铸造多晶硅的吸杂

吸杂是减少多晶硅中有害金属杂质的一种有效手段.比较了在800℃、900℃和1 000℃条件下经2 h的磷吸杂、铝吸杂和磷铝共吸杂处理后的多晶硅少子寿命、电性能差异.实验结果表明,磷铝共吸杂少子寿命的增加比仅用磷、铝单独吸杂都明显,但3种吸杂方式对太阳电池电性能都没太大影响;同时发现退火到700℃的热处理并不能有效地改善磷吸杂效果.     

多晶硅太阳电池的吸杂实验研究

文章简述了采用浓磷扩散吸杂,铝吸杂以及磷－铝共同吸杂等方法,对多晶硅进行了大量的实验研究结果表明,上述方法对我们实验所用的多晶硅材料做太阳电池,其电学特性没有显著的改善。     

区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

研究了区溶再结晶（ZMR）设备及其工艺特点。在覆盖SiO2的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积（RTCVD）在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电池活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10．21％,填充因子为0．6913的电池产品。     

简论发展我国太阳电池及多晶硅产业

对国内外太阳能光伏发电产业的发展现状进行了评述,指出了我国光伏发展在政策、技术和应用方面存在的一些问题,并就我国太阳电池与多晶硅材料关键技术的发展提出了看法与建议。     

多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究

研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积（RTCVD）的最传教条件,同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14．08％的太阳电池,其填充因子为0．808。     

不同研究方法对太阳电池多晶硅材料缺陷的影响

综述了不同的研究方法对太阳电池多晶硅中位错与杂质的影响,同时分析了缺陷与硅片电学性能的关系。对比发现,不同的研究过程,得出的结论侧重点不同。     

多晶硅薄膜太阳电池电子辐照研究

利用静电加速器对多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照实验。电子能量为1MeV,分别以1014e/cm2、1015e/cm2和1016e/cm2电子辐照注量进行辐照,首次获得了多晶硅薄膜太阳电池在高注量的电子辐照后,性能衰降比晶体硅大的结果。结合太阳电池理论和半导体材料的电子辐照效应给出了合理的解释。     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

物理冶金法单晶硅片双面磷吸杂实验研究

对物理冶金法提纯的单晶硅太阳能电池的生产工艺中,在磷扩散制备PN结时进行了双面磷吸杂实验研究。结果表明,与常规的磷吸杂扩散相比,双面磷吸杂效果明显,吸杂后硅片的少子寿命及其制成电池片的转换效率均有提高。     

多晶硅太阳电池的有效等离子体氢钝化

文章报道了一种用于多晶硅太阳电池氢纯化的简单试验装置，等离子体氢是通过辉光放电方法产生。三类完成电极制作的多晶硅太阳电池用于氢纯化试验，伏安特性测试结果表明，经过等离子体氢纯化后的太阳电池性能都有所提高，电池的光电转换效率相对改善高达10.6%。     

硅太阳电池光谱响应测试系统研制

文章介绍了用分光光度计、精密锁相放大器等制作的太阳电池光谱响应光谱响应测量系统的方法及测量结果。该系统简单可靠,解决了 光谱响应测量的难题。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

扩散方阻对多晶硅太阳能电池效率的影响

在现有大规模太阳能电池生产工艺的基础上,改变扩散工艺条件,制备一系列的方块电阻发射极.在未改变其他工艺参数的条件下,当发射极方块电阻升高时,短路电流持续上升,开路电压在接近70Ω/□时接近饱和,而填充因子(fill factor,FF)则因串联电阻的增加呈下降趋势.器件的效率在70Ω/□方阻发射极时达到最大值.通过光致发光图(photoluminescence,PL)比较方阻为50和70Ω□发射极的吸杂效果,结果说明,在磷扩散过程中,硅片的晶粒、晶界以及位错区域的吸杂效果都非常明显,且50Ω/□发射极硅片的吸杂效果略优于70Ω/□的硅片.     

太阳能电池单晶硅表面织构化正交试验

在单晶硅太阳能电池的制备过程中,经常利用碱溶液对电池表面进行“织构”,以形成陷光,增强对光的吸收.在NaOH溶液中制备硅片时,由于各个晶面的腐蚀速率不同,在硅片表面会形成类“金字塔”形绒面.碱溶液浓度、添加剂用量、反应温度以及时间等都会影响到绒面的形成.文中通过正交试验方法,分析了各个因素对绒面形成的影响,得出了最佳的试验条件为:碱溶液浓度为2.5%;反应温度为95℃;添加剂用量为5%;腐蚀时间为30m in.     

高温后退火对薄膜太阳能电池光电性能的影响

应用SILVACO仿真软件,对N、P区杂质浓度分别为1×1016和1×1017cm-3的非晶硅薄膜太阳能电池进行了后退火工艺仿真研究.结果表明:非晶硅薄膜太阳能电池的光谱响应特性随着后退火温度的升高和退火时间的增加而提高.与未后退火电池相比,保持后退火时间1 min,退火温度分别为900,950和1 000℃时,电池的短路电流(Isc)增加约5.39%;保持后退火温度为950℃,退火时间从1 min增加到5 min,电池的短路电流(Isc)提高约6.37%.但是,电池的光谱响应特性的提高与后退火工艺参数不成正比关系.为了减小后退火对电池杂质再分布的影响,确定最佳后退火工艺参数为950℃和4 min.研究表明在薄膜电池的生产中增加后退火工艺可以有效地提高薄膜太阳能电池的光谱响应性能.     

非晶硅太阳电池稳定性研究

报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论。     

槽式聚光系统聚光硅电池阵列特性实验研究

利用所设计的槽式聚光热电联供系统,对栅线平行分布和反方形分布的两种聚光硅太阳电池阵列进行了性能测试研究。结果表明,在能流聚光比为20倍的槽式聚光器下,两种电池阵列的光电效率分别为11.42%和13.89%,最大输出功率分别比聚光前放大16.06倍和19.33倍。两种电池阵列Pm、FF和η的温度系数分别为:-0.047 W/K、-0.45%/K、-0.035%/K;-0.029 W/K、-0.176%/K、-0.105%/K.研究结果为中低倍聚光系统聚光电池的选择和槽式聚光热电联供系统性能的优化提供参考。     

双面钝化高效硅空间太阳电池的设计及研究

从研制空间用高效太阳电池出发,比较了双面钝化硅太阳电池相对于砷化镓太阳电池的优势,提出了一种新型双面钝化高效硅太阳电池的设计思想和研制方法．给出电池样品的测试结果,该电池在ＡＭ０,２５℃下光电转换效率为１８．７％．