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提出了一种利用临界屈曲法在线测量微机械薄膜残余应力的新结构,并采用表面微加工技术制作了两种测试样品.搭建了在线观测实验装置来实时监控释放过程中结构出现的临界屈曲变形模态,由此判断出结构内部的应力状态,同时在测得临界刻蚀深度的情况下,采用有限元方法计算出残余应力大小.借助有限元方法,先研究了多个参数对临界屈曲应力的影响,然后利用这种新结构对薄膜残余应力进行了实际测量,所得结果与微旋转结构的应力测量结果基本吻合.分析及实验表明,新结构在测量薄膜残余应力方面有许多优点,具有较高的实用价值,不仅能满足大量程的应力检测要求,而且只用一个结构就可以同时测量压应力和拉应力,从而极大提高了器件版图空间的利用率. 相似文献
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铀是非常活泼的金属,在大气环境中很容易发生腐蚀,通过磁控溅射方法,在铀表面镀铝可以对铀起到很好的防腐蚀效果,但经过磁控溅射以后,薄膜内会产:生应力,从而影响了铀表面铝镀层的结合强度及使用性能。一般认为,薄膜内的应力来源于两个方面:一是热应力,二是生长应力。热应力是由于薄膜与基体热膨胀系数不同经温度变化引起的,而生长应力则来自于薄膜与基体物理性质的不同,以及薄膜中的结构缺陷。对于一种确定结构的膜基体系,生长应力比较固定,而热应力却可以通过磁控溅射工艺进行一定的调整。文中采用热弹塑性有限元分析方法,对铀表面磁控溅射沉积铝镀层的热应力分布进行了研究。 相似文献
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沉积参量及时效时间对 SiO2薄膜残余应力的影响 总被引:6,自引:0,他引:6
SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成。用GPI数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前后曲率半径的变化,并确定了 SiO2 薄膜中的残余应力。在其他条件相同的情况下,当沉积温度由 190 ℃升高到350 ℃时,SiO2 薄膜中的压应力由-156 MPa增大为-289 MPa。氧分压由3.0×10-3 Pa升高到13.0×10-3 Pa时,SiO2 薄膜中的应力由-223.5 MPa变为20.4 MPa。通过对薄膜折射率的测量,发现薄膜的堆积密度随沉积条件的改变也发生了规律性的变化。应力的变化主要是由于沉积时蒸发粒子的动能不同,导致薄膜结构不同引起的。同时,在样品的存放过程中,发现随着存放时间的延长,薄膜中的应力表现出了由压应力状态向张应力状态演变的趋势。 相似文献
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采用ZYGO MarkIII-GPI数字波面干涉仪对以K9玻璃为基底的电子束蒸发方法制备的HfO2薄膜中的残余应力进行了研究,讨论了沉积速率、氧分压这两种工艺参量对HfO2薄膜残余应力的影响.实验结果表明:在所有的工艺条件下,薄膜的残余应力均为张应力;随着沉积速率的升高,氧分压的减小,薄膜的堆积密度逐渐增大,而残余应力呈减小趋势.同时用X射线衍射技术测量分析了不同工艺条件下HfO2薄膜的晶体结构,探讨了HfO2薄膜晶体
关键词:
残余应力
2薄膜')" href="#">HfO2薄膜
沉积速率
氧分压 相似文献