半导体器件失效率的讨论

1.失效率定义 失效率是表征半导体器件可靠性的最重要指标之一。它以字母λ(t)表示,它表示半导体器件工作到时刻t的条件下,单位时间内的失效概率。失效率有三种表示单位:一是每小时10的负几次方,例如1×10~(-6)/小时,国内常以此单位表示;二是每小时的百分数(％/小时)或每千小时的百分数(％/千小时);三是Fit(菲特),1Fit=1×10~(-9)/小时,即10亿个元器件每小时内只允许1个半导体器件失效,国     

降低半导体器件失效率的有效措施

要提高电子产品的可靠性水平,必须加强对元器件的质量管理。本文系统地介绍了采用优选生产厂家、高温贮存、功率老化、质量信息反馈、改善检测手段等方法来降低半导体器件的失效率,提高整机的可靠性。实践证明,这些措施简单有效。     

美国半导体器件的失效率及其计算方法

本文用美国哈里斯半导体器件公司的实例数据介绍了如何采用新概念计算半导体失效率的方法，并收集了近年来发表的部分半导体器件失效率的数据（其中早期失效率数据是利用６０％置信度计算出来的，长期失效率是利用激活能和６０％置信度计算出来的），同时还分析了自１９９５年以来美国半导体失效率的变化趋势或可靠性改进的情况，以供参考。     

IC失效率的预测研究

前几篇论文中,曾对我厂多年来生产的IC进行了长达七千多小时的可靠性试验。经数据处理得出了重要的可靠性参数失效率λ、平均寿命等。可以看出我厂生产的IC可靠性已达到了较高水平。这里,再对若干电路进行了失效率的预测研究,得出的失效率λ值与试验数据处理得出的失效率λ值相比较,均在同一数量级。证明此方法可省人力、物力和财力,既能提供可靠信息,又可为厂增加经济效益。     

热应力对半导体分立器件失效率的影响

本文通过对大量现场和试验可靠性数据的统计分析，论证了采用阿伦尼斯模型描述热应力对半导体分立器件失效率影响的适用性。     

半导体器件热特性的光学测量技术及其研究进展

热失效是影响半导体器件的性能和可靠性的主要原因,热特性和温度测量是整个电子系统热设计过程中的关键环节.光学测量方法具有非接触、无损伤的优势,在半导体及电子系统研究领域应用日益广泛.评述了各种半导体器件热特性光学测量技术的工作原理、实验装置、技术指标、应用现状,总结了现有方法中的关键问题和发展方向.     

深入理解失效率和瞬时失效率

对失效率λ(t)和瞬时失效率h(t)所具有的实际含义和表征内容进行了深入的探讨。同时详解了失效密度函数f(t)在可靠性工程计算中具有将随机失效数转变为连续变化量的作用。对这几个可靠性参量在工程应用和计算时的适用场合作了分析。通过简洁易懂的论述和实际的计算实例,重点说明了瞬时失效率的3个特点,希望在可靠性基础理论的学习中正确地理解失效率和瞬时失效率的意义。     

融合非线性加速退化模型与失效率模型的产品寿命预测方法

针对高可靠性产品寿命数据少、获取成本高的问题,基于充分利用产品在研制、加速试验等不同环境下的退化数据、失效数据等可靠性数据的思想,提出了一种融合非线性加速退化模型和失效率模型的产品寿命预测方法.首先,根据退化数据对非线性退化过程进行分析,估计退化过程的参数;然后,根据加速退化数据及相应的加速退化模型估计加速退化模型的参数,从而得到退化参数与应力之间的关系.进一步,利用比例风险模型融合产品的寿命数据和未失效截尾数据,并基于此计算产品的可靠度函数、预测产品的寿命.实例应用验证了所提方法的有效性,同时说明了所提方法的应用价值.     

充满活力的光学微细加工技术

本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。     

空间分辨率对半导体器件光学测温结果的影响

从空间分辨率的定义出发,指出物镜的数值孔径和光的波长是决定光学仪器空间分辨率的主要因素。给出了空间分辨率影响半导体器件结温检测结果准确度的原理。对GaN HEMT进行了不同空间分辨率下的显微红外温度检测,较低空间分辨率下的测温结果低于高空间分辨率下的测温结果,证明空间分辨率的不足会导致温度测量结果偏低。     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

晶体管非工作期失效率预计

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合．通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期．     

光学光刻——向21世纪挺进

光学光刻———向２１世纪挺进本刊编辑部当前的ＩＣ工业，正在沿着美国半导体工业协会（ＳＩＡ）制订的半导体技术发展蓝图并遵循摩尔定律向前发展。以存储器为代表的ＩＣ技术，已步入了０３５μｍ线宽的６４Ｍ器件批生产阶段；０２５μｍ线宽的２５６ＭＤＲＡＭ的制...