Sr3NbGa3Si2O14和Sr3TaGa3Si2O14压电晶体的声表面波特性研究

本文编程计算了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)和Sr3TaGa3Si2P14(STGS)压电晶体的X,Y和Z切型的声表面波速度、机电耦合系数及能流角,与现有实验结果符合的很好.计算结果指出SNGS的(90°,90°,167.5°)、(0°,90°,0°)和(0°,0°,90°),STGS的(90°,90°,170°)和(0°,90°,0°)切型具有机电耦合系数大、能流角为零等优点,制作声表面器件可以优先考虑这些切型.     

Sr3NbGa3Si2O14晶体非同向声光可调谐滤波器的研究

对0.6328μm和1.06μm两种波长,分别给出了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)晶体声光可调谐滤波器取不同近似下的超声波极角θa和入射光极角θi之间的关系曲线.结果指出,对晶体取双折射近似基本没有误差,在红外波段不必考虑旋光特性.具体计算了λ=0.6328μm时,器件的有关性能指标光谱分辨率和角孔径.所得结果对SNGS晶体在非同向声光可调谐滤波器中的应用提供了理论依据.     

新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征

采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250～2500nm波段范围内,其透过率均大于80;,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料.     

Ca3NbGa3Si2O14晶体的BAW传播特性

本文计算了沿Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)晶体的x、y和z方向传播的声体波(BAW)的声速,绘制了yz、xy和xz面传播的慢速度分布曲线.这些结果对CNGS晶体在压电器件的设计、开发及利用方面具有一定的理论指导意义.     

Ca3NbGa3Si2O14晶体的拉曼散射及密度泛函研究

根据空间群理论(SPT)计算了Ca3NbGa3S i2O14晶体(简称CNGS)的拉曼光谱,并测量了CNGS的室温拉曼光谱。根据晶体结构,构造了两个团簇(Ca3NbGa2S iO12,Ca3NbGaS i2O12),利用密度泛函理论(DFT)对拉曼光谱进行了计算和模拟。结果表明理论与实验非常吻合,CNGS良好的压电性起源于两个团簇大的极化率各向异性。     

硼酸锶钡(Ba0.87Sr3.13B14O25)晶体的生长、结构和性质研究

本文报道了一种新的硼酸盐化合物-Ba0.87Sr3.13B14O25,采用泡生法已生长出尺寸为35mm×25mm×5mm的晶体.该晶体为单斜晶系,C2/m空间群,a=1.6425(3)nr,b=0.77739(16)nm,c=1.6665(3)nm,β=119.22(3)°,Z=4.结构中B3O8六元环通过O原子和BO3三角形相互连接,构成三维的硼氧阴离子骨架,金属阳离子占据多面体间的空隙.测量了BSBO晶体的透过谱,该晶体的显微硬度为578kg/mm2.     

A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)晶体研究进展

介绍了一类性能优异、结构有序的新型材料--A3BGa3Si2O14(A=Ca,Sr;B=Nb,Ta)单晶,总结了其研究进展,并对该类晶体的生长、结构、热学、光学和压电性能进行了描述.     

Nd3+:Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长及吸收光谱

采用坩埚下降法生长了Nd3+掺杂浓度分别为15;、8;和2.5;原子分数的Sr3Ga2Ge4O14晶体,所得晶体最大尺寸为φ26mm×15mm.Nd3+掺杂Sr3Ga2Ge4O14晶体的特征吸收峰波长为806nm,与Nd3+离子在YAG中的特征吸收峰相比,向短波方向发生了微小的偏离.这是Sr3Ga2Ge4O14晶格中Ga3+和Ge4+的统计分布所致.Nd3+:SGG晶体的这些特性将有助于泵浦效率的提高和泵浦阈值的降低,因此Nd3+:SGG晶体有望成为一种新型的LD泵浦固体激光材料.     

