ℃下烧结8 h即可达到理想的致密度(>95%). 加入Mo在烧结过程中可加快晶界迁移, 促进晶粒生长, 显著提高了晶界电导率. 在600 ℃时Ce0.85Nd0.15O1.925的晶界电导率为2.56 S/m, 加入Mo后材料的电导率增加到5.62 S/m.  相似文献   

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