有机物掺杂下KDP晶体的光学与热学性质研究

本文以L-酒石酸、L-苯丙氨酸和L-丝氨酸为掺杂有机物,采用“点籽晶法”生长出掺杂浓度均为1 mol;的KDP晶体,并利用XRD、光学透过率、热分析以及红外谱图等手段对掺杂后的KDP晶体进行表征,考察有机物掺杂对KDP晶体光学和热学性质的影响.实验发现,掺杂L-丝氨酸的KDP晶体,晶体的熔点温度有所降低;掺杂L-酒石酸时,晶体光学性质得到改善,熔点温度升高;而掺杂L-苯丙氨酸时,结晶质量提高,光学性质得到改善.     

Optical properties of Sr3TaGa3Si2O14 single crystal

The specific rotation ρ of strontium tantalum gallium silicate Sr₃TaGa₃Si₂O₁₄ (STGS) piezoelectric single crystal was determined from 350 to 850 nm by measuring the optical transmission between parallel polarisers in Z direction. It is shown that Sr₃TaGa₃Si₂O₁₄ has quite large a value of ρ which is a little smaller than that of strontium niobium gallium silicate Sr₃NbGa₃Si₂O₁₄ (SNGS). The crystal with ordered structure which is isostructural to calcium gallium germanate Ca₃Ga₂Ge₄O₁₄ (CGG) was grown by Czochraiski technique. And its birefringence was also determined. (© 2004 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

La3Ga5SiO14晶体压电系数的温度特性

测量了(yxf)-30°切La3Ga5SiO14(LGS)晶体30～300℃温度范围内的谐振特性.室温时压电常数d11和d14分别为5.59×10-12C/N和-5.01×10-12C/N.在室温至300℃范围内(yxl)-30°切La3Ga5SiO14晶片厚度切变振动的谐振频率和机电耦合系数k′26都随温度升高而升高,因此压电常数d11和d14也随温度升高而略有升高.     

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3晶体三方相的压电性能研究

以坐标系二次旋转为理论基础研究了PMN-0.33PT晶体三方相的常用压电模量d15、d24、d31、d33、d36和机电耦合系数k15、k24、k31、k33、k36在三维空间的变化规律.通过MATLAB编程求得以上各系数关于坐标系旋转角度的函数表达式,绘制出了它们的三维空间分布图,并一一求得这些系数的最大值,以及与最大值相对应的旋转角.发现除d33和k33外,d31、d36、k31和k36也在空间变化显著.d31和k31旋转后的最大值比原坐标系下的数值分别扩大了15倍和6倍,对应的旋转角分别为(-4.5°/90°)、(22.5°/270°).d36 和k36在原坐标系下不存在,经旋转后的最大值可分别达到1340 pC/N 和0.73.该研究结果对PMN-0.33PT晶体在压电传感器、换能器中的应用具有重要的理论价值.     

Growth and characterization of a new langasite‐type single crystal Sr3NbAl1.5Ga1.5Si2O14

Single crystals of Sr₃NbAl_1.5Ga_1.5Si₂O₁₄ (SNAGS) with langasite structure have been successfully grown by Czochralski method. The X‐ray diffraction (XRD) verified that the as‐grown crystal was isostructural with A₃BC₃D₂O₁₄ structure and the lattice parameters were calculated as follows: a = 8.242 Å, c = 5.041 Å, V = 296.6 ų. The piezoelectric coefficient d₁₁ was 5.7pC/N, which was 2.47 times of α‐quartz (d₁₁=2.31pC/N). The electric resistivity was up to 3.04×10⁶ Ωcm at 700 °C for X‐cut sample. In addition, the transmission spectrum of the SNAGS crystal showed that it had a high transmittance (>80%) in the range of 350‐800 nm and exceeded 90% above 520 nm. These results suggest that the SNAGS crystals have potential applications in high‐temperature piezoelectric sensors and optical techniques. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

ZnSe单晶生长及性能研究

采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70;.